论文摘要
通过拉曼光谱和光致发光光谱分别揭示了单层硒化钨在施加单轴拉伸应变情况下的带隙能量变化。应变可以诱导单层硒化钨由直接带隙半导体转变为间接带隙半导体,并且在整个应变范围内,直接带隙峰和间接带隙峰均出现明显的红移。应变还对晶格震动有影响,对面内震动模式E2g1观察到明显的峰分裂。这些发现丰富了对单层过渡金属二硫化物材料应变状态的理解。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王倩倩,徐浩然
关键词: 单层硒化钨,应变,拉曼光谱,光致发光光谱
来源: 上海电力学院学报 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学,无机化工
单位: 上海电力学院电子与信息工程学院
分类号: O657.3;TQ136.13
页码: 193-196
总页数: 4
文件大小: 209K
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