论文摘要
采用自旋极化密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了非金属元素B或N替位掺杂对单层SnO电子结构和磁学性质的影响.计算结果表明,B或N原子掺杂单层SnO可以诱导出磁性,磁矩分别为0.84μB,0.44μB.在B-SnO掺杂体系中,磁矩主要来源于B-2p轨道和与之近邻的Sn-5p轨道.在N-SnO掺杂体系中,磁性主要来源于Sn-5p、O-2p和N-2p轨道.进一步研究两个B或两个N原子掺杂单层SnO的磁耦合发现,双B原子掺杂SnO超原胞的C1构型最为稳定,双N原子掺杂SnO超原胞的C4构型最为稳定,且都呈现出顺磁性.形成能计算表明,富Sn条件下更易于实现双原子掺杂.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 安婷,张敏,贺勇,史俊杰
关键词: 单层,掺杂,磁性,第一性原理
来源: 内蒙古大学学报(自然科学版) 2019年02期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,北京大学物理学院
基金: 国家自然科学基金资助项目(11364030),内蒙古自然科学基金资助项目(2015MS0127)
分类号: O614.432
DOI: 10.13484/j.nmgdxxbzk.20190206
页码: 147-153
总页数: 7
文件大小: 406K
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