导读:本文包含了负微分电阻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:微分,电阻,器件,效应,纳米,石墨,特性。
负微分电阻论文文献综述
韩布兴[1]（2019）在《基于Au@PPy核壳结构纳米粒子自组装阵列的可程序化负微分电阻效应研究》一文中研究指出随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应,其在逻辑门3、模拟数字转换4、高频率振荡5、记忆存储和快速转换6等领域中具有巨大的应用前景。负微分电阻效应现象经常出现在金属-氧化物-半导体器件或者半导体器件中。目前,一些科研工作者在基于导电聚合物与金属纳米粒子复合器件中(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年05期）
张海连,李明澈,张敬慈,李四中[2]（2018）在《水热合成纳米V_2O_5·nH_2O及其负微分电阻器件》一文中研究指出采用水热法以偏钒酸铵和硝酸制备水合五氧化二钒(V_2O_5·nH_2O)纳米带,采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射分析仪(XRD)及拉曼光谱分析仪(Raman Spectra)对产物进行表征,采用半导体特性分析仪测试以产物为沟道的场效应器件性能。结果表明:制得的V_2O_5·nH_2O纳米带宽100~150nm,厚约20nm,含水量n在0.5~1之间,具有类晶结构;器件具有N型负微分电阻(N-NDR)效应,与V_2O_5·nH_2O的双载流子导电及Poole-Frenkel发射相关。栅压为0~9V时,开关电压随栅压增大而升高,峰谷电流比变化小,期间,栅压为1V时电压跨度最大为0.61V。(本文来源于《化工新型材料》期刊2018年06期）
谈征华,尹雪兵,杨蕊,郭新[3]（2016）在《基于Pt/WO_3/Pt器件的具有负微分电阻效应的易失性双极性电阻转变研究》一文中研究指出【引言】电阻转变效应因具有应用于下一代信息存储器、逻辑运算以及大脑神经功能模拟的巨大潜能,正被广泛研究。~([1])在进行大规模应用之前,电阻转变机理需要得到透彻的理解。在电阻转变过程中往往伴随着一些物理现象,如负微分电阻效应。~([2])该工作报道并研究了基于Pt/WO_3/Pt器件的具有负微分电阻效应的易失性双极陛电阻转变。【实验】在附有500 nm厚SiO_2的单晶硅衬底上,通过磁控溅射并使用金属掩模板,依次制备一层10(本文来源于《第18届全国固态离子学学术会议暨国际电化学储能技术论坛论文集》期刊2016-11-03）
黄川,邓迟[4]（2016）在《GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究》一文中研究指出利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应。分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输运特性;十字型GNRFET由于中间的干破坏了原来两边缘的输运路径,其传输系数均不超过1。十字型GNRFET的输出特性具有明显的负微分电阻效应,且栅电压对此有调控作用。从传输谱的角度给出了GNRFET负微分电阻特性的理论解释和栅压调控的能量图,为微纳器件负微分电阻效应的研究提供了一定的理论依据。(本文来源于《微电子学》期刊2016年04期）
邱深玉,万海青[5]（2016）在《基于非对称分子的全碳分子器件的负微分电阻及整流行为》一文中研究指出使用基于非平衡格林函数和密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究苯环连接碳链构成的非对称分子与石墨烯电极组成的分子器件的电子输运性质。通过计算,我们发现该分子器件表现出明显的负微分电阻现象和整流行为,通过分析分子自洽哈密顿量和前线分子轨道,发现整流行为的出现是由于不同方向的外加电场导致前线分子轨道能级的非对称移动造成的,而负微分电阻是因为在某些特定电压下电导通道被压制,使得电流迅速降低而形成的。(本文来源于《南昌大学学报(理科版)》期刊2016年01期）
徐公杰,李娜,陈镜[6]（2015）在《石墨烯纳米结构中负微分电阻效应研究》一文中研究指出由于石墨烯具有高电子迁移率的特性,可以用来制备高频电子器件。利用传输矩阵方法,对石墨烯p-n结及方形势垒纳米结构中的负微分电阻效应进行了研究。证实了石墨烯p-n结中负微分电阻现象比传统半导体中的幅度要小,石墨烯中Klein隧穿过程的存在使负能量范围内的空穴对电流产生影响。石墨烯纳米方形势垒中发生负微分电阻效应的位置在费米面附近,势垒宽度越大,对载流子的阻挡越大,负微分电阻效应越明显。(本文来源于《光学仪器》期刊2015年04期）
张军昌,钟留彪,江林[7]（2014）在《基于金纳米粒子与聚吡咯核壳复合材料的记忆存储器件中的可控负微分电阻效应》一文中研究指出在这篇文章中,我们利用一种简单快速的氧化方法合成了金纳米粒子与聚吡咯的核壳复合材料。基于这种复合材料的器件具有可持续的负微分电阻[1,2]和记忆存储效应,而且有很高的稳定性,在超过2000次的读写后,电流值变化很小。我们认为这种记忆存储效应是由于金纳米粒子与聚吡咯之间的电荷转移。此外,负微分电阻现象的出现是位于金纳米粒子陷阱中电子之间的库伦排斥作用造成的。而且,通过调节聚吡咯的厚度可以调控负微分电阻效应和记忆存储性能。这种既具有记忆存储性能又有可控的负微分电阻效应的器件在未来的记忆存储和逻辑[3]装置中将有很大前景。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件》期刊2014-08-04）
秦书超,董瑞新,杜倩倩,王媛[8]（2014）在《ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性》一文中研究指出通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量其电学特性,分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明:在不同的扫描电压作用下,器件均表现出稳定的负微分电阻特性,且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态,器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理,均可有效减小低阻态的阻值,提高器件的峰-谷电流比率,进而优化器件的记忆特性。最后,基于能谷散射理论,对器件的负微分电阻特性进行了合理解释,理论和实验结果吻合较好。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2014年07期）
杨光[9]（2014）在《钛酸钡薄膜的阻变开关现象和负微分电阻现象的研究》一文中研究指出当今世界信息技术的快速发展离不开非易失性存储器件性能的不断提高。为了获得性能更加优异的新型存储器，大量的研究者都在寻找常规存储器的替代品。在研究中发现,许多氧化物材料中都存在有电阻开关的现象，大部分都具有能够应用于非易失性阻变存储器（ReRAM）中的应潜能。其中传统的非易失性存储器的机制可以分为两类，一类是离子机制，一类是电子机制，和离子机制相比较，电子机制的阻变效应占据着主要的位置。但是一般的电阻开关的电子机制都与器件的缺陷有关，而缺陷是不容易控制的，这也是传统的阻变开关材料没有实现广泛商用的原因之一。在这个时候铁电材料进入我们的视野，最近几年对铁电薄膜的制备、性能和应用的研究，以及利用铁电材料的铁电性质控制阻变开关的特性已经成为了新功能材料研究的一个热点。钛酸钡薄膜作为一种典型的铁电材料而受到广泛的关注。一些有趣的现象发生在钛酸钡薄膜的电子运输的过程中，比如：可切换的二极管效应，欧姆接触到肖特基接触的转变，双极性的阻变开关现象，磁电耦合现象，以及利用铁电的极化性质来控制阻变开关性质的现象。而通常伴随着这些现象的发生会出现负微分电阻现象。这种负微分电阻现象也会出现在其他的一些材料体系中，比如：双重的量子阱，超晶格，和一维系统当中。但是负微分电阻现象的微观机制到目前为止还存在着很大的争议。目前学术领域有着各种各样的微观机制用来解释阻变开关现象，包括：氧空位的迁移机制，电荷俘获和去俘获机制，导电细丝机制等等，但是以上的这些机制都很难解释负微分电阻效应，基于这种背景我们对钛酸钡铁电薄膜的阻变开关性质和负微分电阻性质进行了研究，并且我们的研究得到了一些有意义的结果，主要结果如下：在铁电材料当中钛酸钡材料（BaTiO3）是一种非常典型铁电材料。采用激光脉冲沉积技术，在不同的氧压条件在导电玻璃（FTO）衬底上生长钛酸钡（BTO）铁电薄膜。XRD θ-2θ扫描结果显示出在FTO衬底上生长出了质量较好的BTO铁电薄膜，通过直流溅射工艺在BTO表面镀上直径为0.001cm的电极，制备出了Au/BTO/FTO的器件。之后利用Keithley2400对该器件进行I-V扫描，在扫描过程中发现在负电压区域会有负微分电阻的现出，并且该现象的出现于正电压有着密切的关系。为了寻找出负微分电阻现象出现的原因和该现象与正电压保持着何种关系，于是我们对该Au/BTO/FTO器件进行了铁电性质，DLTS以及脉冲电压测得的研究。经观察发现，器件的负微分电阻现象在不同的脉冲宽度和脉冲强度下都会受到影响。与此同时，引入了界面态机制来解释该器件的阻变开关现象和负微分电阻现象，利用Au/BTO界面间的施主型界面态对电子的俘获与去俘获模型完好的解释了该现象。在测试当中给予该器件上施加不同大小的正偏压，发现其电阻会相对应的呈现出连续变化的趋势。说明该器件也有着作为多级阻变存储器的潜能。将样品置于低温环境当中，利用Keithley2400对其进行I-V测试，发现在低温环境的情况下，该Au/BTO/FTO出现了整流特性反转的现象。而且经过试验证明这种现象是不可逆的。分析得出这种现象是与铁电本身的居里温度是密切相关的。在低温环境下，由于温度到达其居里温度，所以BTO薄膜的晶体结构发现了改变。因此在低温环境下会出现整流特性反转的现象。(本文来源于《河南大学》期刊2014-05-01）
霍新霞,张秀梅[10]（2014）在《B原子的掺杂对富勒烯C_(32)的电子传输特性与负微分电阻效应的影响》一文中研究指出采用基于密度泛涵理论的第一性原理和非平衡格林函数方法研究了硼原子的掺杂对于富勒稀C32分子的电子传输特性与负微分电阻效应的影响.结果显示硼原子的掺杂明显降低了C32分子的电子传输特性,却增强了分子的负微分电阻效应.分析认为,硼原子的掺杂减少了核外电子是导致分子的电子传输性能降低和负微分电阻效应增强的主要原因.本文还研究了掺杂的硼原子的个数多少对C32分子的影响.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2014年02期）
负微分电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用水热法以偏钒酸铵和硝酸制备水合五氧化二钒(V_2O_5·nH_2O)纳米带,采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射分析仪(XRD)及拉曼光谱分析仪(Raman Spectra)对产物进行表征,采用半导体特性分析仪测试以产物为沟道的场效应器件性能。结果表明:制得的V_2O_5·nH_2O纳米带宽100~150nm,厚约20nm,含水量n在0.5~1之间,具有类晶结构;器件具有N型负微分电阻(N-NDR)效应,与V_2O_5·nH_2O的双载流子导电及Poole-Frenkel发射相关。栅压为0~9V时,开关电压随栅压增大而升高,峰谷电流比变化小,期间,栅压为1V时电压跨度最大为0.61V。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负微分电阻论文参考文献
[1].韩布兴.基于Au@PPy核壳结构纳米粒子自组装阵列的可程序化负微分电阻效应研究[J].物理化学学报.2019
[2].张海连,李明澈,张敬慈,李四中.水热合成纳米V_2O_5·nH_2O及其负微分电阻器件[J].化工新型材料.2018
[3].谈征华,尹雪兵,杨蕊,郭新.基于Pt/WO_3/Pt器件的具有负微分电阻效应的易失性双极性电阻转变研究[C].第18届全国固态离子学学术会议暨国际电化学储能技术论坛论文集.2016
[4].黄川,邓迟.GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究[J].微电子学.2016
[5].邱深玉,万海青.基于非对称分子的全碳分子器件的负微分电阻及整流行为[J].南昌大学学报(理科版).2016
[6].徐公杰,李娜,陈镜.石墨烯纳米结构中负微分电阻效应研究[J].光学仪器.2015
[7].张军昌,钟留彪,江林.基于金纳米粒子与聚吡咯核壳复合材料的记忆存储器件中的可控负微分电阻效应[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件.2014
[8].秦书超,董瑞新,杜倩倩,王媛.ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性[J].微纳电子技术.2014
[9].杨光.钛酸钡薄膜的阻变开关现象和负微分电阻现象的研究[D].河南大学.2014
[10].霍新霞,张秀梅.B原子的掺杂对富勒烯C_(32)的电子传输特性与负微分电阻效应的影响[J].原子与分子物理学报.2014
论文知识图
