论文摘要
在超软赝势密度泛函理论基础上计算分析了TiO2基（100）晶面低维材料的形成、电子结构和光学性质。结果表明,TiO2基（100）晶面低维材料的形成焓大于TiO2块体材料的形成焓,其稳定性比TiO2块体材料低。TiO2基（100）晶面低维材料带隙为2. 760 eV,高于其体材料,其带隙为间接型。其价带顶和导带底主要分别由O p电子和Ti d电子形成,并且Ti的d电子和O的p电子在-2. 5 eV处有局域作用。TiO2基（100）晶面低维材料电子局域化程度增大,Ti和O之间的离子性结合程度增强。TiO2基（100）晶面低维材料在140. 8 nm处有最强的反射峰,其反射系数达23. 9%,其在34. 5 nm处有强的选择性吸收,并且在33. 3 nm和138. 9 nm处有最强的能量损失。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李凡生,余小英,唐文翰,房慧,王如志
关键词: 低维,电子结构,光学性质
来源: 人工晶体学报 2019年04期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 广西民族师范学院物理与电子工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院
基金: 国家自然科学基金(11347141),广西民族师范学院科研经费资助项目(2018YB002)
分类号: O614.411
DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.04.008
页码: 611-615+626
总页数: 6
文件大小: 276K
下载量: 66
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