导读:本文包含了电子束曝光机论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子束,光刻,纳米,密度,双晶,磁控溅射,能量。
电子束曝光机论文文献综述
尤春,刘维维[1]（2018）在《电子束曝光邻近效应修正研究》一文中研究指出随着半导体工业的不断发展,掩模上图形的尺寸也越来越小,邻近效应越来越严重,对邻近效应的修正也就越发重要、越发困难。主要介绍了邻近效应及其产生机理,并以Leica SB350电子束曝光机为手段,结合实验数据,使用PARAPROX软件建立PEC (proximity effect correction parameter files)文件,确定相应校正参数,对邻近效应进行修正,在实际应用中取得了较好的效果。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年10期）
吴文涛,王振亚,徐磊[2]（2016）在《基于NBL电子束曝光系统合轴研究》一文中研究指出详述了电子束曝光系统的原理、种类、系统的构成和合轴的原理,以及如何使NBL(微纳投影)电子束曝光系统更好、更快地进行合轴,从而使NBL电子束曝光机处于最佳工作状态。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2016年12期）
花涛,许伟伟,熊焰明,王青云,余辉龙[3]（2015）在《电子束曝光制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)纳米级桥宽双晶结》一文中研究指出传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa_2Cu_3O_(7-δ)双晶结,具有优良的电流-电压特性和微波响应特性.并分析60K温度下100纳米膜厚的双晶结微桥宽度的变化对结正常态电阻R_N、超导临界电流I_c、特征电压I_cR_N的影响规律.通过考虑结与外部微波电路的阻抗匹配、结检测太赫兹波灵敏度、超导电流大小对高次微波响应台阶影响以及结的特征电压四个因素,得到最佳的太赫兹波检测器中双晶结的微桥宽度为1微米左右.(本文来源于《低温物理学报》期刊2015年06期）
董磊[4]（2014）在《4700S电子束曝光机图形曝光模式及其应用》一文中研究指出通过对MEBES 4700S电子束曝光机不同图形曝光模式特性的比较和分析,得到其在160MHz和320MHz曝光像素频率和不同设计栅格尺寸下的适用范围,以利用MEBES 4700S生产具有期望精度值图形的掩模版,达到最佳的制版效果。(本文来源于《微处理机》期刊2014年05期）
赵珉,朱齐媛,陈宝钦,牛洁斌[5]（2013）在《新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究》一文中研究指出为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤过程中具体工艺条件的影响等方面对叁种新型抗蚀剂材料HSQ,Calixarene和ARN7520进行了电子束曝光性能的研究,同时也对叁者的优缺点进行了讨论。通过实验可知,叁种新型抗蚀剂均有小于50 nm的高曝光分辨率。HSQ与衬底有更好的附着力,具有较高的机械强度和对比度,在小面积密集图形的制作中具有较好的性能。而ARN7520具有较高的灵敏度,受电子束邻近效应的影响较小,更适合复杂版图的制作。Calixarene虽然也具有较高的曝光分辨率,但过低的灵敏度严重限制了其实用性。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年06期）
刘佳[6]（2013）在《电子束曝光技术及其在锂离子电池薄膜负极中应用的研究》一文中研究指出电子束曝光是一种重要的高分辨率微纳加工技术。电子束抗蚀剂的灵活性使得电子束曝光技术成为一种具有可设计性与可控制性的制备材料的新方法。本文主要研究了基于扫描电子显微镜（SEM）的电子束曝光基本工艺，重点研究了电子束曝光技术在锂离子电池薄膜负极材料制备中的应用，并首次利用电子束曝光结合磁控溅射镀膜技术制备了微纳尺寸的Al-Sn相间结构薄膜负极，采用类比的方法间接证明了新结构对电极循环性能的影响。本文首先研究了Si衬底材料电子束曝光图形的基本工艺，重点探讨了电子束流、抗蚀剂厚度和显影时间等参数的变化对曝光图形的影响规律。研究结果表明，大束流有利于提高电子束曝光的效率，同时也会使空间电荷效应明显，易导致分辨率下降。抗蚀剂越厚，电子束前向散射范围越大，曝光图形的分辨率越低，因此，薄的抗蚀剂有利于提高曝光图形的分辨率。但抗蚀剂极薄时，由于电子束可能会穿过抗蚀剂层直接进入衬底，从而导致抗蚀剂曝光剂量不足，造成图像失真。显影时间和显影温度对曝光图形也有很大的影响。在一定的显影温度下，显影时间过短显影不足，图像细节失真；显影时间过长则导致抗蚀剂过多溶解，分辨率降低。其次，采用电子束曝光技术并结合高真空溅射镀膜的方法，制备了Au量子点阵列。选用两种分子量不同的PMMA在衬底上涂覆双层抗蚀剂，通过曝光得到“上窄下宽”的底切结构。双层抗蚀剂方法不仅有利于曝光显影后抗蚀剂的去除，也利于得到深宽比较大的结构。本文所得到的Au量子点阵，阵点排列规整有序，阵点尺寸约250nm，周期1μm。最后，本文利用电子束曝光技术灵活可控的优点，首次将其与真空磁控溅射镀膜技术以及化学刻蚀的方法结合，设计制备了具有Al-Sn相间阵列结构的微型薄膜负极。巧妙地利用不同尺度活性物质的Sn-Cu薄膜负极性能对比来评估了相间阵列结构薄膜负极的优越性能。通过对Sn-Cu薄膜进行不同温度的退火处理，得到不同尺度的Sn-Cu薄膜负极材料，Sn-Cu薄膜负极材料中不同尺度活性物质相间分布的结构类似于Al-Sn排列相间的微结构。不考虑中间相化合物的影响，具有不同尺度活性物质相间排列结构的Sn-Cu薄膜负极具有更稳定的循环性能，从而类比推断，相间结构的存在对材料循环性能的改善有一定的积极作用。(本文来源于《华南理工大学》期刊2013-05-01）
师清[7]（2013）在《用纳米压印和电子束曝光技术构筑纳米电极》一文中研究指出纳米电极在纳米材料光电特性的研究、纳米电子学、纳米器件构筑等多个方面的应用中显示了独特的优势，得到了广大学者的密切关注。而随着纳米科技的发展，纳米材料和器件的特征尺寸逐渐趋于100nm以下，这样就要求有相应的100nm以下的电极来在纳米量级上研究材料的性质并实现更小尺寸器件的组装。然而，在纳米电极的制备上往往由于缺少低成本、大面积而又间距可控的方法而受到了很大的限制，这就在一定程度上限制了纳电子学的发展。因此，发展可达到上述要求的纳米电极的制备方法具有重要的科学意义。很多纳米加工技术在纳米电极的制备上都凸显了各自的优势，如直写灵活的电子束曝光技术（EBL）、可实现大面积制备的纳米压印技术（NIL）、能在特定点上沉积的聚焦离子束技术（FIB）、可实现任意分子直写的蘸笔印刷（DPN）等等。虽然上述的纳米加工技术均可实现较小尺寸的纳米电极的制备，但只有纳米压印技术在制备低成本、大面积和较高分辨率的纳米电极中有突出的优势，并有望在未来得到很大的发展。而且电子束曝光技术以其图形设计的灵活性也将在纳米电极的制备上发挥重要的作用。因此，根据这些现状和实验室的具体条件，本文分别利用纳米压印技术和电子束曝光技术制备了结构不同的纳米电极，其中最小尺寸做到了70nm。将纳米压印技术和双层胶剥离技术结合制备了间距可调的纳米电极，得到了在显影浓度一定的情况下纳米电极的间距随着显影时间的增加而减小的结论；并用电子束曝光技术制备具有不同间距和不同结构的纳米电极。主要内容分为以下叁个部分：一、PMMA单层胶纳米压印法制备纳米电极。纳米压印过程所用的电极模板由四种不同间距（100nm、200nm、400nm、800nm）的结构组成，线宽为300nm，模板结构高度为170nm。实验中首先以厚度为200nm左右的单层聚丙烯酸甲酯（PMMA）光刻胶作为阻挡层旋涂在干净的Si基底上，利用纳米压印系统在PMMA聚合物上形成电极模板负型结构，经RIE刻蚀去残胶、Ti/Au金属沉积和丙酮剥离之后得到与模板结构相似的四种纳米电极。这四种电极的间距受压印和RIE过程的影响都有少量的缩小，但它只是简单的对模板的复制，其间距与线宽受到模板的限制并不能得到有效的调控；而且这种方法制备的电极由于其阻挡层厚度较小加之一些后续的处理使得其制备的电极金属层高度较低（23nm左右），应用于纳米材料的实际测试中探针很容易将金属层刮伤，而且金属剥离的过程较困难。二、SF5/PMMA双层胶纳米压印法制备纳米电极。针对单层胶纳米压印法制备电极的过程中存在的金属剥离较为困难、金属层厚度较低以及电极结构依赖模板等问题。第二部分的实验中引进了用于剥离的光刻胶SF5（lift off resist，LOR），这种光刻胶在金属剥离过程、“undercut（SF5层结构侧壁与PMMA层结构侧壁之间的距离）”控制、高分辨率、简化工艺等方面拥有较强的优势。具体过程如下：首先是将SF5光刻胶旋涂于干净的基底上作为剥离层，再在其上旋涂一层PMMA光刻胶作为纳米压印的阻挡层；利用纳米压印系统在其上形成电极模板的负型结构；经过RIE氧离子刻蚀去残胶（PMMA）和TMAH溶液显影SF5之后在其上溅射一层金属Ti和Au，将样品放入N-2甲基吡咯烷酮溶液中进行金属剥离过程后得到了高度约140nm、漏电流为10-14A左右的纳米电极。实验中通过控制TMAH显影条件可以有效的调节undercut的大小，当undercut的大小发生变化时，最终制备的纳米电极的线宽也将发生变化，发现在显影浓度不变的情况下纳米电极的线宽随着显影时间的增加而增加，间距随显影时间的增加而减小；同时这种方法可以提高整个聚合物层的纵宽比，这就解决了单层胶纳米压印制备电极过程中金属层较薄和剥离过程困难的问题。因此，这种方法制备的纳米电极的结构不完全依赖于模板，可以对其线宽和间距做到一定程度的调节。叁、EBL技术制备纳米电极。虽然第二种制备方法可以调控纳米电极的线宽和间距，但却无法调控电极的整体结构和周期，所以上述两种方法制备的纳米电极的结构都受到了模板的一些限制。电子束曝光技术（EBL）则可以任意设计图形而不会受到模板的限制，因此这部分实验则是将EBL技术引入到纳米电极的制备中，得到了周期和线宽不同的纳米电极。主要分为基底准备（两种基底：PMMA光刻胶基底和PMMA/SF5双层胶基底）、图形设计、图形直写、显影（PMMA的显影或者PMMA显影和SF5显影）、去残胶、金属沉积、金属剥离等7个环节。这种方法制备的电极的线宽可以从900nm做到500nm，间距可以从微米量级做到70nm，结构可以根据需要设计。(本文来源于《河南大学》期刊2013-05-01）
孔祥东,韩立,初明璋,薛虹[8]（2011）在《基于电子束曝光的微区加热技术》一文中研究指出提出了基于电子束曝光的微区加热技术.在研究样品吸收能量密度的基础上,在FEI820 Dual Beam FIB/SEM系统上对30 keV电子束曝光Pb、Bi、Sn、Al金属薄膜以及15 keV电子束曝光S1805正性抗蚀剂微结构时的微区加热效应进行了实验研究.结果表明,在一定的曝光剂量下样品表面出现了熔化现象,证明采用电子束曝光可以使某些材料微小区域表面达到相变温度或熔点以上,为使用电子束曝光技术完成某些材料的微纳区域表面热处理以及制备具有光滑曲面的微结构提供了新途径.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2011年05期）
孔祥东,韩立,初明璋,李建国[9]（2011）在《电子束曝光制备光滑曲面微结构》一文中研究指出提出了一种基于电子束曝光制备光滑曲面微结构的新技术。对聚合物玻璃转化温度与分子量之间的关系、分子量与电子束吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现聚合物玻璃转化温度随吸收能量密度的增加而减小。以此为依据,在FEI820Dual Beam FIB/SEM系统上采用15keV、不同剂量的电子束对S1805正性抗蚀剂微结构进行了曝光实验,得到了具有不同高度、轮廓清晰的光滑曲面微结构,为使用电子束曝光技术加工光滑曲面微结构提供了新工艺。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2011年07期）
殷伯华,方光荣,刘俊标,靳鹏云,薛虹[10]（2010）在《小型微纳米图形电子束曝光制作系统(英文)》一文中研究指出为了满足科学实验过程中对制作半导体器件和微纳米结构的需要,同时避免受到昂贵的工业级电子束曝光(electron beam lithography,EBL)机的条件制约,构建了一种基于普通扫描电子显微镜(scanning electron microsco-py,SEM)的桌面级小型电子束曝光系统.建立了以浮点DSP为控制核心的高速图形发生器硬件系统.利用线性计算方法实现了电子束曝光场的增益、旋转和位移的校正算法.在本曝光系统中应用了新型压电陶瓷电机驱动的精密位移台来实现纳米级定位.利用此位移台所具有的纳米定位能力,采用标记追逐法实现了电子束曝光场尺寸和形状的校准.电子束曝光实验结果表明,场拼接及套刻精度误差小于100 nm.为了测试曝光分辨率,在PMMA抗蚀剂上完成了宽度为30 nm的密集线条曝光实验.利用此系统,在负胶SU8和双层PMMA胶表面进行了曝光实验;并通过电子束拼接和套刻工艺实现了氮化物相变存储器微电极的电子束曝光工艺.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2010年04期）
电子束曝光机论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
详述了电子束曝光系统的原理、种类、系统的构成和合轴的原理,以及如何使NBL(微纳投影)电子束曝光系统更好、更快地进行合轴,从而使NBL电子束曝光机处于最佳工作状态。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子束曝光机论文参考文献
[1].尤春,刘维维.电子束曝光邻近效应修正研究[J].电子与封装.2018
[2].吴文涛,王振亚,徐磊.基于NBL电子束曝光系统合轴研究[J].电子工业专用设备.2016
[3].花涛,许伟伟,熊焰明,王青云,余辉龙.电子束曝光制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)纳米级桥宽双晶结[J].低温物理学报.2015
[4].董磊.4700S电子束曝光机图形曝光模式及其应用[J].微处理机.2014
[5].赵珉,朱齐媛,陈宝钦,牛洁斌.新型抗蚀剂的电子束曝光性能研究[J].半导体技术.2013
[6].刘佳.电子束曝光技术及其在锂离子电池薄膜负极中应用的研究[D].华南理工大学.2013
[7].师清.用纳米压印和电子束曝光技术构筑纳米电极[D].河南大学.2013
[8].孔祥东,韩立,初明璋,薛虹.基于电子束曝光的微区加热技术[J].纳米技术与精密工程.2011
[9].孔祥东,韩立,初明璋,李建国.电子束曝光制备光滑曲面微结构[J].微纳电子技术.2011
[10].殷伯华,方光荣,刘俊标,靳鹏云,薛虹.小型微纳米图形电子束曝光制作系统(英文)[J].纳米技术与精密工程.2010
论文知识图
