论文摘要
调节自配抛光液的H2O2含量、p H值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着p H值、H2O2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10. 5、H2O2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:p H值为10. 5、H2O2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635. 2 nm/min,表面粗糙度达到4. 01 nm。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李庆忠,孙苏磊,李强强
关键词: 雾化互抛抛光,抛光参数,电化学,抛光速率
来源: 硅酸盐通报 2019年08期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 江南大学机械工程学院
基金: 国家自然科学基金(51175228)
分类号: O786
DOI: 10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.08.005
页码: 2369-2374+2383
总页数: 7
文件大小: 300K
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