导读:本文包含了阈值电压论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:阈值,电压,沟道,器件,磁控溅射,效应,误码率。
阈值电压论文文献综述
辛艳辉,段美霞[1]（2019）在《一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型》一文中研究指出提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,分别求解了前背栅表面势、前背栅表面电场及前背栅阈值电压,建立了双栅器件的表面势、表面电场和阈值电压解析模型.详细讨论了物理参数对解析模型的影响.研究结果表明,该器件能够很好的抑制短沟道效应、热载流子效应和漏致势垒降低效应.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好,证明了该模型的正确性.(本文来源于《电子学报》期刊2019年11期）
黄勇,关肖飞,张立文,李月华,王新林[2]（2019）在《一种补偿阈值电压和迁移率变化的像素电路设计》一文中研究指出本文通过对数据输入阶段的时序进行调整,改进了一种适用于低温多晶硅薄膜晶体管的电压编程型像素电路,用来得到稳定的驱动电流。该像素电路由4个开关薄膜晶体管,1个驱动薄膜晶体管,2个电容和2条控制线组成。理论分析表明,该电路不仅能补偿驱动管阈值电压的变化,而且能补偿驱动管迁移率的变化。仿真结果表明,驱动管的阈值电压变化±0.5 V时,驱动电流变化约为9%,驱动管的迁移率变化±30%时,驱动电流变化约为6%,因此,本电路达到了稳定驱动电流的效果。(本文来源于《智能计算机与应用》期刊2019年05期）
王欣,孙中灿,秦斌[3]（2019）在《基于模糊推理的城轨超级电容电压阈值动态设定》一文中研究指出以超级电容储能系统电压阈值为研究对象,对比、分析了不同电压阈值充放电控制策略。在此基础上分析了城轨交通的双边超级电容储能系统的电压阈值问题,并提出基于模糊推理的城轨超级电容电压阈值动态设定方法,动态地设定充放电电压阈值。最后通过仿真实验,验证了基于模糊推理的城轨超级电容电压阈值设定可行性。(本文来源于《智慧电力》期刊2019年07期）
范正勤,韩国军[4]（2019）在《多电平闪存信道下阈值电压高效检测算法》一文中研究指出针对高密度NAND闪存阈值电压检测时读操作带来的时延问题,提出一种改进的低时延重读机制。首先,基于电压重迭区原始误码率的分布特性,引入叁分法的思想以逐步降低电压检测的范围。其次,该方案每一次缩小电压检测范围时只需要更新一次读操作。仿真结果表明相对于传统的重读机制,该优化方案不仅可以保证数据存储的可靠性,同时也极大地降低读时延。(本文来源于《应用科技》期刊2019年05期）
许奇[5]（2019）在《基于VOPc的低阈值电压OTFT的制备与性能研究》一文中研究指出在当前快速发展的显示领域里,有机薄膜晶体管已成为最新一代柔性显示技术的核心。如何降低有机薄膜体的阈值电压,提高器件的稳定性已成为当前研究的重要课题。本文研究如何降低酞菁氧钒(VOPc)有机薄膜晶体管的阈值电压,在用酞菁氧钒作为有机薄膜体晶管材制备中的材料时,诸如有机半导体材料薄膜结晶性较差的问题,用不同材料作为有机薄膜晶体管的修饰层和用BP2T分子作为异质外延层材料作为界面修饰,并对比界面形貌的变化。改善有机半导体薄膜形貌和结晶性以降低阈值电压。通过原子力显微镜(AFM)图谱和X射线衍射(XRD)图谱对酞菁氧钒薄膜测量来对比分析不同界面修饰后对器件I-V特性的影响。这些结论有利于以后有机半导体薄膜的生长以及有机薄膜晶体管的性能的提升。论文主要包括以下两个方面:(1)研究界面修饰OTS对薄膜形貌和器件性能的影响:直接在绝缘层生长的VOPc以及OTS-18修饰后生长的VOPc。OTFTs均采用带有SiO_2绝缘层的重掺杂n型硅片作为衬底,制备的器件的结构均为底栅顶接触型结构器件,对已制备的两组VOPc薄膜进行了原子力显微镜(AFM)表征测试。主要针对界面修饰后的VOPc薄膜与未进行修饰的VOPc薄膜进行测试分析,从而研究界面修饰后对VOPc薄膜形貌生长的影响。实验结果表明VOPc薄膜经过OTS-18修饰后可以形成较为连续的晶型,VOPc形貌更为平整,晶体更大,晶体间界减少。分别对各组器件的OFET转移特性曲线分别进行测试和分析,发现该器件经过OTS-18修饰后更有利于载流子的产生和传输,阈值电压显着降低,可以有效的提高器件的性能。(2)研究异质外延层对薄膜形貌和器件性能的影响:使用酞菁氧钒(VOPc)通过二次提纯后用于当为有机半导体层的材料,分别通过真空沉积技术将BP2T小分子沉积在绝缘层表面上,形成2nm、2.5nm、3nm厚度的BP2T薄膜。继续沉积20nm的VOPc薄膜在BP2T薄膜表面上,BP2T修饰层与VOPc有缘层形成同质结的修饰层结构,与单层的酞菁氧钒薄膜进行形貌对比分析。通过对比我们可以知道,BP2T修饰层确实可以改善其上生长的VOPc薄膜形貌,经过在BP2T上诱导生长的VOPc,形貌上可以看到BP2T上的VOPc形貌更为平整,晶体较大,晶体间界减少,其中经过BP2T 3nm修饰后薄膜的表面VOPc形貌最为平整,晶体最大,晶体间界最少。并对每组器件的OFET转移特性曲线分别进行测试和分析,可以发现,其中当修饰层为BP2T 2.5nm和3nm时,最有利于载流子的产生和传输,阈值电压最低。说明异质外延生长时,底层BP2T覆盖满一层时有利于提高器件的性能,降低阈值电压,其原因是界面修饰能有效提高晶体尺寸,进而降低薄膜内部的陷阱。(本文来源于《长春理工大学》期刊2019-06-01）
胡伟,安文婷,袁甲[6]（2019）在《一种近阈值电压标准单元特征化建库方法》一文中研究指出面向近阈值电压下库单元的实际使用情况,针对传统库文件查找表误差较大的问题,提出了一种近阈值电压下对标准单元的特征化建库方法.通过对标准单元实际应用情况的分析,重新界定了查找表的边界;通过分析电路综合结果与电路仿真结果的相对误差,重新确定了查找表的规模;从而提高了近阈值电压下标准单元库准确性.该方法对smic55nmCMOS工艺的库文件在0.6 V电压下特征化建库,并进行误差评估,结果表明,该方法相较于传统方法建立的库文件,准确性提高了16%～63.51%,减小了查找表误差,有效提高了库文件的准确性.(本文来源于《湖南大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
万璐绪,杨建国,柯导明,吴笛,杨菲[7]（2019）在《高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模》一文中研究指出文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO_2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化, DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型.(本文来源于《中国科学:信息科学》期刊2019年03期）
梁彬之[8]（2019）在《Ge MOS器件阈值电压模型及ZrLaON栅介质研究》一文中研究指出随着集成电路的发展,MOS器件持续等比缩小,Si基MOS器件已经逐渐接近其物理极限,而Ge材料由于比Si具有更高的电子和空穴迁移率,成为了非常具有应用前景的衬底材料,其MOS器件受到了国内外研究者的广泛关注。目前阻碍Ge基MOSFET进入实际应用的关键问题之一是Ge衬底与高k栅介质之间的界面质量。本论文从理论和实验方面开展了Ge MOS器件的相关研究工作。理论方面,建立了考虑边缘电容效应的迭层高k栅介质全耗尽GeOI pMOSFET的阈值电压模型;实验方面,围绕Zr基二元氮氧化物高k栅介质以及NH_3等离子体处理对器件界面特性和电学特性的改善作用展开研究。理论方面,通过求解二维泊松方程,并考虑栅电极对源漏区产生的边缘电容,得到了考虑短沟道效应和边缘场效应的迭层高k栅介质GeOI pMOSFET的阈值电压模型,模型计算结果与实验数据呈现较好的吻合。模拟结果表明,减小漏源电压、降低介电常数(EOT不变)、减薄沟道厚度等均可以抑制器件的边缘场效应;增加界面钝化层、减薄沟道厚度和提高沟道掺杂浓度可以抑制小尺寸器件的短沟道效应。实验方面:(1)制备了ZrON、ZrTaON、ZrAlON和ZrLaON分别作为高k栅介质的Ge MOS电容,分析了ZrON中掺不同元素对Ge MOS界面特性和电学特性的影响。实验结果表明,Ta、Al、La的掺入均可以抑制界面处GeO_x的生成,改善界面质量,其中La的掺入获得了最优的界面特性和电学性能:低的界面态密度D_(it)(2.08×10~(12)eV~(-1)cm~(-2))、小的频率色散和低的栅极漏电流密度J_g(2.85×10~-44 A/cm~2@V_g=V_(fb)+1 V)。(2)在(1)的基础上,制备了不同La含量的ZrLaON/Ge MOS电容,进一步分析了La含量对ZrLaON/Ge界面的影响,并研究了NH_3等离子体处理对高k栅介质/Ge界面特性的改善作用。实验结果表明,适量La的掺入可以减小ZrLaON栅介质薄膜的粗糙度,有效改善器件的界面质量和电特性;过量La的掺入反而会增加栅介质薄膜的粗糙度,恶化器件性能。另一方面,通过NH_3等离子体进行表面处理,可提高介质的k值,降低等效氧化物电荷密度、界面态密度以及栅极漏电,进一步减少界面缺陷,改善Ge MOS器件的界面质量和电学特性。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-01-01）
张姚,易茂祥,王可可,吴清焐,丁力[9]（2018）在《一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法》一文中研究指出目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一。但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起时序违规。通过找到电路的潜在关键路径集合,运用协同优化算法,将关键路径集合上的门替换为低阈值电压类型,实现了一种考虑功耗约束的多阈值电压方法。基于45nm工艺模型及ISCAS85基准电路的仿真结果表明,在一定功耗约束下,该方法的时延改善率最高可达12.97%,明显优于常规多阈值电压方法。电路的规模越大,抗泄漏功耗的效果越好。(本文来源于《微电子学》期刊2018年06期）
刘城,王爱记,刘自瑞,刘建强,毛海央[10]（2019）在《高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法》一文中研究指出实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射的方式沉积TiAl薄膜,通过优化直流功率、射频功率和反应压强工艺参数,实现了对薄膜Ti/Al原子比率的调节,提高了Ti/Al原子比率分布均匀度。基于实验结果,采用后栅工艺流程制造HKMG NMOSFET,讨论不同的Ti/Al原子比率和TiAl层厚度对NMOSFET阈值电压的影响。Ti/Al原子比率增大10%,NMOSFET的阈值电压增加12.6%;TiAl层厚度增加2 nm,NMOSFET的阈值电压下降19.5%。这种方法已经被成功应用于HKMG器件的生产。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年01期）
阈值电压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文通过对数据输入阶段的时序进行调整,改进了一种适用于低温多晶硅薄膜晶体管的电压编程型像素电路,用来得到稳定的驱动电流。该像素电路由4个开关薄膜晶体管,1个驱动薄膜晶体管,2个电容和2条控制线组成。理论分析表明,该电路不仅能补偿驱动管阈值电压的变化,而且能补偿驱动管迁移率的变化。仿真结果表明,驱动管的阈值电压变化±0.5 V时,驱动电流变化约为9%,驱动管的迁移率变化±30%时,驱动电流变化约为6%,因此,本电路达到了稳定驱动电流的效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
阈值电压论文参考文献
[1].辛艳辉,段美霞.一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型[J].电子学报.2019
[2].黄勇,关肖飞,张立文,李月华,王新林.一种补偿阈值电压和迁移率变化的像素电路设计[J].智能计算机与应用.2019
[3].王欣,孙中灿,秦斌.基于模糊推理的城轨超级电容电压阈值动态设定[J].智慧电力.2019
[4].范正勤,韩国军.多电平闪存信道下阈值电压高效检测算法[J].应用科技.2019
[5].许奇.基于VOPc的低阈值电压OTFT的制备与性能研究[D].长春理工大学.2019
[6].胡伟,安文婷,袁甲.一种近阈值电压标准单元特征化建库方法[J].湖南大学学报(自然科学版).2019
[7].万璐绪,杨建国,柯导明,吴笛,杨菲.高k+SiO_2栅FD-SOIMOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模[J].中国科学:信息科学.2019
[8].梁彬之.GeMOS器件阈值电压模型及ZrLaON栅介质研究[D].华中科技大学.2019
[9].张姚,易茂祥,王可可,吴清焐,丁力.一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法[J].微电子学.2018
[10].刘城,王爱记,刘自瑞,刘建强,毛海央.高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法[J].微纳电子技术.2019
论文知识图
