论文摘要
垂直腔面发射激光器（vertical cavity surface emitting lasers,VCSELs）和异质结双极型晶体管（heterojunction bipolar transistor, HBT）都是纵向电流器件,可以集成在同一外延片上,通过HBT基极电流调制VCSELs的输出光功率.本文设计了一种VCSELs与HBT集成结构,该结构包括VCSELs和PNP In Ga P/Ga As HBT,为直接串联结构,并利用PICS3D软件模拟了该集成结构的电光特性.为了模拟能够顺利进行,在模型中加入了过渡集电极.首先将HBT导通,电流由发射极流向过渡集电极,然后增大过渡集电极与N型电极之间的电压,使VCSELs导通且把过渡集电极的电流降为零.由于过渡集电极的电流为零,在实际结构中可以将其移除.模拟结果表明,当电流增益系数为400时,基极电流对输出光功率的最大调制率达到280 mW/m A.本文所设计的集成结构及其模拟方法对光电集成器件（opto-electronic integrated circuit,OEIC）具有一定的指导作用.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周广正,李颖,兰天,代京京,王聪聪,王智勇
关键词: 垂直腔面发射激光器,异质结双极型晶体管,光电集成
来源: 物理学报 2019年20期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 北京工业大学激光工程研究院
分类号: TN322.8;TN248
页码: 129-135
总页数: 7
文件大小: 1435K
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