粒子入射条件对28 nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究

论文摘要

利用器件仿真工具TCAD,建立28 nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28 nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律。结果表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集,增强电荷共享效应,影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小;SRAM单元内不同敏感节点的翻转阈值不同,粒子LET值和入射角度的改变会对SRAM单元的单粒子翻转造成影响;LET值和粒子入射位置变化时,多个SRAM单元发生的单粒子多位翻转的位数和位置也会变化。

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类型: 期刊论文

作者: 金鑫,唐民,于庆奎,张洪伟,梅博,孙毅,唐路平

关键词: 器件仿真,单粒子效应,电荷共享,多位翻转

来源: 电子与封装 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑

专业: 航空航天科学与工程,无线电电子学

单位: 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部,国防科技大学

分类号: V443;TN403

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0609

页码: 32-40

总页数: 9

文件大小: 3440K

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标签：器件仿真论文;  单粒子效应论文;  电荷共享论文;  多位翻转论文;