磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）

论文摘要

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO （GZO）/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR（IF和IR分别表示正向和反向电流）已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。

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类型: 期刊论文

作者: 何波,徐静,宁欢颇,邢怀中,王春瑞,张晓东,莫观孔,沈晓明

关键词: 纳米晶,双层膜,磁控溅射,异质结,电流电压特性

来源: 红外与毫米波学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 东华大学应用物理系,挪威能源技术研究所,上海大学分析测试中心,广西大学资源环境与材料学院

基金: Supported by Fund PLA General Armament Department",The 15th Five-year",weapons and Equipments Pre-research Field Fundation",Bas-ic application technology of graphene materials in batteries",(6140721040412)

分类号: TB383.2

页码: 44-49

总页数: 6

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