导读:本文包含了硬磁畴论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:布洛赫,内场,哑铃,脉冲,临界,论文,磁畴。
硬磁畴论文文献综述
赵淑梅,蔡丽景[1]（2012）在《磁泡材料中硬磁畴与物性的关系》一文中研究指出利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2012年02期）
李海涛,尹世忠,顾建军,胡云志,赵淑梅[2]（2009）在《温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响》一文中研究指出实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中叁类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了叁类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年06期）
尹世忠,孙会元[3]（2009）在《立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响》一文中研究指出实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的叁类硬磁畴(普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ID)和第Ⅱ类哑铃畴(IID))畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。(本文来源于《河北科技大学学报》期刊2009年03期）
胡云志[4]（2009）在《石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为》一文中研究指出磁畴和磁畴壁物理的研究,一直是磁学领域的重要内容。而石榴石磁泡薄膜中硬磁畴行为的研究,无论是对超高密度布洛赫线存储器的研制,还是对磁畴壁物理的发展都具有非常重要的意义。面内场和温度都是影响硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(vertical Bloch line,简写为VBL)特性的重要因素。本文详细的实验研究了硬磁畴的行为与硬化脉冲偏场、面内场和温度的关系。得到的主要结果如下:1.实验研究了液相外延石榴石磁泡薄膜中哑铃畴的动态特性与硬化脉冲偏场的关系。发现用系列脉冲法产生的哑铃畴,其旋转方向与硬化脉冲宽度(τ_p)_h有关。在窄硬化脉冲宽度(τ_p)_h下形成的哑铃畴全部逆时针旋转;随着(τ_p)_h的增加,开始出现顺时针旋转的哑铃畴,即所谓的混合区域;进一步增加(τ_p)_h,哑铃畴全部顺时针旋转。而硬化脉冲幅度(H_p)_h和硬化脉冲次数(n_p)_h对哑铃畴的旋转方向没有影响。用低直流偏场法产生的哑铃畴,其旋转方向则与直流偏场H_b有关。在零偏场下,由枝状畴收缩成的哑铃畴全部逆时针旋转;随着H_b的增加,出现顺时针旋转的哑铃畴,即混合区域;当H_b进一步增加时,哑铃畴全部顺时针旋转。其旋转方向与硬化脉冲宽度(τ_p)_h、硬化脉冲幅度(H_p)_h和硬化脉冲次数(n_p)_h无关。对比固定直流偏场下的系列脉冲偏场法和低直流偏场法形成的硬磁畴的转动行为,认为脉冲偏场的下降沿起主要作用时,对应负VBL的形成;上升沿起主要作用时,对应正VBL的形成。2.实验研究了经面内场作用后的哑铃畴的动态特性,发现面内场对哑铃畴的初始状态没有影响,即VBL部分消失后,硬磁畴仍保持其原来的转动方向。由此证明了面内场不影响VBL的符号,并进一步支持了VBL成对消失的观点。3.实验研究了面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜中叁类硬磁畴(普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴)的影响,发现叁类硬磁畴存在一个相同的临界面内场范围[H_(ip)~1,H_(ip)~2]。纠正了(H_(ip)~1)_(ⅡD)<(H_(ip)~1)_(ⅠD)<(H_(ip)~1)_(OHB)的结论,并对此给出了解释。4.实验研究了直流偏场整形和温度交替作用对叁类硬磁畴畴壁中VBL链的影响。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使VBL链解体的临界温度范围[T_1,T_2]。这里T_1是畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度,T_2是畴壁中VBL链完全解体的最小临界温度。对于叁类硬磁畴而言,T_1是相同的,亦即畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度与畴壁中VBL的数目无关;而T_2则随VBL的数目增加而变大。进一步证明了温度作用下,硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的。证明了VBL的消失与硬磁畴的硬度无关,否定了Haisma等人的“较硬的硬磁泡比较容易损失VBL”的结论。(本文来源于《河北师范大学》期刊2009-04-06）
胡云志,孙会元[5]（2009）在《面内场对叁类硬磁畴的影响》一文中研究指出采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中叁类硬磁畴的影响.得到面内场作用下叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且叁类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案.(本文来源于《物理学报》期刊2009年02期）
顾建军,李春光,孙会元[6]（2007）在《软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系》一文中研究指出研究了软畴段的分界面内场与叁类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现,在相同温度下,软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相等的。此外,我们还把硬磁畴的起始软化面内场随温度变化的关系曲线与材料的饱和磁化强度随温度变化的关系曲线进行了比较,得出了一些新的结论。(本文来源于《承德石油高等专科学校学报》期刊2007年04期）
李秀玲,王丽娜,郭革新,李静[7]（2007）在《面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响》一文中研究指出实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2007年02期）
贾莲芝,顾建军,封顺珍,孙会元[8]（2004）在《硬磁畴动态特性的进一步研究》一文中研究指出实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2004年06期）
郭革新,徐建萍,何文辰[9]（2004）在《石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法》一文中研究指出研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .(本文来源于《物理实验》期刊2004年05期）
贾莲芝[10]（2004）在《硬磁畴畴壁中均匀旋转模型以及正负VBL模型的实验研究》一文中研究指出本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中叁类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化关系，并详细研究了不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系。 首次实验发现普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID)的畴长随直流偏场的变化规律非常相似，均存在一个特征直流偏场(H_b)_t，当H_b＜(H_b)_t时，畴长随直流偏场的变化呈无规律状态，亦即畴长随直流偏场的变化与硬磁畴畴壁中所含垂直布洛赫线(VBL)数目无关；而当H_b＞(H_b)_t时，畴长随直流偏场的变化表现出很好的规律性。结合缩灭场的测量发现，硬度越高，亦即含垂直布洛赫线(VBL)数目越多的硬磁畴其畴长越长。从而，第一次从实验上很好的验证了均匀旋转模型的合理性，并从实验上明确了H_b＞(H_b)_t是均匀旋转模型的适用范围，而且对于叁类硬磁畴均适用。 通过对不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系的研究发现，畴长相同的哑铃畴，因旋转方向不同而表现出不同的静态特性，顺时针转动的哑铃畴和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同。对于ID来说，顺时针转动的ID其成泡场低于逆时针转动的ID，但缩灭场与之相反。对于IID而言，顺时针转动的IID其缩灭场高于逆时针转动的IID。结合J．C．Slonczewski的关于正、负布洛赫线模型，对实验现象进行了分析。并首次对该模型提供了实验支持。(本文来源于《河北师范大学》期刊2004-05-25）
硬磁畴论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中叁类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了叁类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了叁类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硬磁畴论文参考文献
[1].赵淑梅,蔡丽景.磁泡材料中硬磁畴与物性的关系[J].河北师范大学学报(自然科学版).2012
[2].李海涛,尹世忠,顾建军,胡云志,赵淑梅.温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版).2009
[3].尹世忠,孙会元.立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响[J].河北科技大学学报.2009
[4].胡云志.石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为[D].河北师范大学.2009
[5].胡云志,孙会元.面内场对叁类硬磁畴的影响[J].物理学报.2009
[6].顾建军,李春光,孙会元.软畴段的分界面内场与硬磁畴临界面内场关系[J].承德石油高等专科学校学报.2007
[7].李秀玲,王丽娜,郭革新,李静.面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版).2007
[8].贾莲芝,顾建军,封顺珍,孙会元.硬磁畴动态特性的进一步研究[J].河北师范大学学报.2004
[9].郭革新,徐建萍,何文辰.石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法[J].物理实验.2004
[10].贾莲芝.硬磁畴畴壁中均匀旋转模型以及正负VBL模型的实验研究[D].河北师范大学.2004
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