导读:本文包含了硅硅键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:固定流导元件,微通道,硅直接键合,铟封接
硅硅键合论文文献综述
姜彪,于振华,甘婧,王永健,孟冬辉[1]（2019）在《铟封接和硅硅键合技术制作微通道型固定流导元件》一文中研究指出提出了一种制作微通道型固定流导元件的方法,即基于硅硅直接键合将刻蚀深度约为1μm的沟槽结构密封成微通道,利用铟熔融封接技术使其与金属法兰结合构成通道型固定流导组件,使用氦质谱检漏仪对其漏率测试。测量结果表明,固定流导元件的流导测量值与理论计算值接近,相对误差不超过22.2%。氦气作为测量气体时,固定流导元件能够从高真空到30000 Pa压强下实现分子流状态,即流导恒定。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年04期）
杨乐,张亚[2]（2019）在《基于硅硅键合的电容式微超声波换能器设计与测试》一文中研究指出通过测试电容值的变化来分析电容式微超声波换能器(CMUT)的发射性能。介绍了CMUT的工艺过程,关键工艺为硅硅键合。利用硅硅键合工艺制作的CMUT误差小、工艺流程简单且能进行量产。利用E4990A阻抗分析仪测试CMUT电容值得到CMUT初始电容值为680 p F,阵列内电容值一致性良好,误差为0. 62 p F,并对所设计的CMUT进行带宽测试,得出其在-6 d B时归一化带宽为200%,远远优于现有的传感器。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年02期）
李颖,张治国,郑东明,梁峭,张哲[3]（2017）在《基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究》一文中研究指出硅压阻压力传感器核心部件一般是由单晶硅和玻璃组成的微结构,由于单晶硅和玻璃的材料特性存在差异,在制造过程中会引入封装应力对传感器的性能产生不利影响。采用硅硅键合技术制造压力传感器核心部件的微结构,以同质材料替代异质材料实现器件的封装,可有效减少封装应力,提升压力传感器的性能。文中通过结合硅压阻压力敏感芯片的制造工艺和硅硅键合工艺,实现了敏感芯片与硅衬底间的硅硅键合,键合强度达到体硅强度。研制的差压型压力敏感芯片装配成传感器的零点温度漂移下降60%,静压误差下降约1个数量级。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2017年05期）
管朋,展明浩[4]（2014）在《基于聚合物介质的低温硅硅键合研究》一文中研究指出聚合物低温键合技术是MEMS器件圆片级封装的一项关键技术。以苯并环丁烯(BCB)、聚对二甲苯(Parylene)、聚酰亚胺(Polyimide)、有机玻璃(PMMA)作为键合介质,对键合的温度、压力、气氛、强度等工艺参数进行了研究,并分析了其优缺点。通过改变Parylene的旋涂、键合温度、键合压力、键合时间等工艺参数进行了优化实验。结果表明,在230℃的低温键合条件下封装后的MEMS器件具有良好的键合强度(>3.600 MPa),可满足MEMS器件圆片级封装要求。(本文来源于《电子科技》期刊2014年09期）
赵璐冰,徐静,钟少龙,李绍良,吴亚明[5]（2014）在《MEMS光敏BCB硅—硅键合工艺研究》一文中研究指出光敏BCB作为粘结介质进行键合工艺实验研究。实验中选用XUS35078负性光敏BCB,提出了优化的光刻工艺参数,得到了所需要的BCB图形层,然后将两硅片在特定的温度与压力条件下完成了BCB键合。测试表明:该光敏BCB具有较小的流动性和较低的塌陷率。键合后的BCB胶厚约为11.6μm,剪切强度为18MPa,He细检漏率小于5.0×10-8atm·cm3/s。此键合工艺可应用于制作需要低温工艺且不能承受高电压的MEMS器件。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2014年08期）
卓锐[6]（2012）在《基于等离子活化硅硅键合的微模具制备工艺研究》一文中研究指出硅硅直接键合SDB（Silicon Direct Bonding）技术是晶圆键合技术中发展最迅速的新型微机械加工技术，在微型传感器和执行器制备中有着越来越广泛的应用。SDB有众多优点：两键合硅片的晶向、导电类型、电阻率不受限制；键合层没有中间层，且材料热膨胀系数一致，键合界面不会因为温度的变化产生内应力；能形成各种微结构、行腔及薄膜等。随着对MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）器件中带有高性能的复杂硅微结构的需求越来越大，开发出适合实际生产、高效、高精度的硅微模具加工工艺方法就成为MEMS器件微成形领域的关键问题。非晶合金材料在过冷液态区的超塑性成形能力和复制能力，在当前MEMS及众多领域展示出极大的应用前景，其中，硅微模具是非晶合金成形大批量生产MEMS器件的理想模具。本文利用SDB与深硅刻蚀等技术相结合，进行大量的实验研究，提出了制备二维及叁维硅微模具的工艺技术，具体工作与成果如下：1.系统等离子活化的SDB工艺研究，得到高强度、高键合率稳定的键合体。同时深入研究了键合界面产生缺陷的机理，证明了减少活化时间，能有效降低退火后键合界面的过量副产物，得到了无退火空洞的稳定键合体；2.结合SDB与ICP深硅刻蚀工艺，获得了良好的二维硅微模具和叁层裸片键合体，并提出了解决基于多层带图形键合的叁维硅微模具疑难问题的方法。结合非晶合金的热超塑成形工艺，使用硅微模具制备出了相应的非晶合金微齿轮；3.对键合体质量检测方法进行了研究，得到了键合界面键合强度值和清晰的缺陷分布图。使用新的图像处理技术，改进了键合率的计算方法，获得准确的键合率值。(本文来源于《华中科技大学》期刊2012-01-01）
毛健[7]（2008）在《一种电容间隙精确可控的硅硅键合叁明治加速度传感器》一文中研究指出微机械加速度传感器是一种很重要的惯性器件。电容式微加速度传感器具有分辨率高、动态范围大、温度特性好等优点,可以广泛应用在对性能要求较高的领域,如惯性导航、石油勘探、地震监测和空间微重力测量等。针对地震波检测的具体要求,在以前制作传感器基础上,本文设计、制作了一种电容间隙精确可控的高对称电容式加速度传感器。由于硅玻璃键合带来的引线困难和较差的温度特性,采用硅硅键合技术实现了全硅结构加速度传感器的制作;高温条件下的圆片级硅硅键合,可以保证一定的真空度,有效地减小了器件的热机械噪声;不用湿法腐蚀的方法,而通过多次氧化的方法来制作质量块和固定电极之间的电容间隙,实现了微小电容间距的精确可控,提高了传感器的一致性。首先,对传感器的总体结构进行了设计。为了提高器件的灵敏度,采用多次氧化的方法,设计了2.6μm的电容间隙,同时还实现了1μm限位凸点的制作;双面对称的8根L型梁既节省了器件的面积,还大大降低了传感器的交叉轴灵敏度;为了研究器件的实际灵敏度,理论分析了敏感质量块在1g加速度下的位移变化以及一阶模态频率,并用ANSYS对进行传感器进行了模拟验证。对于梁厚40μm的传感器,静态差分电容变化为12.4pF/g,而35μm的器件则为19.7pF/g。然后,研究了器件的工艺流程及关键工艺,特别针对以往器件出现的问题进行了工艺改进。不同于以往的弧形连接,采用矩形块作为梁与质量块的连接区域,较好的解决了梁在释放时容易断裂的问题,提高了器件的成品率;通过制造限位凸点,有效解决了质量块的粘贴问题;通过对称划片,大大减小了器件上下寄生电容的不一致性。最后,对器件性能进行了测试。对于40μm器件,在单边电容上施加直流偏置信号,测得可变电容结构的吸合电压约为6.3V,与理论计算值6.5V基本一致。梁厚度不同的两批器件,静态差分电容变化分别为14.4pF/g与19.9pF/g,Q值分别达到了74和198,符合低噪声的设计要求。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2008-05-01）
刘玉岭,王新,张文智,徐晓辉,张德臣[8]（2000）在《硅/硅键合新方法的研究》一文中研究指出研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅／硅键合的一整套新技术（代替通用的亲水法）；实现了键合层无孔洞， 边沿键合率达９８％ 以上， 键合强度达２１５６ Ｐａ 以上， 并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质， 实现了应力补偿。(本文来源于《稀有金属》期刊2000年01期）
詹娟,刘先廷[9]（1993）在《硅—硅键合界面的TEM观察》一文中研究指出本文主要利用电子透射显微镜观察硅片直接键合界面,在界面处存在一无定型过渡区,证实了依靠硅片表面吸附的羟基作用完成键合时,在界面会留下极薄的硅氧化物无定形区.(本文来源于《电子器件》期刊1993年04期）
詹娟,刘光廷,李红征[10]（1992）在《硅/硅键合界面的正电子湮没分析》一文中研究指出硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。(本文来源于《电子器件》期刊1992年02期）
硅硅键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过测试电容值的变化来分析电容式微超声波换能器(CMUT)的发射性能。介绍了CMUT的工艺过程,关键工艺为硅硅键合。利用硅硅键合工艺制作的CMUT误差小、工艺流程简单且能进行量产。利用E4990A阻抗分析仪测试CMUT电容值得到CMUT初始电容值为680 p F,阵列内电容值一致性良好,误差为0. 62 p F,并对所设计的CMUT进行带宽测试,得出其在-6 d B时归一化带宽为200%,远远优于现有的传感器。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅硅键合论文参考文献
[1].姜彪,于振华,甘婧,王永健,孟冬辉.铟封接和硅硅键合技术制作微通道型固定流导元件[J].真空科学与技术学报.2019
[2].杨乐,张亚.基于硅硅键合的电容式微超声波换能器设计与测试[J].传感器与微系统.2019
[3].李颖,张治国,郑东明,梁峭,张哲.基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究[J].仪表技术与传感器.2017
[4].管朋,展明浩.基于聚合物介质的低温硅硅键合研究[J].电子科技.2014
[5].赵璐冰,徐静,钟少龙,李绍良,吴亚明.MEMS光敏BCB硅—硅键合工艺研究[J].传感器与微系统.2014
[6].卓锐.基于等离子活化硅硅键合的微模具制备工艺研究[D].华中科技大学.2012
[7].毛健.一种电容间隙精确可控的硅硅键合叁明治加速度传感器[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2008
[8].刘玉岭,王新,张文智,徐晓辉,张德臣.硅/硅键合新方法的研究[J].稀有金属.2000
[9].詹娟,刘先廷.硅—硅键合界面的TEM观察[J].电子器件.1993
[10].詹娟,刘光廷,李红征.硅/硅键合界面的正电子湮没分析[J].电子器件.1992