导读:本文包含了禁带宽度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:宽度,晶体,光子,能带,薄膜,半导体,磁控溅射。
禁带宽度论文文献综述
杨瑞,杜立国[1]（2019）在《垂直位型中一维光子晶体的禁带宽度分析》一文中研究指出随着信息技术的飞速发展,基于光子晶体能带理论的功能器件得到了广泛应用,对光子带隙的研究在光子晶体研究中具有深远意义。采用双子格模型考虑TE的传播特点,从一维光子晶体理论分析出发,通过传递矩阵TMM法分析了禁隙特性对其带宽的影响,从而确定工作频段,应用Translight通过设定参数来确定带隙的影响因素与其定量关系,对带隙的变化规律进行分析总结。这为以后深入研究二维光子带隙及应用提供了重要的理论依据。(本文来源于《大庆师范学院学报》期刊2019年06期）
王千[2]（2019）在《退火气氛和Mn~(2+)掺杂SnO_2纳米粒子的粒径和禁带宽度的影响》一文中研究指出以SnCl_4·5H_2O作为锡源,采用共沉淀法制备SnO_(2 )纳米粒子,对产物进行了TGA,XRD,TEM,EDX表征,以检测产物的微观结构和形貌,证实Mn~(2+)掺杂物被掺入到SnO_2主晶格中而不改变金红石结构,而且所制备的SnO_2纳米粒子结晶性好,尺寸较小.在空气,氧气,氮气,氩气四种退火气氛进行了退火,通过对XRD谱图进行比较,结果表明惰性气体下退火抑制了SnO_2纳米粒子的生长.空气中退火所得到的纳米粒径比惰性气体下的大,从而可以得到较小尺寸的纳米粒子,这有利于增大纳米粒子的比表面积.对3%Mn~(2+)掺杂的SnO_2纳米粒子的紫外可见吸收光谱进行了测试,发现惰性气体下退火的吸收光谱相对于空气发生蓝移现象,在空气中得到的禁带宽度值比惰性气体下得到的要大,从而得到较小的禁带宽度,增大了纳米粒子对光响应范围.(本文来源于《商丘师范学院学报》期刊2019年12期）
张熬,陈鹏,周婧,李一萌,杨云飞[3]（2019）在《半导体的禁带宽度与温度关系研究》一文中研究指出半导体禁带宽度E_g与温度的依赖关系E_g(T)是一个基础的理论课题,对材料特性的认识具有极其重要的意义。目前,对不同半导体材料的E_g(T)研究存在多种半经验的理论模型,尚未形成定论,所以该课题仍然是一个基础研究的热点。文章梳理了近几十年来E_g(T)分析模型的发展历程,分析了Varshni模型以及基于晶格振动和电子声子作用发展出的四个半经验模型的优缺点,提出了新的问题,对E_g(T)研究的进一步发展以及基于声子特性改善光电子器件性能具有指导意义。(本文来源于《光电子技术》期刊2019年03期）
张伟,董发勤,刘明学,边亮,何辉超[4]（2019）在《Gamma射线辐照调控二氧化钛禁带宽度增加其光电活性的研究》一文中研究指出地表广泛存在的半导体矿物受到能量大于或等于其禁带宽度的自然光照射时,会激发半导体产生光生导带电子和价带空穴。在铀矿区环境中,辐照射线和半导体矿物是客观、长期共存的。我们受半导体矿物光生电子的启发,聚焦目前广泛研究的耐酸碱腐蚀性、耐化学腐蚀性、稳定性好、成本低和无毒的光催化剂二氧化钛,考察Gamma射线不同辐照剂量对二(本文来源于《中国矿物岩石地球化学学会第17届学术年会论文摘要集》期刊2019-04-19）
张焱,张赛,许伯强,曹文武[5]（2018）在《一维流固声子晶体低频禁带角宽度调控》一文中研究指出0引言声子晶体对特定入射方向或频率的声波具有选择通过性,该特性使得其在声学人工器件设计方面具有广阔的应用前景~([1-4])。近年来,关于一维流固声子晶体的研究表明,其带隙结构不仅包含布拉格散射带隙,还包括零点传输带隙~([1-2])。为了突破"波长-尺寸"限制,设计具有亚波长结构的滤波或隔声器件,研究低频区域的零点传输带隙具有重要意义。目前,刘聪等对零点传输低频禁带角位置变化特性开展了研究~([3]),然而尚缺乏关于角宽度变化特(本文来源于《2018年全国声学大会论文集A.物理声学（含声超构材料）》期刊2018-11-10）
张恒,张启明,孙强,肖志斌,王赫[6]（2018）在《MOCVD制备禁带宽度2.1～2.2 eV的AlGaInP太阳电池》一文中研究指出禁带宽度2.0~2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结迭层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在不小的挑战。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备制备了禁带宽度2.1~2.2 eV的AlGaInP太阳电池,研究了外延生长温度、表面活性剂等外延和结构参数对AlGaInP材料和电池性能的影响。通过优化外延生长温度和掺入表面活性剂,获得了在AM0光谱下开路电压达到1.58 V、光电转换效率为12.48%的AlGaInP单结太阳电池。(本文来源于《电源技术》期刊2018年08期）
李鑫[7]（2018）在《铟掺杂对窄禁带半导体碲化铋禁带宽度的影响》一文中研究指出窄禁带半导体碲化铋(Bi_2Te_3)不仅具备室温下优秀的热电性能,也具备良好的红外吸收性能,是一种极具潜力的红外功能材料。现有研究成果已经表明,杂质掺杂能够影响Bi_2Te_3的热电与红外性能。并且由于Bi_2Te_3材料的典型层状结构,近年来针对Bi_2Te_3薄膜的研究一直是一个热点课题。而本论文的主要工作包括利用真空蒸发镀膜工艺制备金属铟(In)掺杂的Bi_2Te_3薄膜,即In_xBi_(2-x)Te_3薄膜,并对其进行红外波段吸收与载流子传输的测试实验,从而研究In掺杂对Bi_2Te_3薄膜的禁带宽度与载流子传输的影响。具体内容如下:1.首先,利用真空蒸发镀膜工艺制备In_xBi_(2-x)Te_3薄膜,并对其进行退火处理以优化薄膜质量。然后,使用扫描电子显微镜对In_xBi_(2-x)Te_3薄膜进行表面形貌观察与元素能谱分析实验,并根据实验结果对薄膜的制备工艺进行优化,从而得到成膜质量良好与化学组分控制精确的In_xBi_(2-x)Te_3薄膜样品。2.研究了In掺杂对In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的禁带宽度的影响。利用Tauc关系外推法处理In_xBi_(2-x)Te_3薄膜在波数为400-4000 cm~(-1)的红外波段范围内的透射光谱,从而计算出In掺杂比例不同的In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的禁带宽度。实验结果表明,随着In掺杂比例的提高,即x的数值由0增加到0.22时,In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的禁带宽度由0.15 eV减小到了0.11 eV,证明了In掺杂对Bi_2Te_3的禁带宽度的窄化作用。针对这一实验结果,分析与讨论了禁带宽度的窄化原因。3.研究了In掺杂对In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的载流子传输的影响。实验结果表明,在环境温度由140 K到310 K的升温过程中,In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的载流子浓度与电导率均呈现增长趋势,而迁移率则是略有降低。而在同一温度环境下,随着In掺杂比例的提高,即x的数值由0增加到0.2时,In_xBi_(2-x)Te_3薄膜的载流子浓度、迁移率与电导率同样保持增长的趋势。通过分析与讨论In_xBi_(2-x)Te_3薄膜中点缺陷与载流子的变化状况,对这一实验结果进行了理论解释。(本文来源于《东南大学》期刊2018-06-08）
张海啸,杨跃涛,刘晓峻[8]（2018）在《镉掺杂氧化锌纳米晶禁带宽度的尺寸效应和掺杂效应研究（英文）》一文中研究指出本文采用超声化学法快速简便地制备了在量子限制区域的镉掺杂氧化锌纳米晶.X-射线衍射、透射电镜和红外光谱的分析结果证实纳米晶样品具有合金结构.当镉对锌摩尔比从0增加到2.0,纳米晶的尺寸从5.1 nm减少到2.6 nm,其禁带宽度先出现红移,然后蓝移,最后又发生红移.研究表明量子尺寸效应和掺杂效应可以很好地解释上述禁带宽度的变化.通过对比实验研究发现,超声空化产生非热力学平衡的化学反应条件以及叁甘醇溶剂的配位性质对镉掺杂氧化锌纳米晶的形成起重要作用.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2018年02期）
王雪文,李婷婷,苏星星,吴朝科,翟春雪[9]（2018）在《采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）》一文中研究指出采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,在Si(100)衬底上可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60 W,溅射压强为0.4 Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ=633的拉曼测试表明,可以通过E_2(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A1(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07,1.13,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应、紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年01期）
胡冲[10]（2018）在《凝胶/PbI_2半导体单晶复合物的制备及其禁带宽度调控》一文中研究指出从自然界生物矿物中的单晶复合材料获得启发,越来越多的仿生单晶复合材料被人工合成出来,这些材料在保持晶体本体长程有序性的同时引入了晶体内多相共存的复合结构。其中使用凝胶法生长单晶可以实现叁维连续凝胶网络嵌入单晶本体,从而引入了晶体内双连续的互穿网络结构。致力于仿生单晶复合材料的功能化和应用,研究者们发掘出了半导体单晶复合材料。然而作为一种研究尚处于起步阶段的新型材料,半导体单晶复合材料尤其是具备双连续结构的凝胶/半导体单晶复合材料的深入研究工作非常之少,另外目前的工作暂未突破绝缘体凝胶客体的限制,而绝缘体凝胶客体与半导体单晶本体无法形成具备优异光电性能的异质结构,如果能够实现凝胶客体的半导体化,将会对该仿生单晶复合材料的应用向前推进一大步。本论文以实现凝胶/半导体单晶复合材料的功能化为出发点,围绕该材料的性质研究和结构设计开展了一系列工作。论文第一章首先介绍了自然界生物矿物中的单晶复合材料和近年来人工合成的仿生单晶复合材料的研究现状,重点介绍了凝胶/单晶复合材料的研究进展,最后综述了研究者们为实现单晶复合材料功能化方面所做的努力。论文第二章以碘化铅半导体单晶为模型,深入研究了绝缘体凝胶嵌入对其光电性质的影响。我们成功制备得到硅胶/碘化铅单晶复合材料,漫反射光谱测试结果显示硅胶嵌入到碘化铅晶体后导致了其禁带宽度的增大。随着主客体界面面积的扩大以及界面处静电相互作用的增大,禁带宽度进一步增大。由此我们证明了碘化铅本体禁带宽度增大的根本原因是主客体界面处的静电相互作用。这项工作通过凝胶嵌入改变了禁带宽度,为能带工程提供了一种新颖且简单易行的思路。论文第叁章利用溶胶凝胶法实现了二氧化钛半导体的凝胶化,并通过紫外光电子能谱和漫反射光谱表征了其能带结构。经过凝胶环境的优化,以该二氧化钛凝胶介质,在其中生长碘化铅半导体单晶,得到了二氧化钛凝胶嵌入的碘化铅仿生单晶复合材料,主要为六边形和六叉形两种形貌。由此我们在该材料的主客体界面设计构造出了晶体内本体接触的半导体异质结构。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-01-01）
禁带宽度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以SnCl_4·5H_2O作为锡源,采用共沉淀法制备SnO_(2 )纳米粒子,对产物进行了TGA,XRD,TEM,EDX表征,以检测产物的微观结构和形貌,证实Mn~(2+)掺杂物被掺入到SnO_2主晶格中而不改变金红石结构,而且所制备的SnO_2纳米粒子结晶性好,尺寸较小.在空气,氧气,氮气,氩气四种退火气氛进行了退火,通过对XRD谱图进行比较,结果表明惰性气体下退火抑制了SnO_2纳米粒子的生长.空气中退火所得到的纳米粒径比惰性气体下的大,从而可以得到较小尺寸的纳米粒子,这有利于增大纳米粒子的比表面积.对3%Mn~(2+)掺杂的SnO_2纳米粒子的紫外可见吸收光谱进行了测试,发现惰性气体下退火的吸收光谱相对于空气发生蓝移现象,在空气中得到的禁带宽度值比惰性气体下得到的要大,从而得到较小的禁带宽度,增大了纳米粒子对光响应范围.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
禁带宽度论文参考文献
[1].杨瑞,杜立国.垂直位型中一维光子晶体的禁带宽度分析[J].大庆师范学院学报.2019
[2].王千.退火气氛和Mn~(2+)掺杂SnO_2纳米粒子的粒径和禁带宽度的影响[J].商丘师范学院学报.2019
[3].张熬,陈鹏,周婧,李一萌,杨云飞.半导体的禁带宽度与温度关系研究[J].光电子技术.2019
[4].张伟,董发勤,刘明学,边亮,何辉超.Gamma射线辐照调控二氧化钛禁带宽度增加其光电活性的研究[C].中国矿物岩石地球化学学会第17届学术年会论文摘要集.2019
[5].张焱,张赛,许伯强,曹文武.一维流固声子晶体低频禁带角宽度调控[C].2018年全国声学大会论文集A.物理声学（含声超构材料）.2018
[6].张恒,张启明,孙强,肖志斌,王赫.MOCVD制备禁带宽度2.1～2.2eV的AlGaInP太阳电池[J].电源技术.2018
[7].李鑫.铟掺杂对窄禁带半导体碲化铋禁带宽度的影响[D].东南大学.2018
[8].张海啸,杨跃涛,刘晓峻.镉掺杂氧化锌纳米晶禁带宽度的尺寸效应和掺杂效应研究（英文）[J].ChineseJournalofChemicalPhysics.2018
[9].王雪文,李婷婷,苏星星,吴朝科,翟春雪.采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）[J].稀有金属材料与工程.2018
[10].胡冲.凝胶/PbI_2半导体单晶复合物的制备及其禁带宽度调控[D].浙江大学.2018
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