赵海玉[1]2017年在《高频超声静电喷雾法制备AG/AG掺ZNO导电薄膜》文中认为众所周知银有着最低的电阻率(超导除外)和在可见光区的高反射性,以及良好的可掺杂性,在光电子器件与近年来发展的智能可穿戴设备中有着广泛的应用。磁控溅射法是银薄膜制备常用的方法,然而此方法成本较高,制备过程中会不可避免的造成资源浪费,也会出现颗粒凝聚现象,降低了银薄膜与基材的附着力,也影响了它的光电性质,以致降低了银良好的导电性。超声喷雾热解法因工艺简单、成本较低、容易实现大规模生产,有着良好的发展前景。本课题在研究国内外超声喷雾热装置的基础上,自行设计超声喷雾热解制膜仪器,在使用过程中根据工艺的需要对该仪器不断的改进。采用该超声喷雾热解制膜仪器,重点分析了衬底温度、前驱液体浓度、电压大小等工艺参数对Ag薄膜结构和性能的影响,分析了成膜机理,并通过尝试Ag与ZnO的掺杂来改变薄膜的光电学性能。实验以硝酸银为前驱体溶液,聚酰亚胺为衬底来制备银薄膜,并且通过硝酸锌六水化合物(Zn(NO3)2·6H2O)来提供锌,制备银掺氧化锌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌;采用X射线衍射仪(XRD)对物质内部原子空间分布状况的结构进行分析;借助光致发光光谱仪(PL谱)测量薄膜的带隙宽度。最后利用紫外可见分光光度计(UV光谱)和电阻测试仪对薄膜的光电性能进行分析。实验结果表明:前驱体溶液浓度为0.2mol/L,载气流量为150mL/min,衬底温度为300℃,电压20kv,喷嘴距离为4cm,喷涂时间为10min时能制备出最佳的Ag薄膜;在硝酸锌六水化合物的浓度为0.2mol/L时,硝酸银的浓度为0.004mol/L,即掺杂比例为Zn:Ag=1:0.02,衬底温度为300℃,喷嘴到沉底的距离为4cm,电压20kv,氧气通量为150mL/min,喷涂时间为10min时可获得结晶质量较好的银掺氧化锌薄膜。研究结果表明,自行设计的超声喷雾热解法仪器与国内外相似系统相比明显有着自己的优势与特点,可用于制备各种掺杂或纯物质薄膜。通过不断的改进工艺参数成功的制备了 Ag和Ag掺ZnO薄膜。虽然该仪器制备的薄膜结构、性能等有待进一步改进,但是为下一步制备更复杂与高性能的复合薄膜奠定了良好的基础。
陈健[2]2004年在《超声雾化热解法制备ZnO薄膜结构及其性能研究》文中研究指明氧化锌是一种多用途的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于太阳能电池、声表面波器件、压敏器件、透明导电电极等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比，ZnO薄膜具有生长温度低，激子复合能高(ZnO：60meV，GaN：21～25meV)，有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短，对增加光记录密度具有重要意义。目前，有关氧化锌的研究集中在氧化锌的紫外光发射和可见光发光机制方面。对于可见光发光机制目前尚无统一认识。 本文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理，并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有C轴择优取向的多晶ZnO薄膜，并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis absorption Spectrometer)、荧光光谱仪(PL Spectrometer)等测试手段，对ZnO薄膜的结构和性能进行表征。研究了各生长条件，如前驱物溶液浓度、衬底温度、沉积时间、退火处理和掺杂浓度对ZnO薄膜结构和性能的影响。实验结果表明，前驱物浓度增加有利于制备C轴取向生长的ZnO薄膜；400℃时，沉积出高质量C轴择优取向的ZnO薄膜，在氧气气氛下退火温度为600℃时，得到的薄膜结晶性较好；而且，掺杂浓度增加不利于ZnO薄膜的取向生长。受激发射光致发光结果表明，样品在600℃退火时390nm紫外发射最强，同时观察到强度较弱的可见光发光带。实验还发现，退火气氛可明显改变ZnO的本征和缺陷发光，可见发光机制探讨中，蓝绿发光的主要是由氧空位或锌填隙等缺陷引起的。
周佳[3]2006年在《超声喷雾热解法ZnO薄膜的制备与性能研究》文中指出本文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理,并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。着重介绍了节能镀膜玻璃,特别是低辐射镀膜玻璃的发展概况,节能特性、原理、低辐射膜的种类以及常用的制备方法等。 本实验以醋酸锌水-乙醇混合溶液为前驱体溶液,使用自制的超声喷雾热解系统在玻璃基板上制备得到了ZnO薄膜并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis Spectrometer)等测试手段,对ZnO薄膜的结构和性能进行表征。研究了各种生长条件,如前驱物溶液浓度、去离子水-乙醇比例,衬底温度和沉积时间等工艺参数对ZnO薄膜结构和性能的影响。实验结果表明,适宜的温度,前驱体浓度是制备出具有优良的均匀性和致密性薄膜的关键因素。温度上升有利于制备出C轴取向生长的ZnO薄膜;450℃时,可以沉积出高质量C轴择优取向的ZnO薄膜。当把前驱体溶液的浓度从0.1M增加到0.3M,ZnO薄膜的结晶性能越来越好,C轴取向性也越来越大。但是过高的前驱体溶液浓度和衬底温度却会降低薄膜的致密性。通过对紫外-可见光谱的分析,发现ZnO薄膜的可见光区的透过率同ZnO的微观结构变化有关。在450℃到500℃,0.3M前驱体溶液浓度下制备出的薄膜均匀致密同时也具有良好的可见光透过率,可以达80%以上。
王斌[4]2009年在《静电增强超声雾化热解法制备ZnO薄膜的性能研究》文中研究指明使用静电增强超声雾化热解法制备了ZnO薄膜,用XRD、SEM、PL、RAMAN等手段研究了制备条件对ZnO薄膜形貌、内部缺陷的类型、发光性能、气敏性能的影响;研究了掺杂对ZnO薄膜光学性能、电学性能、气敏性能的影响;并以制备的ZnO薄膜为缓冲层,在Si衬底上生长ZnO纳米阵列和ZnO纳米结构,研究了ZnO纳米阵列在气体电离传感器上的应用。其主要研究结论如下:(1)采用静电增强超声雾化热解方法制备出高质量的ZnO薄膜,并对不同工艺条件下薄膜的结构、成分、形貌、沉积速率、光致发光进行分析,我们发现当前驱体的浓度在0.01~0.005M之间时,衬底温度在400~500℃,当载气量为200~500sccm制备的薄膜的取向性较好,且薄膜平整致密。使用较高浓度前驱体制备的ZnO中,存在明显的蓝光发射峰和绿光发射峰;蓝光发射峰与锌间隙能级有关;绿光发射峰由VZn的不同电离态引起;在600℃下氧气氛退火60 min后蓝光发光峰和绿光发光峰消失了。(2)评价了不同衬底温度、不同载气条件下制备的ZnO薄膜的电学性能,在衬底温度为440℃制备出了霍尔迁移率为141 cm2/Vs,电阻率为9.99?cm-1的p-型ZnO薄膜;使用XPS和低温PL分析了在440℃制备的p-型ZnO的成分及受主缺陷的类型,该薄膜中受主能级位于价带上160 meV和250meV处,并推测其与NO和VZn有关。研究了晶界对薄膜电学性能的影响,发现载气的类型影响薄膜的导电性能。使用SCM对氧气做载气制备的ZnO薄膜的载流子分布进行了表征。晶界上吸附的氧使得晶粒中的电子耗尽,造成晶粒中空穴的散射作用减弱和晶界附近空穴积累,是引起超高空穴迁移率的原因。(3)制备了Ag掺杂和N掺杂p-型ZnO薄膜,研究了它们的结构、光学性能、电学性能,摸索了最佳的掺杂量。研究了双受主共掺杂理论,揭示了Ag-N共掺杂在理论是可行的。使用共掺杂技术制备ZnO: (Ag, N)薄膜,并研究了该薄膜的结构和光学电学性能。XDR表明共掺杂提高了晶体的质量,霍尔测量表明共掺杂制备的ZnO有较低的电阻和较高的霍尔迁移率;实验表明双受主共掺杂增强了N和Ag原子的稳定性,提高了掺杂浓度;我们还发现ZnO(Ag, N)与ZnO:Ag相比,薄膜的光学透过率明显提高,Ag-N共掺杂的ZnO电学和光学性能的稳定性较好。(4)使用化学气相传输法在蒸金的硅片生长了ZnO纳米线;通过分析生长不同阶段的SEM,明确了ZnO纳米线的生长遵循VLS机理。使用静电增强超声雾化法在Si上制备了ZnO缓冲层,并在该缓冲层上生长了ZnO纳米阵列。在Si上使用不同催化剂成功生长了ZnO纳米结构,实验发现Cu作催化剂在Si衬底上得到楔状ZnO纳米片,该结构的ZnO纳米片沿[011_0]方向生长,纳米片上下表面为±(0001)极性面;纳米片的生长遵循VLS机理,属于六角纤锌矿晶体结构,纳米片的位错和堆垛层错等晶格畸变较少;使用Zn催化在Si衬底上得到长达几百微米的ZnO纳米带。ZnO纳米带沿[011_0]方向生长,属于六角纤锌矿晶体结构;纳米带的生长遵循VLS机理。比较了不同使用不同催化剂制备ZnO的PL。实验表明,在缓冲层上Au催化制备的ZnO纳米阵列具有较强的发光强度,Cu催化制备的ZnO楔状纳米片次之,Zn催化制备的ZnO纳米带最弱;这是由于使用不同的催化剂制备的ZnO纳米结构中的缺陷数量和缺陷类型不同造成的。(5)研究了场致电离气敏传感器的工作原理。发现在电场限制区中,气体场致电离产生的电流强度与气体的特性密切相关,可以作为鉴别不同气体的特征。使用有限元软件模拟了纳米线顶端的场强分布,模拟的结果表明纳米ZnO的顶端电场增强因子的最大值约为187。使用不同取向的ZnO纳米棒制作了场致电离气体传感器,研究了不同形貌纳米线制备器件对丙酮的响应曲线,测试表明器件的响应曲线分为叁个区,响应曲线与电场增强因子β密切相关。研究了器件对甲苯和丙酮的电离特性曲线。从气体放电电流和击穿电压来看,器件可以明显的区分甲苯和丙酮。测量了器件对NOx化合物的响应,实验表明在较低的浓度下,NOx化合物的浓度电流响应值呈现近似的线性关系,器件的响应速度为17~40s,器件的灵敏度为0.045±0.007 ppm/pA。测量了器件对苯、异丙醇、乙醇、甲醇化合物的响应,实验表明器件对静态极化率较大,电离能低的气体有一定的选择性。(6)测试了不同衬底温度下制备的ZnO薄膜对NO2气体的气敏性能;实验表明550℃制备的粉末状的ZnO薄膜对NO2的敏感度较高,并表现出较好的响应-恢复特性;研究了致密的ZnO薄膜厚度对气敏性能的影响,实验表明薄膜对NO2的敏感度随膜厚增加而减少;对于550℃制备的粉末状的ZnO薄膜而言,对NO2的敏感度先随薄膜的厚度增加而增加,当薄膜厚度到达一定程度时,其敏感度反而下降了。研究了ZnO:Al薄膜对NO2的敏感度,实验表明在260℃的工作温度下,当ZnO:Al中Al含量为0.4mol%,对40ppm的NO2的敏感度高达74.8。研究了ZnO:Ag薄膜对NO2的敏感度,当掺Ag量为3mol%时,ZnO:Ag薄膜对NO2的灵敏度最高,实验还发现ZnO:Ag薄膜在NO2中光学透过率会发生改变。我们比较了掺Al、Ag的ZnO薄膜及未掺杂的ZnO薄膜对NO2的气敏性的动态响应,实验表明ZnO:Al薄膜对NO2的灵敏度最高,但达到稳定状态时所需的响应时间较长;掺Ag的ZnO灵敏度较低,且在排气后不容易恢复到初始的状态;未掺杂的ZnO薄膜对NO2的灵敏度居中,但是其响应速度较快。
王世凯[5]2011年在《超声喷雾热解法制备ZnO薄膜及其性能研究》文中提出本文介绍了ZnO的基本性质及其应用，论述了ZnO薄膜的制备方法及原理，综述了ZnO薄膜研究的最新进展。着重介绍ZnO及其掺杂薄膜在节能镀膜玻璃和薄膜太阳电池方面的应用，概括阐述了低辐射镀膜玻璃和薄膜太阳电池用绒面结构ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的发展概况、应用原理及常用的制备方法等。本实验以六水合硝酸锌（Zn(NO_3)_26H_2O）水溶液作为前驱体，使用自制的超声喷雾热解装置在玻璃衬底上制备得到ZnO薄膜，利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜（SEM)、表面形貌测量仪（DEKTAK6M）、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis Spectrometer）等测试手段对ZnO薄膜的微观结构和光学性能进行表征。本实验研究了各种生长条件，例如前驱物溶液中Zn~(2+)浓度、沉积时间和衬底温度等工艺参数对ZnO薄膜结构和性能的影响。实验结果表明，适宜的衬底温度、前驱体中Zn~(2+)浓度及合理的退火制度是制备出具有优良的均匀性和致密性薄膜的关键因素。温度上升有利于制备出c轴取向生长的ZnO薄膜，在500℃时，可以沉积出高质量c轴择优取向的ZnO薄膜。当前驱体溶液的浓度从0.1M增加到0.3M时，ZnO薄膜的结晶性能越来越好，c轴取向性也越来越大。但过高的前驱体溶液浓度和衬底温度却会降低薄膜的致密性。通过对紫外-可见光谱的分析，发现ZnO薄膜可见光区的透过率同ZnO的微观结构变化有关。在衬底温度为500℃、前驱体溶液浓度为0.3M、沉积镀膜时间30min、退火温度500℃、退火时间60min条件下制备出的薄膜均匀致密，同时也具有良好的可见光透过率，可以达到90%，而在退火温度为600℃时，薄膜具有较退火温度为500℃时更加显着地c轴择优取向，但由于薄膜表面氧空位缺陷的增多，使得透过率降为80%左右。
温媛[6]2007年在《超声雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究》文中提出ZnO材料是一种具有六角纤锌矿结构的半导体材料,作为一种具有宽带隙、低介电常数,高化学稳定性及优异的光电、压电特性的多功能材料应用领域十分广泛。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来,ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比,ZnO薄膜具有生长温度低,激子复合能高(ZnO:60meV,GaN:21～25meV),受激辐射阈值较低,能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射,制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外,ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短,对增加光记录密度具有重要意义。论文系统的阐述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理,并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试手段,对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。研究了各生长条件,如前驱体溶液浓度、衬底温度、载气流量、衬底到端口的距离、退火处理对ZnO薄膜的结构和性能的影响。实验结果表明,适当的生长条件有利于制备C轴取向生长的ZnO薄膜:当前驱体溶液浓度为0.1 mol/L,衬底温度为320℃,载气流量为5L/min,衬底到端口的距离为60 cm,沉积出高度C轴择优取向的ZnO薄膜,且在氧气气氛下退火温度为600℃时,得到的薄膜结晶状况较好。用AlCl_3·6H_2O作为掺杂剂制备了掺Al的ZnO薄膜,掺杂浓度的增加不利于ZnO薄膜的取向生长。
阎堃[7]2016年在《超声喷雾热解法制备K-N共掺ZnO薄膜及其光学性能的研究》文中指出氧化锌(Zinc oxide,简称ZnO)是禁带宽度为3.37eV的II-VI族宽禁带n型半导体氧化物。在室温条件下,ZnO的激子束缚能高达60meV,由于其优良的光学和电学特性,ZnO在发光二极管、气敏传感器、太阳能电池及压敏传感等领域具有重要应用。ZnO材料的结构和光电特性对于ZnO基器件的性能将产生重要影响。研究表明,掺杂方法可以制备出结构和光电性能更加优异的ZnO材料。本论文综述了掺杂ZnO薄膜的晶体结构和光学特性,讨论各种制备ZnO薄膜方法的优缺点。本论文采用了成本低廉、易于操作的超声喷雾热解法(Ultrasonic Spray Pyrolysis,简称USP)制备了 ZnO薄膜,并研究了不同掺杂杂质对ZnO薄膜性质的影响。在优化实验参数的基础上,以乙酸锌、氯化铵作为前驱体溶液制备了 N掺杂ZnO薄膜;以Zn(CH3COO)2 · 2H2O、NH4Cl和KCl作为前驱体溶液制备了 K-N共掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(Photoluminescence)、荧光透射光谱(UV-VIS)等测试手段对样品的结构、形貌和光学性质进行了表征。实验结果表明:衬底温度为480℃、载气流量为1.OL/min时N掺杂ZnO薄膜的性能最优,其出现了C轴择优生长取向,但随着衬底温度进一步升高后,其生长取向发生偏移;在K-N共掺杂ZnO薄膜中,通过改变K+掺杂浓度,可以改善ZnO薄膜的结晶质量和光学性能。当前驱体溶液浓度为0.025mol/L、衬底温度为480℃、载气流速为1.OL/min时在石英衬底上所制备的K-N共掺杂ZnO薄膜的结构和光学性能最为理想。
张志坤[8]2014年在《石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究》文中研究表明以GaN、SiC和ZnO为代表的宽带隙半导体材料,有望突破第一代半导体材料Si和Ge,以及以GaAs和InP为代表的第二代半导体材料在光电子技术和电力电子技术发展方面所面临的材料极限,因而被称作第叁代半导体材料。其中ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,室温下具有3.37eV的宽禁带和60meV的高激子束缚能,同时具备热稳定性好、价格低廉、原料易得和环境友好等特点,被认为是实现室温下短波长高效激子发光和低阈值半导体激光器的理想材料。此外,SiC具有高击穿电压、高电子迁移率、高热导率和较强的抗辐射能力,特别适合制备高频大功率电力电子器件。对于高功率器件应用,衬底材料的选择直接影响器件的散热性能,从而影响器件的工作稳定性和使用寿命。石墨衬底具有优异的机械性能和化学稳定性、较高的电导率和热导率、以及可向其它衬底转移等优点,有望成为大功率光电子和电力电子器件的理想衬底材料。本文围绕石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究开展了系统的研究工作。具体如下：一.研究了多晶热解石墨的光致发光特性,发现具有沿c轴择优排列的多晶热解石墨在室温下的光致发光谱为线状光谱(线宽～1.8A)。采用超声喷雾热解法在石墨衬底上生长ZnO薄膜,结果表明：在石墨衬底上生长了具有类金字塔形貌的片状ZnO纳米结构薄膜,并具有较好的光致发光特性。通过优化生长温度和生长时间能够有效地提高ZnO薄膜的结晶质量和光学性能。二.研究了采用水热法在石墨衬底上制备的ZnO纳米棒的光学特性。实验发现：经退火处理后的ZnO纳米棒具有较好的光致发光特性；ZnO纳米棒/石墨复合结构在200-1100nm光波段具有较低的相对反射率(-0.45%),表现出较好的陷光作用。此外,通过优化生长温度、生长时间和退火温度能够有效地提高ZnO纳米棒的晶体质量。叁.采用磁控溅射和电子束蒸发法在石墨衬底上制备了ZnO/SiO2/石墨复合结构器件。电学特性测试表明：该器件具有明显的整流特性和奇特的负电容现象；在反向偏压为-8V时,漏电流～10-4A。此外,该器件具有较好的导热性能；文中对负电容现象产生的物理机制进行了初步的分析和讨论。四.采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以石墨兼作衬底和碳源制备了β-SiC薄膜。通过优化退火工艺,可以有效地提高p-SiC薄膜的晶体质量,并提出了成膜机制的物理模型。对在石墨衬底上制备的β-SiC基MOS (Au/SiO2/β-SiC)二极管进行了Ⅰ-V测试,结果表明：该器件具有明显的整流特性,在反向偏压为-3V时,漏电流～10-3A。
张焕[9]2013年在《超声喷雾热解法制备氮铟共掺杂氧化锌薄膜光学性能的研究》文中进行了进一步梳理氧化锌（Zinc oxide，简称ZnO）是一种Ⅱ-VI族宽禁带氧化物半导体材料。被普遍认为是继GaN材料之后的另外一种优秀的光电材料，制备的薄膜被广泛应用于压敏电阻、气敏传感器、体声波器件、声表面波器件、透明电极、紫外探测器等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体光电材料的研究越来越受到人们的重视。ZnO薄膜具有多项优点，如生长温度低，激子结合能高，受激辐射阀值低等，这些优点可以用于开发基于氧化锌的紫外光探测器、紫外发光二极管和紫外激光二极管等光电子器件。利用异质结制作的激光器、电致发光二极管、光电探测器等，比同质结制作的同类元件的性能优越。异质结器件中很重要的步骤是要能够利用掺杂完成对半导体带隙的调制，以此制备出基于氧化锌的量子阱、超晶格及相关的光电器件。本实验以醋酸锌水溶液为前驱体溶液，分别以醋酸铵和硝酸铟为氮（N)源和铟（In)源，使用自制的超声喷雾热解系统在石英衬底上制备了纯ZnO薄膜，后又在玻璃、石英衬底上制备了氮铟（N-In）共掺杂Zn0薄膜。采用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis Spectrometer)以及透射电镜等测试手段，对ZnO薄膜的结构和性能进行了测试，并根据测试结果研究了各种生长条件下，如衬底温度、前驱物溶液浓度、沉积时间以及退火条件等工艺参数对ZnO薄膜结构和性能的影响。实验结果表明，适宜的沉积温度和前驱体浓度是制备出具有优良性能的掺杂氧化锌薄膜的关键因素。提高衬底温度有利于制备出C轴择优取向生长的ZnO薄膜；450℃时，可以沉积出高质量C轴择优取向的ZnO薄膜；当前驱体溶液浓度从O.02M增加到O．O8M，ZnO薄膜的结晶性能越来越好，C轴取向性也越来越明显；但是过高的前驱体溶液浓度和衬底温度却会降低薄膜的致密性。通过对紫外-可见光谱的分析，发现ZnO薄膜的可见光区的透过率同ZnO的微观结构变化有关。在450℃到500℃，在0.05M前驱体溶液浓度下制备出的薄膜均匀致密同时也具有良好的可见光透过率，可以达80％以上。在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,表明薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。
杨成兴, 季振国, 刘坤, 樊瑞新, 叶志镇[10]2002年在《雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能》文中研究说明采用超声雾化技术 ,以醋酸锌水溶液为源物质 ,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜 ,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响 .结果表明其为六方晶体 (纤锌矿 )结构 ,在适当的条件下 ,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜 ,所得到的ZnO薄膜具有低达 7 6 8× 10 10 cm-3 的载流子浓度 ,这对实现ZnO的p型掺杂具有重要意义 .
参考文献：
[1]. 高频超声静电喷雾法制备AG/AG掺ZNO导电薄膜[D]. 赵海玉. 天津工业大学. 2017
[2]. 超声雾化热解法制备ZnO薄膜结构及其性能研究[D]. 陈健. 北京工业大学. 2004
[3]. 超声喷雾热解法ZnO薄膜的制备与性能研究[D]. 周佳. 浙江大学. 2006
[4]. 静电增强超声雾化热解法制备ZnO薄膜的性能研究[D]. 王斌. 上海大学. 2009
[5]. 超声喷雾热解法制备ZnO薄膜及其性能研究[D]. 王世凯. 大连工业大学. 2011
[6]. 超声雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究[D]. 温媛. 电子科技大学. 2007
[7]. 超声喷雾热解法制备K-N共掺ZnO薄膜及其光学性能的研究[D]. 阎堃. 辽宁师范大学. 2016
[8]. 石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究[D]. 张志坤. 大连理工大学. 2014
[9]. 超声喷雾热解法制备氮铟共掺杂氧化锌薄膜光学性能的研究[D]. 张焕. 辽宁师范大学. 2013
[10]. 雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能[J]. 杨成兴, 季振国, 刘坤, 樊瑞新, 叶志镇. 半导体学报. 2002