导读:本文包含了杂质态论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:杂质,量子,结合能,施主,电场,球形,子环。
杂质态论文文献综述
李硕,石磊,闫祖威[1]（2019）在《氮化物半导体量子点核-壳结构杂质态的结合能》一文中研究指出在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点核-壳结构中杂质态结合能,计算了该结构中杂质态结合能随量子点核-壳结构核尺寸、壳尺寸、Al组分以及杂质位置的变化关系.结果表明:杂质态结合能随着量子点半径(核和壳尺寸)的增加单调减小;当杂质位置到量子点中心距离d增加时,杂质态结合能呈现先增大后减小的趋势,出现一极大值;杂质态结合能随Al组分的变化受杂质位置影响较大,呈现不同的变化趋势,且变化比较明显.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
雷莉萍[2]（2019）在《应变Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能及压力效应》一文中研究指出在有效质量近似下,采用变分理论研究了流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能,理论推导了杂质态结合能的表达式,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、A1组分以及流体静压力的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析。结果表明:受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压力的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大;该结构中的核尺寸对受主和施主杂质态结合能的影响要远大于壳尺寸的影响。考虑应变效应后,对上述问题进行了进一步的理论研究,分析对比了施主杂质和受主杂质的结合能。结果表明:应变下施主杂质与受主杂质的结合能随核尺寸的增大而单调减小,随着壳尺寸的增大先减小后增大。受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能小,指出应变效应是明显的。最后,我们分析对比了有无应变时结合能的变化情况,并发现随着核半径的越来越大,应变后的结合能要明显高于无应变下的结合能。且应变效应逐渐变弱,所以有无应变时结合能间的差别越来越不明显;随着壳尺寸的越来越大,结合能较无应变时要大。随着核半径的逐渐增大,应变效应逐渐增强,所以有无应变时结合能间的差别越来越明显。(本文来源于《内蒙古农业大学》期刊2019-06-01）
雷莉萍,石磊,闫祖威[3]（2019）在《压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能》一文中研究指出采用变分法从理论上对流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能进行了研究,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、Al组分以及压强的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析.结果表明:该结构中的核尺寸对杂质态的结合能影响要远大于壳尺寸对结合能的影响;受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压强的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
石悦然,卢倬成,王璟琨,张威[4]（2019）在《轨道Feshbach共振附近类碱土金属原子的杂质态问题》一文中研究指出近年来,碱土金属原子和类碱土金属原子体系的研究成为冷原子物理的研究热点之一.特别是最近在~(173)Yb原子中发现的轨道Feshbach共振,使得研究有强相互作用的碱土金属和类碱土金属原子系统成为可能,极大扩展了此类原子体系的研究范围.本文介绍了~(173)Yb费米气体在轨道Feshbach共振附近的杂质态问题.在此问题中,位于~3P0态的杂质原子与处于基态的背景费米海相互作用,并在费米海表面产生分子态或极化子态.本文使用试探波函数的研究方法,首先对分子态和吸引极化子态进行介绍,并重点描述了分子态与吸引极化子态间的转变.其次归纳总结了排斥极化子态的相关性质,如有效质量、衰变率等.然后考虑双费米面情况,介绍在闭通道中引入另外一个费米面对系统产生的影响.最后简要介绍二维~(173)Yb费米气体中的杂质态问题.(本文来源于《物理学报》期刊2019年04期）
熊宗刚,杜娟,张现周[5]（2019）在《二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）》一文中研究指出采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低,而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中,F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质,而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.(本文来源于《计算物理》期刊2019年06期）
胡敏[6]（2018）在《低维半导体结构中杂质态的研究》一文中研究指出由于量子阱、量子线、量子点等低维半导体结构在电子和光电子器件中有着很好的应用前景,所以近年来对低维半导体结构物理性质的研究吸引了很多学者的关注。杂质的存在可以极大的影响半导体结构的电学和光学特性,并且杂质在半导体光电子器件中起着非常重要的作用。低维半导体材料中的电子态也是半导体物理中的一个基础问题。另一方面,外加电场和磁场对低维半导体结构中的电子态会产生很大的影响。在考虑外加电场和磁场的情况下,研究低维半导体结构中的电子态可以促进对半导体材料及相关器件物理性质的理解。本论文在有效质量包络函数近似的理论框架下,利用平面波展开法研究了量子阱、量子线、量子点、量子环中的电子态,并考虑了外加电场和磁场的影响。本文的具体内容如下:1.在有效质量包络函数近似的理论框架下,对比了两种常用的计算低维半导体结构中电子态的方法——变分法和平面波展开法。利用两种方法分别计算了InGaN/GaN方形量子阱、圆柱形量子线、球形量子点中的电子态。变分法计算的氢施主杂质的基态能量大于真实值,从而导致变分法计算的杂质基态结合能小于真实值;而平面波展开法计算的杂质基态能和基态结合能更接近于真实值;另外,在相同电场强度下,变分法计算出的外电场效应更加明显。本章最后一部分研究了平面波展开法计算精度的影响因素,结果显示,当平面波数量不少于13~3、势垒宽度取值2a~*?BW?4a~*时,计算结果是比较可靠的。2.在有效质量包络函数近似的理论框架下,采用平面波展开法计算了In GaAsP/InP方形、抛物线形、V形量子阱中,杂质基态结合能随量子阱宽度、杂质位置、外加电场和磁场强度的变化。比较了量子阱形状对杂质基态结合能的影响、不同形状量子阱中的电场和磁场效应。数值结果表明,基态结合能随着量子阱宽度的增加呈现非线性的变化,当量子阱宽度较小时,方形量子阱中的杂质结合能较大;当量子阱宽度较大时,V形量子阱中的杂质结合能较大;量子阱宽度W=2a~*时,在量子阱中心附近,V形量子阱中的杂质结合能最大,在量子阱的边缘,方形量子阱中的杂质结合能最大;当量子阱宽度较小时,电场效应在V形量子阱中最明显,而量子阱宽度较大时,电场效应在方形量子阱中最明显;磁场效应在V形量子阱中最明显;在不同形状的量子阱中,电场和磁场共同作用时效果是一致的。3.利用平面波展开法计算了InGaAsP/InP环形量子线内氢施主杂质的基态结合能,分析了外加电场和磁场对基态结合能的影响。计算结果表明,当施主杂质沿量子线径向运动时,杂质结合能在径向的中心处,达到最大值;当量子线的内半径或外半径固定时,结合能随着外半径或内半径的增加呈现非线性的变化;轴向外电场使得杂质结合能下降,而径向磁场使得杂质结合能增加;由外加电场引起的杂质结合能的下降可以通过引入一定强度的磁场来补偿。4.利用平面波展开法研究了外加电场和磁场对InGaAsP/InP核壳形量子点中氢施主杂质基态结合能的影响,并分析了壳层厚度、内核半径、杂质位置对杂质基态结合能的影响。数值结果表明,结合能随内核半径的增大而逐渐减小;当壳层厚度刚开始增加时,杂质结合能也增加;而当壳层厚度增加到一定值时,结合能不再随壳层厚度的增加而变化;外加电场破坏了杂质结合能分布的对称性,并且外电场对中心施主杂质结合能的影响最小;杂质结合能的对称分布不受外加磁场的影响,结合能只是随着磁场强度的增加而增加,而磁场对中心施主杂质结合能的影响最大。5.利用平面波展开法研究了InGaAsP/InP量子环内,氢施主杂质基态结合能对量子环外半径、量子环高度、杂质位置、电场和磁场强度的依赖性。随量子环外半径和环高度的增加,杂质基态结合能非线性的变化;当杂质沿轴向或径向方向移动时,基态结合能在轴向的中心或径向的中心附近达到最大值;此外,随电场强度的增加,杂质位置和电场方向共同决定了施主杂质的基态结合能是增加还是减少;当杂质位于轴上对称位置时,外加电场使得结合能的差异越来越大;随磁场强度的增加,杂质结合能增加,并且在沿着磁场方向上,磁场对杂质结合能的影响更为明显。6.利用平面波展开法计算了InGaAsP/InP同轴双量子环中氢施主杂质的基态结合能,并考虑了外加电场的影响。结果表明,当杂质沿径向方向运动并且量子环间距较小时,杂质结合能在两个环的间隙处取得最大值;而当量子环间距较大时,在每个环的中心位置,杂质结合能都可以取得最大值;当杂质沿着轴向移动时,结合能在高度的中间位置达到最大值;杂质结合能随量子环高度的增加呈现非单调的变化;外电场沿轴向,当杂质位于z_i≥0处时,施主杂质的束缚能减少,而在z_i<0时,施主杂质的束缚能增加;基态结合能随Ga组分的增加而减少,随着As组分的增加而增加。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2018-03-10）
肖志婷[7]（2017）在《电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响及其压力和温度效应》一文中研究指出在连续介电模型和有效质量近似下,运用变分法研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的基态结合能。考虑电子有效质量随着位置的改变对杂质态基态结合能的影响,并在此基础上计算了压力和温度对球形量子点杂质态结合能的影响。分别数值计算了 AlxGa1-xAs/GaAs和AlxGa1-xN/GaN材料球形量子点杂质态基态结合能随量子点尺寸和叁元混晶垒材料中Al组分的变化关系,研究了电子有效质量随位置的改变对结合能的影响,并与不考虑电子有效质量随位置的改变做了比较。讨论了球形量子点的温度及其压力效应。对两种材料的计算结果表明有如下共同特征:当量子点半径较小时,电子有效质量随位置变化增加了杂质态基态结合能,随着量子点半径增大杂质态基态结合能的增加幅度变小;量子点半径比较大时,电子有效质量随位置的改变降低了杂质态的基态结合能;随着叁元混晶Al组分的增加,杂质态的基态结合能单调递增;另外,杂质态结合能随外加压力的增大几乎呈线性增加,但随温度的升高反而降低。(本文来源于《内蒙古农业大学》期刊2017-06-01）
何浩,王广新[8]（2017）在《圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质态的电场效应》一文中研究指出在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(径向厚度、高度)、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明:随着量子环径向厚度(高度)的增大,中心施主杂质束缚能先增大后减小,显示有一极大值;施加的电场明显地改变了量子环中电子波函数的分布,导致施主杂质束缚能相应的改变;施主杂质束缚能随杂质位置的变化呈现出规律性。(本文来源于《唐山学院学报》期刊2017年03期）
郭康贤,胡美林,张仲敏[9]（2017）在《叁角形对称罗森-莫尔斯势GaAs量子点杂质态的研究（英文）》一文中研究指出在有效质量近似的框架内,利用变分法求解叁角形对称罗森-莫尔斯势中砷化镓量子点的薛定谔方程.就杂质结合能作为势阱参数d、V_0,压力P,温度T和杂质位置zi的函数进行了计算,结果表明,杂质结合能深受d、V_0、P、T和zi的影响,在低维半导体量子系统的实验研究中,压力P和温度T应该被考虑在内.(本文来源于《广州大学学报(自然科学版)》期刊2017年01期）
肖志婷,石磊,闫祖威[10]（2017）在《电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响》一文中研究指出在连续介电模型和有效质量近似下,考虑电子有效质量随位置的变化,利用变分法从理论上研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的结合能.数值计算了AlxGa1-xAs/GaAs球形量子点杂质态基态结合能随量子点尺寸和垒材料Al组分的变化关系,讨论了有效质量随位置变化对基态结合能的影响,并与不考虑有效质量随位置变化做了比较.结果表明:当量子点半径较小时,电子有效质量随位置的变化增加了杂质态基态结合能,随量子点半径增大,杂质态基态结合能的增加幅度变小;量子点半径较大时,电子有效质量随位置变化降低了杂质态基态结合能.随着Al组分增大,杂质态基态结合能单调递增.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2017年01期）
杂质态论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在有效质量近似下,采用变分理论研究了流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能,理论推导了杂质态结合能的表达式,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、A1组分以及流体静压力的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析。结果表明:受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压力的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大;该结构中的核尺寸对受主和施主杂质态结合能的影响要远大于壳尺寸的影响。考虑应变效应后,对上述问题进行了进一步的理论研究,分析对比了施主杂质和受主杂质的结合能。结果表明:应变下施主杂质与受主杂质的结合能随核尺寸的增大而单调减小,随着壳尺寸的增大先减小后增大。受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能小,指出应变效应是明显的。最后,我们分析对比了有无应变时结合能的变化情况,并发现随着核半径的越来越大,应变后的结合能要明显高于无应变下的结合能。且应变效应逐渐变弱,所以有无应变时结合能间的差别越来越不明显;随着壳尺寸的越来越大,结合能较无应变时要大。随着核半径的逐渐增大,应变效应逐渐增强,所以有无应变时结合能间的差别越来越明显。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
杂质态论文参考文献
[1].李硕,石磊,闫祖威.氮化物半导体量子点核-壳结构杂质态的结合能[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2019
[2].雷莉萍.应变Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能及压力效应[D].内蒙古农业大学.2019
[3].雷莉萍,石磊,闫祖威.压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2019
[4].石悦然,卢倬成,王璟琨,张威.轨道Feshbach共振附近类碱土金属原子的杂质态问题[J].物理学报.2019
[5].熊宗刚,杜娟,张现周.二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）[J].计算物理.2019
[6].胡敏.低维半导体结构中杂质态的研究[D].曲阜师范大学.2018
[7].肖志婷.电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响及其压力和温度效应[D].内蒙古农业大学.2017
[8].何浩,王广新.圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质态的电场效应[J].唐山学院学报.2017
[9].郭康贤,胡美林,张仲敏.叁角形对称罗森-莫尔斯势GaAs量子点杂质态的研究（英文）[J].广州大学学报(自然科学版).2017
[10].肖志婷,石磊,闫祖威.电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2017
论文知识图
