导读:本文包含了差分放大器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:差分放大器,增益,放大器,折迭,运算放大器,波形,接收器。
差分放大器论文文献综述
蒋衍,刘汝卿,朱精果,王宇[1]（2019）在《应用于脉冲TOF成像LADAR系统的高性能CMOS全差分放大器设计（英文）》一文中研究指出本文设计了一种应用于脉冲飞行时间(TOF)成像激光雷达探测系统的高带宽、低噪声全差分放大器(FDMA)。该芯片采用多级级联结构和有源电感技术,增大电路带宽和减少芯片面积,并且通过使用失调隔离技术,增强了各增益级对工艺偏差的鲁棒性。在输出级电路中,为使全差分放大器具有更强的驱动能力,采用了宽带放大器和输出缓冲器级联结构做为输出。同时,为了满足激光雷达系统的实际需求,采用复用失调隔离电路的方式,实现了级间带通滤波来限制放大器的适用带宽。采用CMSC的CMOS工艺进行了FDMA流片。测试结果表明,该芯片具有730.6MHz的-3 dB带宽,在使用带通滤波器优化后的开环增益为23.5 dB,等效输入噪声密度为2.7 nV/sqrt(Hz),有效地降低了系统噪声。芯片采用3.3 V电源供电,功耗为102.3 mW,整体面积为0.25 mm×0.25 mm。作为激光雷达全系统集成芯片中的一部分,较好地满足系统指标要求。(本文来源于《光电工程》期刊2019年07期）
[2]（2017）在《15dB增益差分放大器》一文中研究指出LTC6432-15可提供高达+50.3dBm OIP3(输出叁阶截取)的线性度、非常高的+22.7dBm OP1d B(输出1d B压缩点)和3.2dB噪声指数(在150MHz)。除了其在高频条件下拥有的出色信噪比之外,它甚至在较低频率下也能保持其动态范围性能。这是因为和基于GaAs或pHEMT FET的放大器相比,LTC6432-15先进的SiGe工艺双极型设计具有显着降低的1/f噪声频率拐角。因此,它的噪声指数在(本文来源于《今日电子》期刊2017年08期）
张华斌,刘萍,邓春健,杨健君,刘黎明[3]（2017）在《基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计》一文中研究指出针对无线局域网前端接收机2.5GHz的应用,提出了一种硅锗工艺低噪声差分放大器.采用差分级联放大器结构既能抑制输入端的共模噪声信号,又能因级联结构的高增益而抑制电路的噪声,确保电路的高性能;同时选用JAZZ 0.35μm 1P4M锗硅BiCMOS工艺来制作.该放大器能有效地提供了50Ω输入阻抗匹配且具备良好的温度特性.在频点2.5GHz时,放大器的最大小信号电压增益为29.1dB,噪声系数1.3dB,输入/输出回波损耗都优于-11dB,输入3阶交调点为-0.24dBm.在直流电源电压3V供应下,低噪声放大器消耗电流为3.7mA.仿真结果表明,与其他文献相比,该放大器有更高的电压增益和更低的噪声,可以更加有效地应用于无线局域网及相关频点领域.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2017年05期）
[4]（2017）在《一款10GHz增益带宽并具1.1nV/√Hz噪声的双差分放大器》一文中研究指出亚德诺半导体(Analog Devices,Inc.,简称ADI)旗下凌力尔特公司推出10GHz增益带宽积双差分放大器LTC6419,该器件具非常低的1.1nV/√Hz输入电压噪声密度,因而能够为宽带信号放大提供卓越的SNR性能。此外,(本文来源于《半导体信息》期刊2017年02期）
庞艳杰,胡国英,曹艳丽[5]（2016）在《差分放大器的非线性应用》一文中研究指出通常差分放大器在交流小信号的输入条件下,可利用其线性特性实现信号放大。该文阐述了如何利用差分放大器的非线性特性,实现叁角波到正弦波的波形变换。依据二极管非线性特性的理论分析,构造出由恒流源供电的差分放大器的电路原理图;硬件电路测试结果验证了其波形变换功能。(本文来源于《微型机与应用》期刊2016年15期）
李帅叁[6]（2015）在《CMOS全差分放大器的研究与设计》一文中研究指出自从上个世纪五十年代集成电路出现以来,在过去的几十年中集成电路都以惊人的速度不断发展着,在理论基础、电路结构方面和制造工艺等方面发生非常巨大变化,如今集成电路已经深入应用到各种电子产品之中。目前,运算放大器的设计由最初的通用型转向定制型,针对不同的使用环境,设计出具有相应特性的运算放大器。本论文首先对运算放大器的各项性能指标进行了分析,并对几种经典的运算放大器结构进行了分析和比较。在传统的运算放大器电路结构的基础上,研究并设计了一种CMOS全差分运算放大器,提高了开环直流增益以及单位增益带宽、压摆率、等性能指标。文中运算放大器的设计是在Cadence软件环境下,基于CSMC 0.5μm CMOS工艺使用Specture进行仿真的。该全差分运算放大器在3.3V电源电压下,开环直流增益为99.47dB,单位增益带宽为204.2MHz,相位裕度为68°,压摆率为221V/μs,建立时间是1.03μs,共模抑制比为77.24dB,电源电压抑制比为72.468dB,版图面积为13550μm2。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2015-11-01）
余菲,赵杰,陈树楷[7]（2015）在《尺寸及版图设计对集成电路差分放大器性能的影响》一文中研究指出CMOS差分放大器是现代集成电路设计中一个非常重要的电路结构.由于CMOS差分放大器对其版图设计以及晶体管尺寸非常敏感,CMOS差分放大器设计是模拟电路设计的一个难题.本文利用Powerchip Semiconductor Corp的L110_N工艺实现了不同结构以及不同尺寸的CMOS差分放大器的电路图和版图设计,并利用HSPICE对这些设计进行了后仿真,得到了不同尺寸和版图结构下性能对比结果,对相关领域集成电路设计有很好的指导意义.(本文来源于《深圳职业技术学院学报》期刊2015年05期）
周昕杰,于宗光,李博[8]（2014）在《基于CMOS工艺的差分放大器单粒子瞬态效应研究》一文中研究指出基于0.35μm CMOS工艺,研究了辐射条件下,单粒子瞬态效应对差分放大器的影响。经过仿真分析发现:差分放大器中偏置电路输出节点对单粒子瞬态效应敏感,偏置电路输出电流大小决定了放大器输出信号抗单粒子瞬态效应的能力。为提高差分放大器的抗单粒子瞬态效应的能力,采取增加偏置电路输出驱动能力以及引入电阻/电容等加固设计技术。经过Hspice仿真及单粒子辐照实验证明,辐射加固后的放大器抗单粒子瞬态扰动能力从未加固的18 MeV·cm2/mg增加到37 MeV·cm2/mg,抗单粒子辐射性能提高了一倍以上。加固后的放大器能够满足航天应用的需求。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年06期）
季建平[9]（2014）在《德州仪器(TI)宣布推出两款全新全差分放大器》一文中研究指出2014年11月24日,德州仪器(TI)宣布推出两款全新全差分放大器(FDA),可通过为DC耦合应用提供业界最佳AC性能增强系统功能与性能。与现有ADC驱动器相比,该LMH3401和LMH5401 FDA可提供更高的带宽、压摆率以及更低的失真。LMH3401和LMH5401不仅可支持雷达系统,帮助保护居民安全,而且还支持无线基站,可帮助减少通话掉线,同时还可提供更快的上传速度。(本文来源于《半导体信息》期刊2014年06期）
江安庆[10]（2014）在《Linear新推20 dB增益宽带差分放大器LTC6430-20》一文中研究指出凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20 MHz至2 GHz差分输入和输出20 dB增益放大器LTC6430-20,该器件在240 MHz时提供卓越的+51 dBm OIP3(输出叁阶截取)和2.9 dB噪声指数。LTC6430-20具备同类最佳的+23.9 dBm OP1dB(输出1 dB压缩点)。该器件提供了A级版本,这版本100%经过测试,保证+44.8 dBm的最小OIP3,在380 MHz时典型值为+(本文来源于《半导体信息》期刊2014年06期）
差分放大器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
LTC6432-15可提供高达+50.3dBm OIP3(输出叁阶截取)的线性度、非常高的+22.7dBm OP1d B(输出1d B压缩点)和3.2dB噪声指数(在150MHz)。除了其在高频条件下拥有的出色信噪比之外,它甚至在较低频率下也能保持其动态范围性能。这是因为和基于GaAs或pHEMT FET的放大器相比,LTC6432-15先进的SiGe工艺双极型设计具有显着降低的1/f噪声频率拐角。因此,它的噪声指数在
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
差分放大器论文参考文献
[1].蒋衍,刘汝卿,朱精果,王宇.应用于脉冲TOF成像LADAR系统的高性能CMOS全差分放大器设计（英文）[J].光电工程.2019
[2]..15dB增益差分放大器[J].今日电子.2017
[3].张华斌,刘萍,邓春健,杨健君,刘黎明.基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计[J].微电子学与计算机.2017
[4]..一款10GHz增益带宽并具1.1nV/√Hz噪声的双差分放大器[J].半导体信息.2017
[5].庞艳杰,胡国英,曹艳丽.差分放大器的非线性应用[J].微型机与应用.2016
[6].李帅叁.CMOS全差分放大器的研究与设计[D].黑龙江大学.2015
[7].余菲,赵杰,陈树楷.尺寸及版图设计对集成电路差分放大器性能的影响[J].深圳职业技术学院学报.2015
[8].周昕杰,于宗光,李博.基于CMOS工艺的差分放大器单粒子瞬态效应研究[J].固体电子学研究与进展.2014
[9].季建平.德州仪器(TI)宣布推出两款全新全差分放大器[J].半导体信息.2014
[10].江安庆.Linear新推20dB增益宽带差分放大器LTC6430-20[J].半导体信息.2014
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