导读:本文包含了栅氧化物论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:原位水气生成,氮含量,介电常数,界面态
栅氧化物论文文献综述
张红伟,彭树根[1]（2014）在《一种提高栅氧化物介电常数的方法》一文中研究指出从90 nm技术节点开始,等离子氮化SiON栅氧化层被广泛用作先进的CMOS器件制造。作为传统SiO2栅氧化层的替代材料,SiON栅氧化层因其具有较高的介电常数而能有效地抑制硼等栅极掺杂原子在栅氧化层中的扩散。氮化后热退火处理(Post Nitridation Anneal,PNA)是制备等离子氮化SiON栅氧化层的一个重要步骤,主要用于修复晶格损伤并形成稳定Si-N键,同时在氧化氛围下通过界面的二次氧化反应来修复SiO2/Si界面的损伤。本文通过对传统栅氧制备工艺中PNA单一高温退火工艺的温度、气体氛围进行优化,提供了一种通过提高栅氧化物的氮含量来提其高介电常数的方法。实验数据表明,与传统的制备方法相比,采用本方法所制备的SiON栅氧化层中氮含量可以提高30%以上,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级,PMOS器件的NBTI寿命t0.1%和t50%可分别提高15.3%和32.4%。(本文来源于《中国集成电路》期刊2014年03期）
陈裕权[2]（2009）在《混合生长法提高栅氧化物质量》一文中研究指出美国麻省理工学院的研究人员首次用MOCVD外延炉原位原子层淀积出-氧化物。这种新方法可有助于研制因缺乏高品质氧化物而受到阻碍的-MOSFET。过去几年内,非原位原子层淀积将GaAs氧化物的中带隙界面缺陷密度减至1012eV-1cm-2,非原位转成原位原子(本文来源于《半导体信息》期刊2009年01期）
柳海生,李翠[3]（2006）在《覆盖Si_3N_4层和栅氧化物氮化对晶体管的影响》一文中研究指出研究了在各种各样的晶体管中高于最低限度的坡面外层上覆盖硅氮化物和栅氧化物被氮化的影响,同时制作出具有高、低压晶体管的硅晶片。当干燥氧化物和降低化学蒸汽的压力使之凝固的2个步骤(LPCVD)被用于厚栅氧化物时,薄栅氧化物被氮氧化改善。薄栅氧化物的厚度是4.5nm,厚栅氧化物的厚度为29nm。低压nMOS和pMOS不显示出任何驼峰,高压pMOS也一样。高压nMOS高于最低限度的驼峰取决于工艺条件。它表明没有覆盖硅氮化层的严重驼峰取决于经过LPCVD的内部涂层氧化沉淀后化学处理期间的湿度扩散。这说明,采用氮氧化物阻止水汽扩散防止驼峰的方法是有效的。(本文来源于《微处理机》期刊2006年05期）
张贺秋,许铭真,谭长华[4]（2004）在《不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)》一文中研究指出研究了不同厚度的超薄栅 1.9nm到 3.0 nm器件在恒压应力下的栅电流变化 .实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分 ,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的 ,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的 .(本文来源于《半导体学报》期刊2004年03期）
张贺秋,许铭真,谭长华[5]（2003）在《超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)》一文中研究指出研究了在软击穿后 MOS晶体管特性的退化 .在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数 .在软击穿后 ,输出特性和转移特性只有小的改变 .在软击穿发生时 ,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的 .但是 ,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加 .对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明 ,软击穿后的电流机制是 FN隧穿 ,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的 .(本文来源于《半导体学报》期刊2003年11期）
[6]（1995）在《使亚微米晶体管栅氧化物带电损伤最小的金属腐蚀工艺的表征和优化》一文中研究指出使亚微米晶体管栅氧化物带电损伤最小的金属腐蚀工艺的表征和优化＝Ｃｂａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆｍｅｔａｌｅｔｃｂｐｒｏｃｅｓｓｅｓｔｏｍｉｎｉ－ｍｉｚｅｃｈａｒｇｉｎｇｄａｍａｇｅｔｏｓｕｂｍｉｃｒｏｎｔｒａｎｓｉｓ...(本文来源于《微电子学》期刊1995年02期）
[7]（1995）在《低温下在电子回旋共振等离子中制备SiGe栅氧化物》一文中研究指出低温下在电子回旋共振等离子中制备ＳｉＧｅ栅氧化物＝ＳｉＧｅｇａｔｅｏｘｉｄｅｐｒｅｐａｒｅｄａｔｌｏｗｔｅｍ－ｐｅｒａｔｕｒｅｉｎａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｃｙｃｌｏｔｒｏｎｒｅｓｏｎａｎｃｅｐｌａｓｍａ［刊．英］／Ｌｉ．Ｐ．Ｗ．…Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ...(本文来源于《微电子学》期刊1995年01期）
T,I,Kamins,江碧蓉[8]（1988）在《绝缘物上硅晶体管的栅氧化物质量》一文中研究指出本文通过测量氧化物的初始击穿强度和与时间相关的介质击穿,估计了在硅片表面下注入氧化层后,在硅薄膜上生长的栅氧化物的质量。初始介质强度和击穿电荷与体硅片上生长的氧化物是相同的,因而作者认为硅膜里的高位错密度,不会使氧化物的质量严重下降。(本文来源于《微电子学》期刊1988年04期）
S,Sugiura,周锡古[9]（1988）在《超薄栅氧化物经砷离子注入后的质量退化现象》一文中研究指出众所周知,SiO_2/Si结构的离子注入会使SiO_2薄膜和硅衬底受到损伤。本文讨论了超薄氧化物经砷离子注入后的质量退化现象,该退化现象表现为漏电流增加和介质击穿电压下降。温度对导电率的依赖关系表明,俘获态势垒高度约为1.0eV,注入薄氧化物的总传导电流是由流向退化区域的P-F成分和流向其它区域的F-N成分之和来表示的。(本文来源于《微电子学》期刊1988年02期）
孙隽[10]（1987）在《一种无栅氧化物介电强度退化的二硅化钼/薄多晶硅栅新工艺》一文中研究指出本文详细地分析了高温退火后在二硅化钼/薄n~+多晶硅(<1000A)栅结构中栅氧化层介电强度退化的情况。同时分析了栅氧化层绝缘特性和多晶硅中磷浓度、多晶硅原生氧化物,二硅化钼薄层电阻等各方面因素之间的关系,给出了二硅化钼、多晶硅、栅氧化物结构扫描电子显微镜、透射电子显微镜的观测结果。通过分析得出下列结论:高温退火时,在有阻挡层存在的情况下(阻挡层指二硅化钼淀积之前所形成的多硅上原生的厚氧化物),多晶硅与硅化钼局部作用会透过薄多晶硅层造成栅氧化物的损坏。根据分析结果,我们研究了一种没有介电强度退化的Mosi_2/薄Poly—si栅工艺。该工艺将二硅化钼直接淀积到未掺杂多晶硅上,从而控制多晶硅原生氧化物的生长,然后再将磷注入到二硅化钼中。这种工艺提供了很好的栅氧化层介电强度(薄到500A的多晶硅栅器件也是如此),易干法腐蚀,不产生多晶硅钻蚀,器件特性稳定,比通常的多晶硅栅工艺可靠性好。(本文来源于《电子工艺技术》期刊1987年01期）
栅氧化物论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
美国麻省理工学院的研究人员首次用MOCVD外延炉原位原子层淀积出-氧化物。这种新方法可有助于研制因缺乏高品质氧化物而受到阻碍的-MOSFET。过去几年内,非原位原子层淀积将GaAs氧化物的中带隙界面缺陷密度减至1012eV-1cm-2,非原位转成原位原子
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
栅氧化物论文参考文献
[1].张红伟,彭树根.一种提高栅氧化物介电常数的方法[J].中国集成电路.2014
[2].陈裕权.混合生长法提高栅氧化物质量[J].半导体信息.2009
[3].柳海生,李翠.覆盖Si_3N_4层和栅氧化物氮化对晶体管的影响[J].微处理机.2006
[4].张贺秋,许铭真,谭长华.不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)[J].半导体学报.2004
[5].张贺秋,许铭真,谭长华.超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)[J].半导体学报.2003
[6]..使亚微米晶体管栅氧化物带电损伤最小的金属腐蚀工艺的表征和优化[J].微电子学.1995
[7]..低温下在电子回旋共振等离子中制备SiGe栅氧化物[J].微电子学.1995
[8].T,I,Kamins,江碧蓉.绝缘物上硅晶体管的栅氧化物质量[J].微电子学.1988
[9].S,Sugiura,周锡古.超薄栅氧化物经砷离子注入后的质量退化现象[J].微电子学.1988
[10].孙隽.一种无栅氧化物介电强度退化的二硅化钼/薄多晶硅栅新工艺[J].电子工艺技术.1987