导读:本文包含了高功率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:功率,脉冲,光纤,微波,激光器,永磁,前门。
高功率论文文献综述
刘瑞科,王超臣,李森森,周冠军,陈彬[1]（2019）在《高功率半导体激光器散热方法综述》一文中研究指出散热管理是保障半导体激光器功率稳定性的关键因素。因此,了解半导体激光器的传热过程并解决其散热问题,是实现半导体激光器工程化应用的重要环节。对半导体激光器散热管理方式的工作原理和典型散热方法进行了综述,期望为从事高功率半导体激光研究的人员提供技术参考。(本文来源于《光电技术应用》期刊2019年06期）
张伟霞[2]（2019）在《高功率芯片的新型水冷散热板结构仿真分析》一文中研究指出介绍了一种应用于高功率芯片的新型水冷散热板结构(简称水冷板),采用有限元法分析比较了叁种同材料、同体积、不同结构的水冷板在同一环境条件下的散热能力,并通过试验对这叁种结构的水冷板的散热能力做了比较,试验结果与有限元分析结果一致。最终得出结论:新型结构的水冷板易于加工,散热能力强,适合高功率芯片散热,值得在某些生产高功率芯片的企业内推广。(本文来源于《机械工程与自动化》期刊2019年06期）
陈瑰,侯超奇,郭海涛,李进延[3]（2019）在《用于高功率系统的掺镱石英光纤研究进展及发展趋势》一文中研究指出掺镱石英光纤是掺镱光纤激光器及放大器的重要基础元件.掺镱光纤性能提升是促进掺镱光纤激光器系统功率进一步攀升的关键.本文回顾了高功率掺镱光纤激光器系统功率攀升情况及功率限制性问题,简述了针对激光功率攀升的瓶颈问题所提出的改善性方案.重点阐述了掺镱光纤制备技术、光纤材料、结构性设计在改善功率限制性方面所取得的研究进展,并对未来掺镱石英光纤的研究及发展趋势进行了展望.(本文来源于《光子学报》期刊2019年11期）
姚强[4]（2019）在《高功率微波:改变战争形态的革命武器》一文中研究指出近日,据日本媒体报道,日本防卫省正在就研制可使敌方导弹和无人机失灵的高功率微波武器进行最后协调。该媒体称,防卫省2014年就开始进行高功率微波照射的技术研究,在取得一定进展后研制发射装置。防卫省拟在2021财年预算中列入相关经费并着手研制,除陆基武器和舰(本文来源于《中国航天报》期刊2019-11-30）
蒋超,乔鸣忠,彭威,张志斌[5]（2019）在《舰用泵高功率密度永磁同步电机设计与分析》一文中研究指出根据舰艇水泵对其配套电机要求的特殊性,设计了具有自起动能力的舰艇水泵高功率密度永磁同步电动机。采用"场-路-运动"耦合时步有限元方法,对所设计电机的起动电流、起动时间、稳态转矩脉动进行了计算,分析了负载类型、转子系统转动惯量、V型永磁体槽间距、键槽方案对高功率密度自起动永磁同步电机起动性能和稳态转矩脉动的影响。结果表明,自起动永磁同步电机带水泵型负载时比带恒转矩负载时起动性能更优,起动性能随转子系统转动惯量增大而变差,减小空载气隙磁密5、7次谐波有利于降低自起动永磁同步电机稳态转矩脉动。(本文来源于《微电机》期刊2019年11期）
彭雅利,代明江,郭朝乾,林松盛,石倩[6]（2019）在《基体负偏压对高功率脉冲磁控溅射a-C:Al薄膜性能的影响》一文中研究指出已知掺Al的类金刚石(a-C:Al)复合薄膜可改善类金刚石薄膜的综合性能,调控薄膜的内应力,增强膜基结合力。与此同时,高功率脉冲磁控溅射是一种新的溅射沉积技术,与传统磁控溅射技术相比其具有放电稳定,溅射材料离化率高,所制备的薄膜结构致密均匀,膜基结合力好等特点。本文在不同的基体偏压(0V～-400V)下通过高功率脉冲磁控溅射制备了掺A1的类金刚石(a-C:Al)薄膜。通过扫描电子显微镜,原子力显微镜,X射线光电子能谱和拉曼光谱对a-C:Al薄膜的形貌,微观结构和化学组成进行了表征。通过应力测试仪,纳米压痕,划痕测试仪,圆盘球式摩擦计和3D表面轮廓仪研究了a-C:Al膜的力学性能和摩擦学行为。结果表明,a-C:Al薄膜的沉积速率随偏压的增加呈先升后降的现象,且薄膜中Al含量的原子百分比约为5%,受基体偏压影响较小;当基体负偏压处于-200V～-300V时,薄膜的力学性能较好,其硬度为16GPa左右,磨损率大约为4×10~(-8)mm~3·N~(-1)·m~(-1);而在无偏压和偏压过高的条件下,薄膜的硬度较低,摩擦系数和磨损率偏高。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28）
吴厚朴,田钦文,田修波,巩春志[7]（2019）在《新型双极性高功率脉冲磁控溅射电源及放电特性研究》一文中研究指出独立设计研制了新型两段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源,本电源具备3种工作模式:(1)传统高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)放电模式,(2)双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射(BP-HiPIMS)放电模式和(3)两段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射(DBP-HiPIMS)放电模式。特别是新提出的第叁种工作模式,两段式双极性脉冲较传统的单段双极性脉冲具有较大的优势。本文研究了在传统BP-HiPIMS和新DBP-HiPIMS条件下,正向脉冲对Cr靶在Ar气气氛下的放电特性的影响。研究发现:随着正向脉冲电压的增加,BP-HiPIMS和DBP-HiPIMS基体净离子平均电流均明显提高,且相比传统BP-HiPIMS模式,新型DBP-HiPIMS放电模式在不同正向脉冲电压时均具有更高的基体净离子平均电流。正向脉冲电压为100V时,在基体偏压为0V和60V条件下,DBP-HiPIMS模式的基体净离子平均电流较传统BP-HiPIMS模式分别提高47.0%和30.3%。表明新型DBP-HiPIMS放电模式能够进一步提高正向脉冲对离子的推动加速作用,这将有利于膜层质量的提高。(本文来源于《真空》期刊2019年06期）
陈凯柏,高敏,周晓东,岛新煜[8]（2019）在《高功率微波对毫米波引信耦合效应分析》一文中研究指出针对高功率微波对毫米波引信的前门耦合效应问题,利用电磁仿真软件对某型毫米波调频连续波引信模型进行辐照试验,并与引信前端限幅电路结合进行联合仿真。在此基础上,继续设计正交试验,对信号参数影响水平进行分析。通过仿真试验发现,在高功率微波信号频率和引信工作频率对准的情况下,辐照场强峰值为60kV/m时,天线末端耦合电压最大可达188V;当辐照场强峰值为40kV/m时,改变辐照信号特征参数,发现长脉宽信号更容易导致限幅器的热击穿效应;信号上升时间会影响天线末端耦合电压波形复杂程度,当信号峰值、脉宽一定时,上升时间为5ns的输入信号导致的尖峰泄漏电压约为5.94V,而当上升时间为0.1ns时,尖峰泄漏电压为18.4V,并且限幅电路更快达到饱和状态;通过正交试验发现,信号上升时间对尖峰泄漏峰值电压的影响最大,信号峰值对其的影响次之。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年11期）
曾凡剑,何源,孙列鹏,施龙波,高郑[9]（2019）在《一种矩形腔式高功率合成器的设计》一文中研究指出研究了一种基于矩形腔式功率合成的射频高功率合成器。该合成器可以实现功放模块与合成器的直接耦合,合成效率高,功率容量大,且功率容量可调,可以很好地满足目前CiADS中对固态发射机功率容量的梯度要求。12合1矩形腔式功率合成器仿真结果表明,合成器各输入端到输出端的幅度传输和相位传输具有很好的一致性,最大偏差分别在0.05dB和0.5°以内,调节功放模块数量可以调节发射机的功率容量。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年11期）
王振坤,顾祥龙,曹锐[10]（2019）在《基于物理光学法的建筑物内高功率微波耦合场分布计算》一文中研究指出利用物理光学法计算了高功率微波在建筑物内的耦合场分布。根据建筑物墙壁和窗户的透射率可以得到墙壁内侧的透射场,将它代入到矢量衍射公式中直接计算出在整个建筑物内的透射场;根据建筑物地面的反射率得到地板表面的反射场,将它代入到矢量衍射公式中可计算出整个建筑物内的反射场;对透射场与反射场进行矢量相加,得到迭加场。将本文方法得到的场分布情况和时域有限差分法得到的场分布进行比较,二者结果一致。物理光学法的优点在于其物理图像清晰,计算量小,计算速度快,适合应用在大型建筑物内部耦合场分布计算上。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年11期）
高功率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了一种应用于高功率芯片的新型水冷散热板结构(简称水冷板),采用有限元法分析比较了叁种同材料、同体积、不同结构的水冷板在同一环境条件下的散热能力,并通过试验对这叁种结构的水冷板的散热能力做了比较,试验结果与有限元分析结果一致。最终得出结论:新型结构的水冷板易于加工,散热能力强,适合高功率芯片散热,值得在某些生产高功率芯片的企业内推广。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高功率论文参考文献
[1].刘瑞科,王超臣,李森森,周冠军,陈彬.高功率半导体激光器散热方法综述[J].光电技术应用.2019
[2].张伟霞.高功率芯片的新型水冷散热板结构仿真分析[J].机械工程与自动化.2019
[3].陈瑰,侯超奇,郭海涛,李进延.用于高功率系统的掺镱石英光纤研究进展及发展趋势[J].光子学报.2019
[4].姚强.高功率微波:改变战争形态的革命武器[N].中国航天报.2019
[5].蒋超,乔鸣忠,彭威,张志斌.舰用泵高功率密度永磁同步电机设计与分析[J].微电机.2019
[6].彭雅利,代明江,郭朝乾,林松盛,石倩.基体负偏压对高功率脉冲磁控溅射a-C:Al薄膜性能的影响[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019
[7].吴厚朴,田钦文,田修波,巩春志.新型双极性高功率脉冲磁控溅射电源及放电特性研究[J].真空.2019
[8].陈凯柏,高敏,周晓东,岛新煜.高功率微波对毫米波引信耦合效应分析[J].强激光与粒子束.2019
[9].曾凡剑,何源,孙列鹏,施龙波,高郑.一种矩形腔式高功率合成器的设计[J].强激光与粒子束.2019
[10].王振坤,顾祥龙,曹锐.基于物理光学法的建筑物内高功率微波耦合场分布计算[J].强激光与粒子束.2019
论文知识图
