论文摘要
采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜（ZAO）,研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质。结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶O2中O2含量增加而减小。薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3 eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和Eg随Ar∶O2中O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 许飞,朱江转,陆慧,罗锻斌,谢海芬
关键词: 薄膜,磁控溅射,基底温度,光电性质
来源: 实验室研究与探索 2019年11期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 华东理工大学理学院
基金: 2018年度本科实验实践教学改革与建设立项(BK0121004)
分类号: TB383.2
页码: 46-50
总页数: 5
文件大小: 1091K
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