导读:本文包含了多光束干涉论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光束,光谱,长程,全反射,激光,吸收光谱,反射率。
多光束干涉论文文献综述
朱高峰,胡鑫,朱红求,胡恩泽,朱剑平[1]（2018）在《基于TDLAS检测西林瓶内氧气浓度的多光束干涉抑制方法》一文中研究指出应用可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术开放单光路短光程检测西林瓶内氧气浓度,因玻璃瓶壁造成入射光多次反射和透射,形成多光束干涉,严重影响信号波形和检测精度。本文提出了一种改变激光入射角度来抑制瓶壁光学干扰的方法,理论分析了入射角度对透射光强分布的影响,详细推导了使两相干光束迭加部分在接收端探测范围之外的入射角度计算公式,并根据现场参数得到理论最佳入射角度。对氧气浓度1%的样瓶进行多次测量,将二次谐波信号峰值的平均值作为信号,峰值的标准差作为噪声,以信噪比(signal to noise radio,SNR)最大作为系统入射角角度的优化指标,实验获得系统的实际最佳入射角度。与决定系数较高的入射角度进行浓度预测对比,交互验证后的最小二乘拟合结果显示:相关系数分别为0.995 9和0.988 9,前者相比后者提高了0.7%,预测的均方根误差(root mean square errors of prediction,RMSEP)分别是0.003 1和0.005 3,前者相比后者降低了41.5%,说明本文方法所确定的最佳入射角,能有效抑制玻璃瓶壁引起的多光束干涉影响,改善系统检测精度。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2018年02期）
吕波[2]（2017）在《牛顿环多光束干涉仿真》一文中研究指出用多光束法对牛顿环干涉问题进行了研究,建立了牛顿环多光束干涉的理论模型.通过对多光束相干光波的复振幅相加,得出了牛顿环多光束干涉反射光和透射光的强度公式.通过数值计算,描绘了不同反射率下的反射光和透射光的相对强度分布曲线,仿真了不同反射率下的反射光和透射光的干涉条纶分布图样.结果表明,采用多光束法研究适用于不同反射率下的牛顿环干涉,在实际应用中多采用透射光干涉,同时要求反射率适中.(本文来源于《西南师范大学学报(自然科学版)》期刊2017年11期）
郭小花,张明霞[3]（2016）在《多光束干涉的扩展研究》一文中研究指出讨论了法布里-珀罗干涉仪两玻璃板上镀膜不同的情况下的反射光强和透射光强。在两种情况下,要使波长λ的正入射光完全透过,膜层厚度将受到一定限制,并且介质膜的折射率和两边镀膜折射率需满足n_2=(n_1n_3_~(1/2).(本文来源于《天水师范学院学报》期刊2016年05期）
成金龙,高志山,袁群[4]（2016）在《双波长斐索干涉测试中的多光束干涉相位提取》一文中研究指出双波长干涉解决了传统单波长干涉检测中2π相位模糊问题。然而,双波长斐索干涉仪测量反射系数较高的光学元件时会发生多光束干涉。合成波长相位通常采用多光束干涉算法分别解调单波长相位后求解获得,但其求解过程耗时且繁琐。为简化其处理过程,本文提出了一种结合被测相位整数和小数部分的合成波长相位求解算法(本文来源于《第十六届全国光学测试学术交流会摘要集》期刊2016-09-25）
刘晓华,刘艳芬[5]（2016）在《多光束干涉下的LED光谱像差校正技术》一文中研究指出对LED光谱像差进行准确校正,可以准确获取研究对象的空间及光谱信息,在光学领域具有重要的应用价值。但在矫正光谱像差时往往伴随着光学面多次反射、透射的多光束干涉,导致提取的LED光谱的特征具有畸变性。传统方法不能准确描述多光束干涉图与LED光谱之间的关系,无法消除多光束干涉干扰,降低了LED光谱校正的准确性。为提高校正准确性,提出一种基于奇异值分解的多光束干涉下的LED光谱像差校正方法。采用多光束干涉成像光谱仪进行处理,获得多光束干涉信息的图像;利用方程组准确描述多光束干涉图与LED光谱之间的关系,并利用奇异值分解的方法求解方程组,最终得到准确LED光谱像差的校正结果。仿真结果表明,利用改进算法能够获得准确的多光束干涉下的LED光谱像差校正结果。(本文来源于《计算机仿真》期刊2016年07期）
张伟[6]（2016）在《结合分子束外延和脉冲激光多光束干涉技术的空间有序InAs/GaAs(001)量子点生长的研究》一文中研究指出InAs/GaAs量子点在量子点半导体激光器、量子点红外探测器、单光子光源和量子点太阳能电池等领域有广泛的应用前景。半导体量子点的制备方法通常有应变自组织生长和在图形化衬底上生长空间有序量子点。自组织生长的量子点材料缺陷少,光电特性优良,但量子点的成核位置随机,尺寸和密度难以精确控制,使得量子点材料在实际应用中受到限制。为控制量子点的成核位置,通常采用在图形化衬底上生长空间有序量子点的方法。但由于在衬底图形化的过程中,需要进行反复的光刻和缓冲层的再生长,因此不可避免的在衬底中引入缺陷和杂质,从而对量子点及光电器件产生不利影响。为实现基于量子点材料体系的光电器件的广泛应用,有必要探索开发新的制备方法,以获得具有良好光电特性的空间有序量子点。论文结合分子束外延和脉冲激光多光束干涉技术,探索研究了一种新的空间有序的InAs/GaAs(001)量子点的制备方法,即在量子点的生长过程中,对样品进行脉冲激光四光束干涉的原位辐照。由于激光作用后,样品表面形貌和化学组分呈现出与干涉光场对应的周期变化,从而实现对量子点成核位置的调控。针对上述的研究目标和实验方案,论文分别研究了分子束外延技术自组织生长InAs/GaAs(001)量子点,单光束紫外纳秒脉冲激光原位辐照对InAs/GaAs(001)量子点生长的影响,激光多光束干涉光刻图样及光刻,紫外纳秒脉冲激光干涉原位辐照调控生长空间有序InAs/GaAs(001)量子点。量子点生长中应需要根据实际的需要选取合适的生长条件,论文首先研究了衬底温度、生长速率和InAs沉积厚度等生长条件对InAs/GaAs(001)量子点形貌和密度的影响。在较高的衬底温度和较慢的生长速率下,In原子在样品表面的迁移长度较大,从而有利于形成低密度、大尺寸的量子点,反之则有利于形成高密度、小尺寸的量子点。随着沉积量的不断增加,量子点的密度和尺寸也不断增加,但过量的沉积则会产生失配位错。研究结果为后续空间有序量子点生长条件的选择提供了参考。为研究量子点的生长过程中,脉冲激光原位辐照对inas/gaas材料体系的作用效果、作用机制以及对量子点生长的影响,实验中利用单光束的紫外纳秒脉冲激光原位辐照样品表面。原子力显微镜的测试结果发现,inas浸润层表面出现显着的原子层移除和开口为椭圆形的纳米孔。浸润层表面形貌的变化是由光致电激发诱导的原子脱附效应引起的,而高温下in原子的不稳定、易脱附加剧了这一效果。原位的脉冲激光辐照对量子点的成核产生重要影响。一方面由于in原子的脱附,使得激光辐照区域量子点的成核相对无辐照区域的出现延迟,另一方面,较高能量密度的脉冲激光辐照产生的纳米孔,由于表面化学势低,成为量子点优先成核的位置。研究结果表明,利用脉冲激光诱导的原子脱附对样品表面形貌、化学组分的改变,可以调控量子点的生长。对激光多光束干涉图样和光刻的研究为脉冲激光多光束干涉原位辐照的实验做了理论上和技术上的储备。根据电磁场理论,多光束激光干涉光场的能量分布是各光束复振幅之和的平方,相干光的光强比、入射方向和偏振方向是干涉图样的重要影响因素。数值模拟的结果表明,改变这些因素可以获得不同分布和不同对比度的干涉图样。利用大功率脉冲激光的烧蚀效应可以将干涉图样直接转移到半导体样品表面。实验中在epi-ready(用于外延生长的)和homo-epitaxial(经同质外延生长后的)gaas基片表面制备了与干涉图样对应的周期的纳米结构。基于热传导模型的样品表面温度分布的计算表明,在光热效应导致的温度场的作用下,样品表面出现了材料的移除和熔融物质的转移,从而形成最终的表面形貌。此外,激光干涉烧蚀的结果表明,对传统的空间有序量子点生长,在制备图形化衬底过程中不可避免地对衬底造成损伤,不利于量子点的光电特性。在量子点的生长过程中,利用紫外纳秒脉冲激光四光束干涉原位辐照调控生长了空间有序的inas/gaas(001)量子点。激光辐照后,样品表面ingaas互混层出现与干涉图样对应的纳米孔和纳米岛阵列。由于脉冲激光截面能量分布的不均匀,导致样品表面干涉光场的强度和对比度随位置发生变化,其中在强度低、对比度高的区域有利于形成纳米孔结构,在强度高对比度低的区域有利于形成纳米岛结构。InGaAs互混层形貌的变化是由光致电激发诱导的原子脱附效应引起的,但由于干涉光场强度的最大值是单光束原位辐照实验中的3倍,激光的作用效果发生在表面3至5个原子层内。激光干涉辐照使样品表面形貌和化学组分呈现出与干涉光场对应的周期变化,从而对量子点的生长产生重要影响。一方面纳米岛区域和纳米孔以外的区域是富In的区域,有利于量子点的提前成核,另一方面纳米结构的边缘是样品表面吸附的In原子与衬底结合的优先位置,从而也是量子点优先成核的位置。对尺寸较小的纳米岛结构(尺寸50nm至70nm,高度1至3个原子层),由于生长过程中量子点与浸润层和衬底之间的物质交换,纳米岛被其周围的量子点合并,样品表面最终呈现有序的量子点阵列。根据作者的文献调研,目前尚未有其他研究组采用类似的实验方法制备空间有序量子点。论文中所述的实验方法,相比于传统的图形化衬底上制备的空间有序量子点,在制备过程中未引入任何杂质,对衬底的破坏仅限于样品表面3至5个原子层厚度的InGaAs互混层内,为制备具有优良光电特性的空间有序量子点提供了一种可行方案。论文中的研究对实现基于量子点材料体系的光电器件的广泛应用有积极的意义。(本文来源于《苏州大学》期刊2016-05-01）
马丽娜,张锦,蒋世磊,孙国斌,杨国锋[7]（2015）在《入射光束角度及强度偏差对多光束干涉光刻结果的影响》一文中研究指出建立了多光束干涉光刻干涉场内光强分布的数学模型,仿真计算了双光束、叁光束、四光束干涉曝光情况下,入射光束存在角度偏差以及各入射光强不同时的干涉图样,并与理想状态的模拟结果进行对比.结果表明:光束入射角度偏差主要影响干涉图样的形状和周期;入射光的光强不同是降低图形对比度的主要因素.利用402nm波长激光光源进行多光束干涉光刻实验.设定激光器输出功率32mW,每两束光夹角为16°,通过控制曝光、显影工艺,双光束干涉光刻产生周期为1.4μm的光栅、点阵和孔阵结构,叁光束干涉光刻产生周期为1.7μm的六边形图形阵列.该模型可为利用干涉光刻技术制备微细周期结构,提高光刻图形质量,提供一定的理论参考.(本文来源于《光子学报》期刊2015年10期）
李晶,巩岩,廖家胜,张巍[8]（2014）在《基于多光束干涉的长程轮廓仪》一文中研究指出为提高长程轮廓仪(LTP)面型检测的精度,提出一种使用波面型等光程多光束分束器的LTP。该分束结构可将入射光束分成若干束等光强等光程的相干光。在理论上分析计算了傅里叶变换(FT)透镜焦平面上干涉条纹的位置和强度分布,探究了零级干涉主极大条纹宽度、振幅和±1级干涉主极大条纹振幅与多光束分束器各结构参数之间的关系。通过选取合适的参数设计了基于多光束干涉原理的新型分束器,并与传统分束器进行了仿真实验比较,设计了测量系统中的准直镜和FT透镜,在Zemax软件中建立了完整的光学系统模型,并对该模型进行了实验验证。结果表明多光束干涉长程轮廓仪可以实现对被测表面斜率的测量,其在探测面上的干涉条纹宽度比传统双光束干涉窄,光强也更加集中,可以提高LTP的测量精度。(本文来源于《光学学报》期刊2014年03期）
代洪霞,刘启能[9]（2013）在《一维有限周期光子晶体全反射隧穿的多光束干涉理论》一文中研究指出为了解释一维有限周期光子晶体全反射隧穿效应的产生原因,利用多光束干涉理论得出了一维有限周期光子晶体的全反射隧穿导带的透射率公式和频率中心公式,成功地解释了一维有限周期光子晶体的全反射隧穿现象的产生原因。利用透射率公式和频率中心公式研究了全反射隧穿导带随周期数、周期光学厚度以及入射角的变化规律。(本文来源于《激光杂志》期刊2013年06期）
杜述松,王咏梅,陶然[10]（2013）在《多光束干涉光谱成像技术》一文中研究指出法布里-珀罗(F-P)干涉仪是一种多光束干涉仪,具有极高的光谱分辨率,一般用于研究光谱的精细结构。FP干涉仪的应用受限于自由光谱范围,如果波长超过自由光谱范围,将无法得到光谱的精细结构。基于F-P干涉仪,采用方程组来描述干涉图与光谱曲线之间的关系,并通过奇异值分解方法来解方程组,求出宽谱段范围的光谱曲线,使F-P干涉仪成为一种多光束干涉光谱成像仪,可用于遥感等领域;但奇异值分解法求解光谱曲线,对图像噪声较为敏感,通过仿真结果可以看出,干涉图噪声需控制在0.2%以内才能较好地复原出光谱曲线。(本文来源于《光学学报》期刊2013年08期）
多光束干涉论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用多光束法对牛顿环干涉问题进行了研究,建立了牛顿环多光束干涉的理论模型.通过对多光束相干光波的复振幅相加,得出了牛顿环多光束干涉反射光和透射光的强度公式.通过数值计算,描绘了不同反射率下的反射光和透射光的相对强度分布曲线,仿真了不同反射率下的反射光和透射光的干涉条纶分布图样.结果表明,采用多光束法研究适用于不同反射率下的牛顿环干涉,在实际应用中多采用透射光干涉,同时要求反射率适中.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多光束干涉论文参考文献
[1].朱高峰,胡鑫,朱红求,胡恩泽,朱剑平.基于TDLAS检测西林瓶内氧气浓度的多光束干涉抑制方法[J].光谱学与光谱分析.2018
[2].吕波.牛顿环多光束干涉仿真[J].西南师范大学学报(自然科学版).2017
[3].郭小花,张明霞.多光束干涉的扩展研究[J].天水师范学院学报.2016
[4].成金龙,高志山,袁群.双波长斐索干涉测试中的多光束干涉相位提取[C].第十六届全国光学测试学术交流会摘要集.2016
[5].刘晓华,刘艳芬.多光束干涉下的LED光谱像差校正技术[J].计算机仿真.2016
[6].张伟.结合分子束外延和脉冲激光多光束干涉技术的空间有序InAs/GaAs(001)量子点生长的研究[D].苏州大学.2016
[7].马丽娜,张锦,蒋世磊,孙国斌,杨国锋.入射光束角度及强度偏差对多光束干涉光刻结果的影响[J].光子学报.2015
[8].李晶,巩岩,廖家胜,张巍.基于多光束干涉的长程轮廓仪[J].光学学报.2014
[9].代洪霞,刘启能.一维有限周期光子晶体全反射隧穿的多光束干涉理论[J].激光杂志.2013
[10].杜述松,王咏梅,陶然.多光束干涉光谱成像技术[J].光学学报.2013
论文知识图
