论文摘要
SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注。因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要意义。本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500℃的Ar气氛下,通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO2纳米电缆。该核壳的纳米电缆是由单晶β-SiC核心和无定形SiO2壳组成,其长度达几百微米,直径为60～80 nm,而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺寸。结合实验数据并依据气–固（VS）机理解释了SiC@SiO2纳米电缆的形成过程,同时也进一步丰富了该生长机制,为其工业化生产提供了参考。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 田兆波,陈克新,孙思源,张杰,崔巍,刘光华
关键词: 碳化硅,纳米电缆,碳热还原,无催化剂
来源: 无机材料学报 2019年11期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,电力工业
单位: 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
分类号: TM24;TB383.1
页码: 1217-1221
总页数: 5
文件大小: 482K
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