导读:本文包含了局域态密度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:密度,超导体,杂质,磁性,理论,表面,近似。
局域态密度论文文献综述
王博翔,赵长颖[1]（2019）在《相干散射机制对微纳无序介质中光子局域态密度的影响研究》一文中研究指出微纳无序介质中复杂的热辐射电磁波的多重散射现象,对光子局域态密度有着较大的影响,目前对该机制的研究尚较为欠缺。本文从数值计算和理论分析两方面入手,深入探究了微纳无序介质中的相干散射机制对其中光子局域态密度的影响。本文随机生成了硬球堆积结构,将散射体对电磁波的响应简化为偶极子,建立了耦合偶极子模型,对考虑多体散射的光子局域态密度进行严格求解。同时,本文基于准晶体近似,推导了考虑相干散射的光子局域态密度的理论计算公式,并与独立散射、Maxwell-Garnett等效介质理论进行了对比,结果表明,准晶体近似较为准确地考虑了随机介质中粒子排布的位置关联效应,从而对相干散射影响机制的估计更为准确。(本文来源于《工程热物理学报》期刊2019年03期）
刘江山[2]（2018）在《铁基超导体中磁性杂质诱导的局域态密度的理论研究》一文中研究指出超导电性是具有巨大应用前景和重要科学意义研究课题。铁基超导体的发现是在超导领域中的重要进展。研究表明,铁基超导体是一类全新高温超导材料,其超导电性源于Fe-Fe平面内的库伯对。铁基超导体存在层状结构,并且是具有空穴型和电子型的多带超导体。这些性质有助于铁基高温超导机制的研究。本论文基于两轨道四能带紧束缚模型,我们引入了超导平均场哈密顿量和杂质项哈密顿量,利用傅里叶变换、正则变换和Bogoliubov变换将系统总哈密顿量对角化,并运用格林函数方法,得到杂质点及其附近电子局域态密度公式。杂质研究是超导领域的重要课题之一。单个磁性杂质在铁基超导体会诱导出隙内束缚态。根据两轨道四能带紧束缚模型,我们详细研究了单个磁性杂质在铁基超导体中对局域态密度的影响,并得到杂质共振峰的位置、高度与混合势(磁性势和非磁性)的关系。在杂质点附近,在一定的磁性势下存在零能共振峰,随着磁性势的变化,零能共振峰发生劈裂。杂质相干峰出现在正负能侧,并受到一定程度的抑制。本文发现在非磁性势Vs一定,磁性势Vm Vm(28)时,各点的局域态密度曲线图像基本相同。随着杂质势变化,一定范围内,共振峰对称地分布在正负能侧。我们也注意到局域态密度主要显示较强的磁性或非磁性杂质势的特征。在铁基超导体中,不同于非磁性杂质,磁性杂质在任何序参量下均产生两个(多个)杂质共振峰,与自旋上、下相联系。随着强度变化,共振峰在正负能侧交错移动,呈周期性变化。(本文来源于《四川师范大学》期刊2018-06-05）
宋晨财[3]（2018）在《基于石墨烯的超材料局域态密度研究》一文中研究指出近年来,石墨烯能够支持表面等离激元以及石墨烯性质的高度可调,常常被研究者们用于对光频从红外到太赫兹波的自发辐射率调控上。此外,双曲超材料同时支持s偏振和p偏振,具有较强的可调性;而且其色散关系等频面为双曲型,具有较高的近场辐射带宽。使得双曲超材料通常用于分析局域态密度的物理机制。本文利用有效介质理论和传输矩阵方法对基于石墨烯多层结构和碳化硅纳米线阵列的局域态密度进行了详细的分析和数值计算。首先,利用涨落耗散理论、有效介质理论和传输矩阵法理论分析了半无限大平行板的局域态密度原理。此外,还分析了石墨烯、碳化硅、超材料等不同材料的光学模型及参数。其次,分析了两种不同石墨烯覆盖超材料结构,在不同石墨烯化学势时的光学性质。为后续研究基于石墨烯超材料的局域态密度特性提供了理论基础。最后,利用有效介质理论和传输矩阵方法,理论计算了两种基于石墨烯超材料结构,在不同填充因子、不同真空距离以及不同石墨烯化学势时的局域态密度。通过对不同参数数值的理论分析,得出调控局域态密度的最优结构和最优参数。为进一步的自发辐射率调控研究工作起到一定的指导作用。(本文来源于《南昌大学》期刊2018-06-04）
刘志海[4]（2017）在《铁基超导体中缺陷诱导的局域态密度的理论研究》一文中研究指出铁基高温超导电性一经发现,便很快在凝聚态领域引起了极大的关注。与铜氧超导体类似,铁基超导体也有一个层状结构,超导电性来自于Fe-Fe平面中的库伯对。目前,铁基超导体已发展为一个庞大的家族,不同的铁基超导材料有一个相同的Fe2X2(X=As,Se,Te等)层。铁基超导体的母体化合物是具有反铁磁序的坏金属,通过电子或空穴掺杂,反铁磁序被压缩,随着掺杂浓度的进一步增加,反铁磁序最终消失,超导电性显现。但不同于空穴型单带的铜氧超导体,铁基超导体是一个空穴型和电子型混合的多带超导体。铁基超导材料是继铜氧超导体之后发现的另一个高温超导家族,它为高温超导电性的研究提供了新的平台。实验中生长的晶体往往含有缺陷,例如杂质和空穴等。铁基超导体中间隙Fe原子引起的零能束缚态已被STM实验所报道,而非磁性杂质以及As空穴也对铁基超导体中的局域态密度产生一定的影响。本文将基于一个铁基超导体中的两轨道四带紧束缚模型,分别对单个非磁性杂质和As空穴在具有?S波配对的铁基超导体中诱导的局域态密度展开研究。铁基超导体中单个非磁性杂质引起的隙内束缚态可以用来区分S波和?S波配对对称性。本文基于一个两轨道四带紧束缚模型,详细地研究了在具有?S波配对对称性的铁基超导体中单个非磁性杂质对局域态密度的影响,获得了杂质共振峰的高度、位置与杂质势的关系。本文中发现在一定的杂质势范围内正、负能侧杂质共振峰出现的位置是对称的,当Vs>0.40 e V时正能侧的共振峰分裂为两个峰,在Vs=0.70 e V附近区间在次近邻点上的局域态密度中可以观察到四个明显的杂质共振峰。像这样的隙内束缚态可以通过扫描遂穿实验直接观测。本文也基于该两轨道四带紧束缚模型,给出了存在As空穴时的哈密顿量,并利用正则变换及波戈留波夫变换将总的哈密顿量对角化。通过求解费米子湮灭算符和格林函数的运动方程,经过一系列繁琐但直接地计算,最终分别给出了亚晶格A和亚晶格B上的局域态密度表达式。(本文来源于《四川师范大学》期刊2017-06-10）
周婷,王同标,廖清华,刘江涛,于天宝[5]（2017）在《周期性孔阵列金属表面附近的局域态密度》一文中研究指出研究了具有周期性孔阵列的金属表面附近的电磁局域态密度(EM-LDOS),详细讨论了孔的填充因子和孔内填充介质对EM-LDOS的影响。相对于金属平板,具有孔阵列的金属表面附近的EM-LDOS的共振峰会发生分裂;随着填充因子的增加,横向表面等离子体激元的共振峰向低频方向移动,而纵向表面等离子体激元的共振峰向高频方向移动。当孔内填充具有更大介电常数的材料时,EM-LDOS谱中分裂的两个峰都会向低频方向移动,但低频峰的移动相对于高频峰的更为显着。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2017年07期）
郑铁军[6]（2016）在《铁基超导体的费米面和非磁性杂质诱导的局域态密度的理论研究》一文中研究指出自二零零八年一系列铁基超导体发现以来,这些材料中的高温超导电性一直是凝聚态物理中的热门课题。铁基超导体具有与铜氧超导体类似的层状结构,它的能带结构和费米面都比铜氧超导体复杂。掺加杂质或者压力效应下都会使铁基超导体的电子态发生变化。本论文根据一个二轨道四带紧束缚模型研究了与铁-砷(硒、碲)键相联系的动能参数对铁基超导体费米面的影响。通过调节动能参数,我们获得了围绕布里渊区Γ点的两个空穴型(α和β)费米面和围绕布里渊区M点的两个电子型(γ和δ)费米面的变化趋势,即动能参数t1、t2和t3可以改变空穴型费米面和电子型费米面的形状和大小,动能参数t4控制了两个空穴型费米面的间距和两个电子型费米面的间距。本论文还根据平均场BCS理论和非磁性杂质方面的知识构建了非磁性杂质系统的总哈密顿量。通过波戈留波夫变换对系统总哈密顿量进行对角化,再运用格林函数方法计算了铁基超导体的非磁性杂质诱导的局域态密度公式。本论文分为四章:第一章,主要介绍了超导体的基本性质和铁基超导体的四种分类以及它们的费米面和晶格结构。第二章,基于二轨道四带紧束缚模型研究了动能参数对铁基超导体费米面的影响。第叁章,先简要的介绍了扫描隧道显微镜(STM)实验和杂质对铁基超导体的影响,并根据波戈留波夫变换和格林函数等方法详细的推导了非磁性杂质的态密度公式。第四章,我们对全文进行了总结。(本文来源于《四川师范大学》期刊2016-04-27）
卢洋藩,陈匆,曾昱嘉,叶志镇[7]（2016）在《ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量》一文中研究指出量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器件有源层的需求,采用金属有机化学气相沉积方法,自组装生长了ZnO量子点,并对该量子点的局域态密度进行了测量。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布在衬底表面,直径约10~15nm;PL谱显示ZnO量子点的发光波长随量子点的直径增加而红移。采用STM/STS测量了ZnO量子点表面的局域态密度,并在部分量子点中观测到禁带中分立、对称的能级,结果分析表明这些禁带中的能级源自VO-VZn的形成。(本文来源于《中国科技论文》期刊2016年04期）
刘春旭[8]（2014）在《在β-NaGdF_4∶Tb~(3+)纳米晶中~5D_3→~5D_4的多声子弛豫与局域态密度》一文中研究指出实验研究了从体材料到纳米晶(NCs)系统中涉及大能隙(5 800 cm-1)的多声子弛豫(MR)。在MR非线性理论框架下,用单频近似声子谱分析了β-Na Gd F4∶Tb3+NCs中Tb3+:5D3→5D4的MR速率与温度的关系。在12~312 K范围内,实验数据与理论曲线符合得很好。结果表明,MR的产生主要是能量较大的光学声子起作用。在Rayleigh极限下,假设Tb3+发射体位于一个纳米球的中心,使用Green张量方法计算了自发衰减速率Гrad。在纳米球内没有发现局域态密度(LDOS)的明显改变。然而,当R<35 nm时,在Chew理论的基础上获得在球外LDOS的一个新的高斯分布。(本文来源于《发光学报》期刊2014年12期）
逄娜娜,杨双生,袁峰[9]（2014）在《非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响》一文中研究指出从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程对CuO2平面外和平面内同时存在非磁性杂质时对gossamer超导体电子局域态密度的影响进行了研究。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性。当平面内杂质不是很强时,平面外杂质使其附近超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而由于平面内外同时存在的杂质而导致CuO2平面内电子的分布在更大范围内在纳米尺度上存在着显着的不均匀性。(本文来源于《青岛大学学报(自然科学版)》期刊2014年03期）
刘春旭[10]（2013）在《β-NaGdF_4纳米球中Tb~(3+)-Er~(3+)下转换对局域态密度的尺寸效应》一文中研究指出以Span 80为模板,采用水热法合成了不同尺寸(4.7～115.5 nm)的β-NaGdF4∶1%Tb3+,1%Er3+纳米晶(NCs)。在Rayleigh限(粒子尺寸小于跃迁波长)下,研究了纳米晶尺寸对局域态密度(Local density of states,LDOS)的影响以及镶嵌在β-NaGdF4纳米球中的Tb3+-Er3+的辐射和无辐射特性,进一步揭示下转换过程的物理机制。基于Tb3+-Er3+处在β-NaGdF4纳米球中的模型,用Green函数方法计算了Tb3+-Er3+发射体的自发发射速率。在介电纳米球内,Tb3+-Er3+发射体的LDOS没有显着的变化。在小尺寸(Rλ)介电纳米球外,按照Chew的理论,发现LDOS有一个类-Gauss分布。如果R>35 nm(在本实验条件下),介电纳米球外则只能观测到LDOS的下降边,LDOS与局域场强的平方E2成正比,因而LDOS的类高斯分布出现的原因应归于小尺寸发射体与局域场相互作用的增强。通过计算纳米晶尺寸与体材料自发辐射速率的比值可直接确定纳米材料中的填充因子。(本文来源于《发光学报》期刊2013年12期）
局域态密度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
超导电性是具有巨大应用前景和重要科学意义研究课题。铁基超导体的发现是在超导领域中的重要进展。研究表明,铁基超导体是一类全新高温超导材料,其超导电性源于Fe-Fe平面内的库伯对。铁基超导体存在层状结构,并且是具有空穴型和电子型的多带超导体。这些性质有助于铁基高温超导机制的研究。本论文基于两轨道四能带紧束缚模型,我们引入了超导平均场哈密顿量和杂质项哈密顿量,利用傅里叶变换、正则变换和Bogoliubov变换将系统总哈密顿量对角化,并运用格林函数方法,得到杂质点及其附近电子局域态密度公式。杂质研究是超导领域的重要课题之一。单个磁性杂质在铁基超导体会诱导出隙内束缚态。根据两轨道四能带紧束缚模型,我们详细研究了单个磁性杂质在铁基超导体中对局域态密度的影响,并得到杂质共振峰的位置、高度与混合势(磁性势和非磁性)的关系。在杂质点附近,在一定的磁性势下存在零能共振峰,随着磁性势的变化,零能共振峰发生劈裂。杂质相干峰出现在正负能侧,并受到一定程度的抑制。本文发现在非磁性势Vs一定,磁性势Vm Vm(28)时,各点的局域态密度曲线图像基本相同。随着杂质势变化,一定范围内,共振峰对称地分布在正负能侧。我们也注意到局域态密度主要显示较强的磁性或非磁性杂质势的特征。在铁基超导体中,不同于非磁性杂质,磁性杂质在任何序参量下均产生两个(多个)杂质共振峰,与自旋上、下相联系。随着强度变化,共振峰在正负能侧交错移动,呈周期性变化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
局域态密度论文参考文献
[1].王博翔,赵长颖.相干散射机制对微纳无序介质中光子局域态密度的影响研究[J].工程热物理学报.2019
[2].刘江山.铁基超导体中磁性杂质诱导的局域态密度的理论研究[D].四川师范大学.2018
[3].宋晨财.基于石墨烯的超材料局域态密度研究[D].南昌大学.2018
[4].刘志海.铁基超导体中缺陷诱导的局域态密度的理论研究[D].四川师范大学.2017
[5].周婷,王同标,廖清华,刘江涛,于天宝.周期性孔阵列金属表面附近的局域态密度[J].激光与光电子学进展.2017
[6].郑铁军.铁基超导体的费米面和非磁性杂质诱导的局域态密度的理论研究[D].四川师范大学.2016
[7].卢洋藩,陈匆,曾昱嘉,叶志镇.ZnO自组装量子点的生长及局域态密度测量[J].中国科技论文.2016
[8].刘春旭.在β-NaGdF_4∶Tb~(3+)纳米晶中~5D_3→~5D_4的多声子弛豫与局域态密度[J].发光学报.2014
[9].逄娜娜,杨双生,袁峰.非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响[J].青岛大学学报(自然科学版).2014
[10].刘春旭.β-NaGdF_4纳米球中Tb~(3+)-Er~(3+)下转换对局域态密度的尺寸效应[J].发光学报.2013
论文知识图
