导读:本文包含了功率开关管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:功率,故障,逆变器,特性,功耗,电流,故障诊断。
功率开关管论文文献综述
李战[1]（2019）在《非侵入式逆变器功率开关管故障和电流传感器故障诊断方法研究》一文中研究指出电力电子变换器在许多能源系统中发挥着关键的接口作用,却又是故障高发环节。因此,提高其可靠性、实现不间断运行和减少停机时间是研究的热点。对变换器进行快速故障诊断是进行及时保护、容错运行的前提,还能减轻检修负担,因此具有重要的应用价值。对变换器非侵入的情况下,即不增加硬件诊断电路、利用已有信号,进行快速和可靠的故障诊断依然是值得研究的问题。本文以两电平逆变器为研究对象,对易发的功率开关管开路故障和电流传感器故障诊断问题进行了研究,并提出了四种诊断方法。首先,针对单电压环控制的叁相逆变器,本文提出了基于相电压故障特征的功率开关管故障诊断方法。通过对逆变器故障后输出电压的状态进行分析,发现故障相的相电压会出现特定半周期的近零电压故障特征。基于该故障特征,本文构建了一种滑窗计数算法来实现故障诊断。该方法只需要输出电压信息,计算量小,实现简单。跟已有的基于输出电压的诊断方法相比,所提方法具有更快的诊断速度,能实现多管故障同时诊断。其次,面向输出电压、电流同时采样的叁相逆变器应用场合,本文提出了基于误差自适应阈值的功率开关管故障诊断方法。本文首先对逆变器桥臂电压故障特征进行深入分析,给出了不同故障下桥臂电压的偏差特征。针对叁线制逆变器和四线制逆变器,分别推导了桥臂间和桥臂中点电压的平均模型。对于电感值受电流偏置影响大的情况,建立了更准确的变电感修正模型。此外,详细分析了采样误差、参数偏差、死区时间等造成的计算误差,并提出了自适应于这些误差的灵活阈值方法来保证鲁棒性。所提方法使诊断速度提高至开关周期级别,解决了基于模型的方法对误差敏感和阈值选取困难的问题。此外,对于单相逆变器功率开关管故障,本文提出了基于故障后重构算法的诊断方法。将前面所提的叁相逆变器诊断方法用到单相逆变器时,只能实现故障检测而无法实现故障定位。故障后重构算法,即在检测到故障后将系统重构为特定的运行状态,从而使故障可定位。针对是否含有冗余桥臂,本文提出基于控制重构和基于冗余桥臂重构的两种诊断算法。所提方法提高了诊断速度,解决了无法在逆变运行模式下进行诊断的问题。所提的故障后重构算法对故障诊断提供了一种新思路,具有应用到其它场合和拓扑的潜力。最后,本文将叁相逆变器功率开关管故障诊断方法,拓展为功率开关管故障和电流传感器故障综合诊断方法。功率开关管故障和传感器故障的特征相互耦合,如果只考虑其中一种故障,则另一种故障发生时容易引起误诊断。本文首先建立了输出线电压和相电压的偏差模型,并分析得到了不同故障下的偏差特征,然后推导了相应的诊断变量和阈值的计算。此外,本文还考虑了叁相系统不对称的情况。将叁相不对称引起的误差进行定量分析并加入到阈值中,来提高诊断方法的适应性和鲁棒性。所提方法是目前唯一能实现仅有两个电流传感器的叁相逆变器中两种故障综合诊断的方法,而且诊断速度快。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-09-01）
徐克峰,秦海鸿,刘清,王丹,张英[2]（2016）在《SiC功率开关管短路特性分析及保护综述》一文中研究指出为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路检测及保护方法进行了对比分析和归纳,最后进一步探讨和总结了SiC开关管短路能力及短路保护中存在的问题。(本文来源于《上海电机学院学报》期刊2016年05期）
张千帆,董帅,周超伟,程树康[3]（2016）在《Z源逆变器直通电流回路及功率开关管电流应力分析》一文中研究指出Z源逆变器直通方式按桥臂直通数目可以分为单相、两相和叁相直通,其中叁相直通方式较其他两种具有开关管电流应力更小的特点。现有文献分析叁相直通方式下功率开关管的最大电流应力是在直通电流比较大的基础上得出的,其值要大于负载相电流峰值。本文揭示了小电压增益和低功率因数下,功率开关管的最大电流应力与负载相电流峰值相等。并详细分析了叁相直通方式时不同直通电流下负载的电流回路,为进一步分析开关管损耗、温升和热管理奠定基础;揭示了当Z源逆变器工作于直通状态,直通电流不同时负载的电流回路也不尽相同。针对不同的电流情况,得出了相应的开关管电流应力表达式,为叁相直通方式下选择开关管的功率等级提供了依据。实验验证了理论分析的正确性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2016年04期）
孙晓云,同向前[4]（2013）在《VSC-HVDC系统功率开关管故障特性分析与诊断》一文中研究指出针对柔性直流输电系统(VSC-HVDC)的IGBT阀的功率开关管开路故障问题,分析了系统IGBT阀开路故障的运行特性,得到了交流故障电流的变化规律,证明了功率开关管开路故障导致网侧电流出现直流分量的原因。提出一种基于故障电流特征的诊断定位方法,通过滑动统计各相电流在一个工频周期内的"0标记"数值可以确定故障所在相,依据故障相电流直流分量的正负号可以判定故障元件的位置。仿真算例的结果表明,文中方法可以实时准确地确定故障位置,且诊断结果不受输电功率大小的影响。(本文来源于《高压电器》期刊2013年09期）
晏杰,闫英敏,赵霞,赵志宁[5]（2013）在《伺服驱动器功率开关管故障检测仪设计》一文中研究指出以TMS320LF2407A DSP作为核心处理器,设计了一种基于电机电流信号分析法的伺服驱动器功率开关管故障检测仪。该检测仪使用了小波多分辨率分析的方法从伺服驱动器的输出电流信号中提取开关管开路故障特征向量。实验结果表明了所设计检测仪的可行性和有效性。(本文来源于《价值工程》期刊2013年01期）
沙占友,王彦朋[6]（2012）在《功率开关管及LED驱动芯片的散热器设计》一文中研究指出开关电源不仅应具有抑制电磁干扰(EMI)的能力,而且它所产生的电磁干扰也必须低于规定的限度,不得影响同一电磁环境中其他电子设备的正常工作。与此同时开关电源还必须符合安全规范(简称安规),这是开关电源能长期稳定工作的可靠保证。(本文来源于《电源技术应用》期刊2012年07期）
沙占友,马洪涛[7]（2012）在《功率开关管及LED驱动芯片的散热器设计》一文中研究指出功率开关管(简称MOSFET)是开关电源的核心器件,这里讲的MOSFET可以是分立的,也可以集成在LED驱动芯片之中首先阐述分立式MOSFET散热器的设计方法、注意事项及设计实例;然后介绍通过计算平均功耗来完成单片LED驱动电源散热器设计的方法,并给出设计实例(本文来源于《电源技术应用》期刊2012年06期）
黄淮[8]（2008）在《用于Buck电路的低压功率开关管的功耗研究》一文中研究指出本文的目标是找出具有更低功耗的新型器件结构,以满足以手提电脑中CPU电源电路对功率管的功率损耗提出的日益苛刻的要求。随着CPU性能的迅速提高,对CPU电源用功率管的自身损耗提出了更高的要求。目前广泛使用的MOSFET功率管由于自身结构的限制,发展潜力已经不大,国际上开始研究将常断型JFET和常通型JFET用于该用途。本研究在常规沟槽栅JFET结构的基础上,提出了创造性的改进,即把沟槽栅下的临近电极处的部分Si层替换为绝缘的且电容率仅为硅1/3的SiO2层,以此来减小栅沟PN结的面积和介质的电容率来有效的减小栅-漏电容CGD,从而减小开关损耗。为了检验创新结构的效果,本文对本研究提出的新结构以及现有国际上先进的常断,常通JFET结构,和沟槽栅MOSFET结构进行了仿真研究与对比。利用ISE仿真软件,研究了五种结构器件的静态特性和开关特性。最后,计算出开关器件的功耗,进行了对比分析。结果证明,在这些器件的典型工作电流ID=15A时,常通JFET尤其是埋氧常通JFET相比MOSFET已经有了明显的功耗优势,并且随着开关频率越高,漏极电流越低,JFET的功耗优势越明显。并且,常通型JFET优于常闭型JFET,新型埋氧JFET优于常规无埋氧结构JFET。在ID=4A,f=2MHZ时,常规常断JFET比MOSFET降低功耗31.1%,新型埋氧常断JFET降低功耗34.6%,常规常通JFET降低功耗34.2%,新型埋氧常通JFET降低功耗47.6%。(本文来源于《北京工业大学》期刊2008-04-01）
张娜,亢宝位,田波,韩峰,吴郁[9]（2006）在《电源用低压高频功率开关管的新希望—正偏沟槽栅JFET研究》一文中研究指出为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步。本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET,结果证明它比MOSFET具有低得多的高频功率损耗,并且也具有 MOSFET的通态电阻正温度系数从而可防止热奔的优点,为电源用高频低压功率开关管的发展指明了一个新的有希望的方向。(本文来源于《2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集》期刊2006-09-01）
刘振来,叶浩屹,胡磊,何湘宁[10]（2004）在《一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路》一文中研究指出针对1kVA高频在线式UPS主功率电路的设计,并结合实际电路调试中所遇到的问题,提出了一种实用的电路———逆变桥功率开关管门极关断箝位电路熏它可以有效地抑制开关管门极的干扰,从而提高电路的可靠性;同时给出了部分电路的实验波形和实验结果。(本文来源于《电子技术应用》期刊2004年01期）
功率开关管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路检测及保护方法进行了对比分析和归纳,最后进一步探讨和总结了SiC开关管短路能力及短路保护中存在的问题。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
功率开关管论文参考文献
[1].李战.非侵入式逆变器功率开关管故障和电流传感器故障诊断方法研究[D].浙江大学.2019
[2].徐克峰,秦海鸿,刘清,王丹,张英.SiC功率开关管短路特性分析及保护综述[J].上海电机学院学报.2016
[3].张千帆,董帅,周超伟,程树康.Z源逆变器直通电流回路及功率开关管电流应力分析[J].电工技术学报.2016
[4].孙晓云,同向前.VSC-HVDC系统功率开关管故障特性分析与诊断[J].高压电器.2013
[5].晏杰,闫英敏,赵霞,赵志宁.伺服驱动器功率开关管故障检测仪设计[J].价值工程.2013
[6].沙占友,王彦朋.功率开关管及LED驱动芯片的散热器设计[J].电源技术应用.2012
[7].沙占友,马洪涛.功率开关管及LED驱动芯片的散热器设计[J].电源技术应用.2012
[8].黄淮.用于Buck电路的低压功率开关管的功耗研究[D].北京工业大学.2008
[9].张娜,亢宝位,田波,韩峰,吴郁.电源用低压高频功率开关管的新希望—正偏沟槽栅JFET研究[C].2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会论文摘要集.2006
[10].刘振来,叶浩屹,胡磊,何湘宁.一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路[J].电子技术应用.2004
论文知识图
