导读:本文包含了热等静压后处理论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:静压,后处理,高温,液相,碳化硅,铁氧体,合金。
热等静压后处理论文文献综述
王志刚[1]（2011）在《选择性激光熔化成形及热等静压后处理微观研究》一文中研究指出选择性激光熔化成形(Selective Laser Melting,SLM)技术作为一种新型的快速成形技术在缩短零件研发周期,直接制造高性能复杂零部件有很大的优势。国内外已经对其原理做了一定的研究,但是SLM制件仍存在诸多缺陷,性能不高,限制了其广泛应用。本文以镍及镍基高温合金GH4169、AISI316L不锈钢为代表材料,通过研究表面形貌,金相组织、显微硬度,相对密度等对SLM成形前的准备工作提高SLM成形质量、调整工艺参数以提高其制件性能、通过热等静压(hot isostatic pressing,HIP)对SLM制件后处理以提高其性能等方面进形了研究。研究结果表明:(1)选用合适的粉末、基板、保护气并对其进行前处理会提高SLM成形质量;(2)激光功率越高扫描线宽越大;扫描速度越低扫描线宽越大;铺粉层厚越大,扫描线球化趋势越明显,零件相对密度越低;保护气氛中氧含量越多,扫描球化现象越明显;扫描搭接率适中(40%~60%)时面扫描球化现象不明显,表面精度越好。(3)SLM制件经过HIP后,真空裂纹完全愈合,试样中不规则孔体积缩小,且形状变为球形或者近球形。对于层厚较小,层与层之间粘结紧密,相对密度较高的零件HIP后晶粒更粗大;层厚较大,层间存在少许粘结不良,但孔洞大部为闭合孔,HIP后晶粒细小且沿SLM加工层间分布。SLM制件经过HIP后,相对密度都有一定的提升,尤其是对于闭合孔较多的制件中相对密度提升很大;而对于大部为通孔的零件,高压气体可以进入到孔隙中,相对密度提升有限;HIP后样品中仍然存在机械性能的各向异性,显微硬度与材料距离表面的距离关系不大。通过本文的研究结果,可以对SLM成形前、成形中、成形后提升制件性能进行指导。(本文来源于《华中科技大学》期刊2011-01-01）
张丽[2]（2009）在《工程陶瓷热等静压后处理研究》一文中研究指出工程陶瓷具有优良的物理、机械性能,被广泛应用于机械、化工、能源、海洋工程、装甲防护、航空航天、生物工程等领域。本文采用目前国际上先进的陶瓷生产工艺——热等静压(HIP),以应用较为广泛的氮化硅(Si_3N_4)、氧化锆(ZrO_2)、碳化硅(SiC)和氧化铝(Al_2O_3)四种工程陶瓷为研究对象,探讨HIP后处理工艺对四种工程陶瓷的性能影响及其致密化机理,首次提出采用球体压碎载荷的Weibull模数作可靠性评估。Si_3N_4陶瓷的HIP后处理,首先选用氩气和氮气两种气氛进行对比分析,确定氩气气氛相对于氮气气氛更为合适;对于不同的压力条件,通过试验结果分析,150MPa压力条件的HIP后处理相对比较合适;在不同的温度条件下进行HIP后处理,在1750～1800℃温度范围,Si_3N_4的性能改善比较好,其体积密度和硬度HV10分别达到3.258g/cm~3和14.61GPa,比未处理前分别提高了0.28%和6.10%;直径4.7mm叁球压碎载荷达到7.32kN,比未处理前提高了17.67%,Weibull模数为19.46;叁点抗弯强度达到1055MPa,比未处理前提高了32.21%,Weibull模数为9.03;试样抛光面的气孔数量明显减少,气孔尺寸从8～10μm减小到5μm以下。Si_3N_4陶瓷HIP后处理液相烧结的致密化机理可以归纳为:在一定温度下试样内部出现液相,高压气体强烈压缩气孔,使得内部气孔浓度增加,可溶气体被溶解到基体里,由于基体浓度梯度的存在,可溶物质被传送到边缘,可溶气体连续溶解,直到气孔消除,同时液相扩散,晶粒长大,从而促进致密过程。ZrO_2陶瓷的HIP后处理,首先对比不同压力条件下HIP后处理效果,ZrO_2试样在120MPa压力条件下抛光面无可见气孔,压痕扩展裂纹完全弥合;对比不同温度的HIP后处理,在1350～1450℃温度范围内,ZrO_2试样晶粒比较细小,平均尺寸约1μm;体积密度为6.079g/cm~3,比未处理前提高了1.33%;硬度HV10为12.97GPa,比处理前提高了10.67%;直径4.5mm叁球压碎载荷达9.83kN,比处理前提高了47.83%,Weibull模数为11.83;叁点抗弯强度从616MPa增高到1609MPa,最高达2022MPa,Weibull模数为12.83。ZrO_2陶瓷固相烧结HIP后处理的致密化机理可以归纳为:在高压气体的压缩下,细小晶粒滑移,促使内部气孔向外迁移,从而促进致密过程的进行。SiC陶瓷的HIP后处理,选取不同温度条件进行HIP后处理,SiC的体积密度和硬度随HIP温度的升高而增大,HIP温度为1800℃时,体积密度为3.135g/cm~3,比未处理前提高了0.45%;硬度HV10达到23.56GPa,比处理前提高了12.45%;SiC样品抛光面气孔的数量随温度的升高而明显减少,尺寸也有所减小;当HIP温度达到1750℃及以上时,SiC的晶粒开始有所长大,从而导致试样的抗弯强度、压碎载荷等机械性能开始下降。SiC陶瓷HIP后处理的致密化机理与ZrO_2相似。Al_2O_3陶瓷的HIP后处理,选取不同温度条件下HIP后处理,Al_2O_3的体积密度在1700℃达到最大值3.979 g/cm~3,比未处理前提高了1.45%;硬度随HIP温度的升高而增大,在1500℃硬度HV10为15.95GPa,比处理前提高了8.62%;抛光面的气孔数量明显降低,气孔尺寸从40μm减小到5～10μm,尤其是在1700℃和1750℃HIP处理后试样边缘形成厚约600～800μm的致密层;HIP后处理温度在1500℃以上Al_2O_3晶粒开始长大,在1700℃时Al_2O_3晶粒尺寸从未处理的2～8μm增大到20μm左右,晶粒异常长大严重影响其性能;随着HIP温度的升高,试样抗弯强度大幅降低,当HIP后处理温度达到1800℃时,抗弯强度从处理前的621MPa降低到349MPa;Al_2O_3陶瓷HIP后处理的致密化机理与ZrO_2相似,但晶粒相对较大,大晶粒形成的桥架结构将气孔包围在中间,气孔比较难完全消除,致密化效果不如ZrO_2的显着。(本文来源于《机械科学研究总院》期刊2009-06-02）
董绍明,陈忠明,谭寿洪,江东亮,郭景坤[3]（1998）在《高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的强化与增韧机理》一文中研究指出研究了高温等静压（ＨＩＰ）后处理对液相烧结ＳｉＣ陶瓷的强化与增韧机理．通过讨论ＨＩＰ后处理对材料显微结构与力学性能的影响，建立了实验模型，深入分析了ＨＩＰ氮化后处理过程中，起主导作用的物理化学过程，并将此过程分为Ｎ２的扩散、表面氮化反应及进一步的致密化叁个阶段．结果表明，ＨＩＰ后处理过程受液相烧结ＳｉＣ陶瓷显微结构的影响非常显着，当ＳｉＣ的液相烧结温度较低，晶粒尺寸较小时，将有利于Ｎ２沿ＳｉＣ晶界的扩散、促进ＳｉＣ与Ｎ２之间的反应，增进高温高压条件下晶粒间沿晶界的滑移及晶粒的重排，从而可以强化ＨＩＰ后处理尤其是氮化后处理效果．ＨＩＰ后处理对液相烧结ＳｉＣ的强化与增韧机理可归纳为：（１）致密而均匀显微结构的形成；（２）开口气孔及表面缺陷的消除；（３）表面压应力的产生，由此达到ＳｉＣ陶瓷的强度和韧性的提高(本文来源于《硅酸盐学报》期刊1998年06期）
董绍明,陈忠明,谭寿洪,江东亮,郭景坤[4]（1997）在《高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的结构与性能表征》一文中研究指出本文研究了高温等静压（HIP）后处理工艺对液相烧结SiC陶瓷的显微结构及力学性能的影响．实验表明，HIP后处理的效果随烧结助剂的不同及液相烧结温度的变化而改变．Ar气氛条件下的HIP后处理可以提高液相烧结SiC的密度，减少或消除内部气孔等结构缺陷，但不引起晶粒的长大．N_2条件下的HIP后处理除了具有Ar－HIP后处理的优点外，由于表面SiC与N_2之间的反应生成的Si_3N_4可以有效地改善表面状态，从而达到表面改性，提高SiC陶瓷的力学性能．结构分析表明，经N_2-HIP后处理，表面氮化层中晶粒细小，结构致密．同时，HIP后处理的效果还受液相烧结SiC陶瓷显微结构的影响，当液相烧结SiC的烧结温度较低，晶粒较细时，经HIP后处理，尤其是N_2-HIP后处理，强度和韧性均有较大幅度的提高．(本文来源于《无机材料学报》期刊1997年06期）
陈利民,夏元洛,葛昌纯[5]（1994）在《热等静压技术在Si_3N_4陶瓷上的应用(I)——Si_3N_4陶瓷的热等静压后处理技术》一文中研究指出1.引言热等静压技术已广泛应用于合金、压电材料、铁氧体、硬质合金及其它金属陶瓷、金属间化合物、复合材料和陶瓷材料。热等静压在先进陶瓷方面的应用是近十几年来发展起来的。氮化硅基陶瓷已被公认为最重要的高温结构陶瓷。制备氮化硅基陶瓷的工艺虽然多种多样,但是只有热等静压工艺的使用才可以得到既是高密度(>99%的理论密度),高性能(物别是高温性能)、高度均匀性和可靠性的氮化硅基材料,又具有最终复杂形状和高尺寸精度的制(本文来源于《94'全国结构陶瓷、功能陶瓷、金属/陶瓷封接学术会议论文集》期刊1994-10-20）
杨正,耿胜利,卞晓平[6]（1992）在《后处理对热等静压MnZn铁氧体磁性的影响》一文中研究指出1前言铁氧体磁头主要用于录像机、快速复制机、软磁盘驱动器及硬磁盘驱动器等高密度磁记录装置中。制做这类磁头,除具备先进的缝隙成形技术、超精细加工及表面精磨等处理技术外,还要求磁头材料本身具有高磁导率(工作频段内)、高磁感应强度、高密度及很好的断裂韧性和优良的机械加工特性。热等静压HIP(Hot Isostatic Pressed)铁氧体是能够满足上述要求的一种优质磁头材料。本文研究了热等静压及后处理对M—Ox—10(Mn_(0.60) Zn_(0.34)Fe_(2.06)O_4)铁氧体的结构,高频磁谱(μ′～f,μ″～f)及静态磁特性的影响。(本文来源于《首届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊1992-10-26）
热等静压后处理论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
工程陶瓷具有优良的物理、机械性能,被广泛应用于机械、化工、能源、海洋工程、装甲防护、航空航天、生物工程等领域。本文采用目前国际上先进的陶瓷生产工艺——热等静压(HIP),以应用较为广泛的氮化硅(Si_3N_4)、氧化锆(ZrO_2)、碳化硅(SiC)和氧化铝(Al_2O_3)四种工程陶瓷为研究对象,探讨HIP后处理工艺对四种工程陶瓷的性能影响及其致密化机理,首次提出采用球体压碎载荷的Weibull模数作可靠性评估。Si_3N_4陶瓷的HIP后处理,首先选用氩气和氮气两种气氛进行对比分析,确定氩气气氛相对于氮气气氛更为合适;对于不同的压力条件,通过试验结果分析,150MPa压力条件的HIP后处理相对比较合适;在不同的温度条件下进行HIP后处理,在1750～1800℃温度范围,Si_3N_4的性能改善比较好,其体积密度和硬度HV10分别达到3.258g/cm~3和14.61GPa,比未处理前分别提高了0.28%和6.10%;直径4.7mm叁球压碎载荷达到7.32kN,比未处理前提高了17.67%,Weibull模数为19.46;叁点抗弯强度达到1055MPa,比未处理前提高了32.21%,Weibull模数为9.03;试样抛光面的气孔数量明显减少,气孔尺寸从8～10μm减小到5μm以下。Si_3N_4陶瓷HIP后处理液相烧结的致密化机理可以归纳为:在一定温度下试样内部出现液相,高压气体强烈压缩气孔,使得内部气孔浓度增加,可溶气体被溶解到基体里,由于基体浓度梯度的存在,可溶物质被传送到边缘,可溶气体连续溶解,直到气孔消除,同时液相扩散,晶粒长大,从而促进致密过程。ZrO_2陶瓷的HIP后处理,首先对比不同压力条件下HIP后处理效果,ZrO_2试样在120MPa压力条件下抛光面无可见气孔,压痕扩展裂纹完全弥合;对比不同温度的HIP后处理,在1350～1450℃温度范围内,ZrO_2试样晶粒比较细小,平均尺寸约1μm;体积密度为6.079g/cm~3,比未处理前提高了1.33%;硬度HV10为12.97GPa,比处理前提高了10.67%;直径4.5mm叁球压碎载荷达9.83kN,比处理前提高了47.83%,Weibull模数为11.83;叁点抗弯强度从616MPa增高到1609MPa,最高达2022MPa,Weibull模数为12.83。ZrO_2陶瓷固相烧结HIP后处理的致密化机理可以归纳为:在高压气体的压缩下,细小晶粒滑移,促使内部气孔向外迁移,从而促进致密过程的进行。SiC陶瓷的HIP后处理,选取不同温度条件进行HIP后处理,SiC的体积密度和硬度随HIP温度的升高而增大,HIP温度为1800℃时,体积密度为3.135g/cm~3,比未处理前提高了0.45%;硬度HV10达到23.56GPa,比处理前提高了12.45%;SiC样品抛光面气孔的数量随温度的升高而明显减少,尺寸也有所减小;当HIP温度达到1750℃及以上时,SiC的晶粒开始有所长大,从而导致试样的抗弯强度、压碎载荷等机械性能开始下降。SiC陶瓷HIP后处理的致密化机理与ZrO_2相似。Al_2O_3陶瓷的HIP后处理,选取不同温度条件下HIP后处理,Al_2O_3的体积密度在1700℃达到最大值3.979 g/cm~3,比未处理前提高了1.45%;硬度随HIP温度的升高而增大,在1500℃硬度HV10为15.95GPa,比处理前提高了8.62%;抛光面的气孔数量明显降低,气孔尺寸从40μm减小到5～10μm,尤其是在1700℃和1750℃HIP处理后试样边缘形成厚约600～800μm的致密层;HIP后处理温度在1500℃以上Al_2O_3晶粒开始长大,在1700℃时Al_2O_3晶粒尺寸从未处理的2～8μm增大到20μm左右,晶粒异常长大严重影响其性能;随着HIP温度的升高,试样抗弯强度大幅降低,当HIP后处理温度达到1800℃时,抗弯强度从处理前的621MPa降低到349MPa;Al_2O_3陶瓷HIP后处理的致密化机理与ZrO_2相似,但晶粒相对较大,大晶粒形成的桥架结构将气孔包围在中间,气孔比较难完全消除,致密化效果不如ZrO_2的显着。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
热等静压后处理论文参考文献
[1].王志刚.选择性激光熔化成形及热等静压后处理微观研究[D].华中科技大学.2011
[2].张丽.工程陶瓷热等静压后处理研究[D].机械科学研究总院.2009
[3].董绍明,陈忠明,谭寿洪,江东亮,郭景坤.高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的强化与增韧机理[J].硅酸盐学报.1998
[4].董绍明,陈忠明,谭寿洪,江东亮,郭景坤.高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的结构与性能表征[J].无机材料学报.1997
[5].陈利民,夏元洛,葛昌纯.热等静压技术在Si_3N_4陶瓷上的应用(I)——Si_3N_4陶瓷的热等静压后处理技术[C].94'全国结构陶瓷、功能陶瓷、金属/陶瓷封接学术会议论文集.1994
[6].杨正,耿胜利,卞晓平.后处理对热等静压MnZn铁氧体磁性的影响[C].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992
论文知识图
