导读:本文包含了取向生长机理论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:取向,薄膜,机理,纳米,碱度,生长,温度。
取向生长机理论文文献综述
李康乐,周凯,黄明,杨明亮,陶文彪[1]（2018）在《XLPE在电场作用下的取向对温度变化条件下水树生长的促进作用机理》一文中研究指出为了深入理解温度变化对交联聚乙烯(XLPE)运行电缆中水树生长的影响,该文揭示了温度转换条件下(高温转低温或低温转高温)XLPE试样中水树出现加速生长的行为。在恒温和温度转换两种条件下对一组XLPE样本分别进行加速水树老化实验,通过显微镜对比观测了两种条件下的水树形态及尺寸。同时对另一组XLPE样本在0℃恒温和0℃转60℃条件下进行电压老化实验并检测此组样本的取向度。显微测试结果表明:0℃转至60℃条件老化样本中的水树尺寸显着高于0℃恒温条件老化样本中的水树尺寸。取向度检测结果表明,0℃转至60℃条件下进行电压老化样本中的水树区域存在取向。基于高聚物的取向理论,在0℃条件下进行水树老化时,水树及其前方一定区域的分子链段在电场力作用下发生取向。而当试样从0℃转至60℃时,在一定时间内水树及其前方区域的局部分子链段保持取向。在更为剧烈的分子热运动作用下,取向的分子链段之间更容易发生疲劳断裂,从而显着提高了水树的生长速率。这表明在许多温度交替变化的地区可能存在水树加速生长现象。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2018年03期）
陈宝龙,武卫兵,陈晓东,张楠楠[2]（2014）在《(001)取向TiO_2薄膜水热生长机理及其忆阻性能》一文中研究指出通过氟基水热法合成出(001)取向的锐钛矿TiO2薄膜,讨论了薄膜的生长机理和忆阻性能。水热生长结果表明,预沉积无定形种子层增加了薄膜致密度,氟离子选择吸附促使TiO2薄膜的取向生长。薄膜的忆阻特性检测表明,(001)取向的TiO2薄膜忆阻单元具有良好的开关特性,稳定性良好。氟基水热法制备TiO2薄膜,设备和工艺简单,成本低,在忆阻器领域会有很好的应用潜力。(本文来源于《山东化工》期刊2014年02期）
顾豪爽[3]（2013）在《微米尺度PZT单晶棒的取向生长及其机理》一文中研究指出锆钛酸铅(PZT)是一种重要的压电材料,具有优异的机电转换特性,广泛应用于传感器和执行器。随着器件微型化的发展,微传感器和微执行器对材料的尺寸和性能提出了新的要求。微马达是典型的微执行器,需要毫微米尺度的压电陶瓷棒或单晶棒作为换能元件。本文采用传统水热合成技术研究了水热处理温度和介质碱度对产物物相和形貌的影响,研究发现,在一定水热温度条件下(150~200℃),当介质碱度很低时,产物的结晶性不良且产(本文来源于《第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要》期刊2013-08-23）
陈军[4]（2011）在《c-轴择优YBCO薄膜的面内取向生长机理及控制》一文中研究指出YBa_2Cu_3O_(7-δ) (YBCO)晶体是一种包含氧空位的正交结构,它具有高度的各向异性,并且电流的传导被限制在CuO面(即a-b面),因此沿CuO面传导的电流密度远远大于沿c轴传导的电流密度。这种特性对于MgO、SrTiO_3、LaAlO_3等衬底上生长的YBCO薄膜的超导性能具有重要的意义,如MgO(100)单晶是生长YBCO薄膜最典型的基片,所生长的薄膜被广泛的应用于电子及微波领域,为其提供了一种氧化物薄膜外延生长的机制。最重要的是在MgO(100)上生长c轴取向YBCO薄膜的工艺窗口较大,使其在工业应用方面具有潜在的价值。由于YBCO薄膜沿着a-b面方向相对于c轴方向具有较小的相干长度,因此YBCO薄膜的a-b面内取向排列对薄膜超导性能有很大的影响。我们的研究表明,面内取向的杂乱是造成YBCO薄膜临界电流密度Jc下降的主要原因。c轴生长且面内取向严格有序的YBCO薄膜对实际应用领域具有重要的意义,想要真正实现薄膜的应用价值我们首先要解决YBCO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配。最近,我们采用最佳的脉冲激光沉积工艺并引入YSZ过渡层来调控(100)MgO上c轴取向生长的YBCO薄膜的面内取向。通过一系列实验我们发现,当衬底温度提高到810℃时,直接在(100)MgO生长的YBCO薄膜面内为0°角取向排列,而当引入YSZ过度层后,采用合适的工艺条件我们得到了面内45°取向择优的YBCO薄膜。不论是0°取向还是45°取向的YBCO薄膜都具有重要的应用价值,比如在许多电子器件当中被用来承载大电流、利用它的过热性能作为种子层来引导大尺寸YBCO晶体的生长。我们的这项工作提供了一种控制YBCO薄膜面内生长取向的新方法。(本文来源于《苏州大学》期刊2011-05-01）
张元广[5]（2006）在《水热体系中氧化物合成与取向生长的机理研究》一文中研究指出本论文旨在借助水热方法，设计液相化学反应线路，开展金属氧化物的合成与取向生长研究。利用现代分析手段，对所合成氧化物进行了物相、微结构和性质等方面的表征，并对其形成过程加以探索。通过对氧化物晶体结构和晶体生长动力学因素的综合分析，作者建议了有关氧化物晶体合成与取向生长的可能机理。论文的主要工作总结如下： 1、综述了水热合成技术，材料表征及常规的性能研究分析手段，对水热法在功能材料合成领域中的应用以及水热法合成功能材料的发展趋势给予概括性描述。 2、在没有表面活性剂或模板参与下，以高锰酸钾(KMnO_4)为锰源，氯化铵(NH_4Cl)为还原剂，低温水热合成了单晶MnOOH微米棒。讨论了反应温度和铵盐种类对MnOOH微米棒合成的影响，并由此提出了MnOOH单晶微米棒形成的可能机理。在此基础上，以六次甲基四铵[N_4(CH_2)_6]替代氯化铵为还原剂，利用同样的水热过程，得到了MnOOH纳米棒。此外，以合成的MnOOH单晶微米棒为前驱物，经锻烧，制备了单晶β-MnO_2微米棒。 3、通过改变水热反应条件，控制合成了不同形貌(如海胆状、球状、准立方块状等)的Co_3O_4晶体。讨论了反应温度、反应时间、表面活性剂和钴盐等对Co_3O_4晶体形貌的影响。探索了准立方块状Co_3O_4晶体和Co_3O_4空心球的形成过程，并推测了它们可能的形成机理。 4、在水热体系中，以磷酸(H_3PO_4)为沉淀剂，利用Mn(NO_3)_2的自身氧化还原反应，生长了直径为0.1—0.66μm，长度达几微米的MnPO_4·H_2O单晶棒。探讨了反应温度、反应时间以及磷酸盐种类对棒状MnPO_4·H_2O单晶生长的影响。从其晶体结构和生长动力学二方面，分析了MnPO_4·H_2O单晶生长的可能机理。 5、对CdWO_4的晶体结构分析表明，其(010)和(001)晶面有较多的负电荷积累，(100)晶面有较多的正电荷积累。溶液中不同类型的表面活性剂，在其特定晶面上的吸附作用是不相同的，以至于能改变其特定晶面的表面能，从而影响CdWO_4晶体的生长方向和形貌。基于以上分析，我们在实验中，分别采用了阳离子表面活性剂CTAB和阴离子表而活性剂SDBS来参与CdWO_4晶体的制备研究。结果表明，在(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2006-10-01）
郎林,张宝泉,刘秀凤[6]（2006）在《在玻璃上合成有取向的silicalite-1分子筛膜及其生长机理》一文中研究指出The growth and orientation of zeolite crystals on a glass substrate was investigated by changing the roughness and setting of the substrate surface.The orientation control of crystals on the glass substrate was achieved.It was found that the setting and treatment of the glass substrate had a substantial effect on crystal orientation.When the substrate surface was upward, the preferential growth of crystal was along the a-axis.However, the preferential growth of crystal was along b-axis when the substrate surface was downward.According to experimental results, a film formation mechanism was proposed to account for the growth and orientation of crystals on the glass substrate.(本文来源于《化工学报》期刊2006年09期）
丁圣,李梦轲,王雪红,刘俊,金红[7]（2006）在《取向ZnO纳米线阵列的生长机理及发光特性》一文中研究指出用化学气相沉积法制备了取向纳米氧化锌(ZnO)阵列;用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察了制备的纳米ZnO的形貌结构;用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性;以气-液-固(VLS)生长模型和Ehrlich-Schwoebel势垒理论解释讨论了ZnO纳米线的生长结构与机理.(本文来源于《辽宁师范大学学报(自然科学版)》期刊2006年03期）
门海泉,周灵平,肖汉宁[8]（2005）在《AlN薄膜择优取向生长机理及制备工艺》一文中研究指出不同择优取向的A lN薄膜具有不同的物理化学性质和应用,其择优取向生长机理主要包括热力学的“能量最小化”理论和动力学的“选择进化”理论。在众多的制备方法中,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的A lN薄膜,各工艺参数对其择优取向的影响取决于沉积粒子到达衬底前携带能量的大小,它们引起的各晶面生长速率的竞争,其结果表明,择优取向晶面是该沉积条件下生长速率最快的晶面。在诸多工艺参数中,靶基距、离子束轰击是控制A lN薄膜择优取向的最重要工艺参数,靶基距增大容易得到(100)晶面择优取向的A lN薄膜,而一定范围内离子束轰击能量和轰击角度的增大会促进(002)晶面择优取向生长。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2005年06期）
黄文,曾慧中,张鹰,蒋书文,魏贤华[9]（2005）在《不同晶化工艺对非晶PZT纳米薄膜形核取向生长机理的影响》一文中研究指出射频磁控溅射法室温下在Pt Ti SiO2 Si上制备非晶Pb(Zr0 4 8Ti0 52 )O3薄膜 ,非晶PZT薄膜分别经常规炉退火(CFA)处理和快速热退火 (RTA)处理晶化为 (10 0 ) ,(111)不同择优取向的多晶薄膜 .采用x射线衍射测定了薄膜相组分、择优取向度 ;用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了薄膜表面形貌 ,以及对应区域由自发极化形成的铁电畴像 ,观察了不同取向薄膜的电畴分布特征 .结果表明 ,RTA晶化过程钙钛矿结构PZT结晶主要以PZT Pt界面处的PtPb化合物为成核点异质形核并类似外延的结晶生长 ,沿界面结晶速率远大于垂直膜面结晶速率 ,而CFA晶化样品成核发生在膜内杂质缺陷处 ,以同质成核为主 .不同的成核机理导致了不同晶面择优取向生长 .(本文来源于《物理学报》期刊2005年03期）
取向生长机理论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过氟基水热法合成出(001)取向的锐钛矿TiO2薄膜,讨论了薄膜的生长机理和忆阻性能。水热生长结果表明,预沉积无定形种子层增加了薄膜致密度,氟离子选择吸附促使TiO2薄膜的取向生长。薄膜的忆阻特性检测表明,(001)取向的TiO2薄膜忆阻单元具有良好的开关特性,稳定性良好。氟基水热法制备TiO2薄膜,设备和工艺简单,成本低,在忆阻器领域会有很好的应用潜力。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
取向生长机理论文参考文献
[1].李康乐,周凯,黄明,杨明亮,陶文彪.XLPE在电场作用下的取向对温度变化条件下水树生长的促进作用机理[J].中国电机工程学报.2018
[2].陈宝龙,武卫兵,陈晓东,张楠楠.(001)取向TiO_2薄膜水热生长机理及其忆阻性能[J].山东化工.2014
[3].顾豪爽.微米尺度PZT单晶棒的取向生长及其机理[C].第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要.2013
[4].陈军.c-轴择优YBCO薄膜的面内取向生长机理及控制[D].苏州大学.2011
[5].张元广.水热体系中氧化物合成与取向生长的机理研究[D].中国科学技术大学.2006
[6].郎林,张宝泉,刘秀凤.在玻璃上合成有取向的silicalite-1分子筛膜及其生长机理[J].化工学报.2006
[7].丁圣,李梦轲,王雪红,刘俊,金红.取向ZnO纳米线阵列的生长机理及发光特性[J].辽宁师范大学学报(自然科学版).2006
[8].门海泉,周灵平,肖汉宁.AlN薄膜择优取向生长机理及制备工艺[J].人工晶体学报.2005
[9].黄文,曾慧中,张鹰,蒋书文,魏贤华.不同晶化工艺对非晶PZT纳米薄膜形核取向生长机理的影响[J].物理学报.2005
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