抗坏血酸示差脉冲伏安法论文_金根娣,胡效亚

导读:本文包含了抗坏血酸示差脉冲伏安法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:脉冲,多巴胺,电极,论文。

抗坏血酸示差脉冲伏安法论文文献综述

金根娣,胡效亚[1](2008)在《应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸》一文中研究指出应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质。DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV。此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV)。据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA。测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10~(-7)~1.33×10~(-2),2.60×10~(-6)~1.20×10~(-3)mol·L~(-1),方法的检出限依次为1.50×10~(-7),6.70×10~(-7)mol·L~(-1)。应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%~99.3%之间。(本文来源于《理化检验(化学分册)》期刊2008年11期)

抗坏血酸示差脉冲伏安法论文开题报告

抗坏血酸示差脉冲伏安法论文参考文献

[1].金根娣,胡效亚.应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸[J].理化检验(化学分册).2008

论文知识图

不同修饰电极的交流阻抗图

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抗坏血酸示差脉冲伏安法论文_金根娣,胡效亚
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