导读:本文包含了硅悬挂键论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光谱,衬底,氢化,荧光,温度,论文,氮化硅。
硅悬挂键论文文献综述
赵谦,王波,严辉,久米田稔,清水立生[1]（2004）在《退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响》一文中研究指出采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅 (a_Si∶H(Er) )样品 .进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同的Si悬挂键 (Si DBs)密度 ,并在此基础上研究了Si_DBs密度改变对其Er光荧光 (Er_PL)的影响 .退火温度低于 35 0℃时 ,Er_PL强度持续增加 ,但Si_DBs密度的变化显得较复杂 ;35 0℃以上时 ,Er_PL强度随Si_DBs密度的增加而减小 .在 2 0 0— 2 5 0℃的退火温度范围内 ,Si_DBs是由于结构弛豫而减少 ;在 2 5 0— 5 0 0℃的退火温度范围内 ,可能由于Si—H键的断裂释放出氢 ,导致Si_DBs的增加 .因为Er3+ 的辐射跃迁取决于基体中Er3+ 的结构对称性 ,所以Er_PL强度相对于Si_DBs的增加而出现的同向增加现象可能起因于退火引起Er3+ 化学环境的改变 ,不同于被广泛接受的“缺陷相关俄歇激发”模型 .(本文来源于《物理学报》期刊2004年01期）
原小杰,毛干如,王者福[2]（1987）在《PECVD氮化硅膜氢键及硅悬挂键的研究》一文中研究指出用红外光谱、背散射能谱和电子自旋共振波谱研究了不同淀积条件下生长的PECVD氮化硅膜中的氢键,Si/N比和硅悬挂键。对薄膜在不同温度、氮气保护下退火后的氢键及硅悬挂键的变化也进行了测试和分析。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1987年04期）
硅悬挂键论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用红外光谱、背散射能谱和电子自旋共振波谱研究了不同淀积条件下生长的PECVD氮化硅膜中的氢键,Si/N比和硅悬挂键。对薄膜在不同温度、氮气保护下退火后的氢键及硅悬挂键的变化也进行了测试和分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅悬挂键论文参考文献
[1].赵谦,王波,严辉,久米田稔,清水立生.退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响[J].物理学报.2004
[2].原小杰,毛干如,王者福.PECVD氮化硅膜氢键及硅悬挂键的研究[J].固体电子学研究与进展.1987
论文知识图
