导读:本文包含了线性稳压电路论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:LDO,耗尽管,防浪涌,高速
线性稳压电路论文文献综述
王博[1]（2019）在《防止浪涌电流的高速线性稳压电路的设计》一文中研究指出现如今,在移动终端蓬勃发展的大背景下,设备高效运行的续航问题一直是业界关注的重点。低压差线性稳压器(LDO)正是凭借其噪声低,功耗低,压差小,响应速率快,稳定性好成为电源管理IC芯片市场中不可替代的产品。为了保证LDO具有良好的温度特性、快速环路响应速度以及高稳定工作状态,高精度的电压基准电路、快速的负载瞬态响应以及完善的保护电路等关键技术成为现今LDO研究的主要方向。本文在深入分析LDO工作原理以及LDO关键性能指标的基础上,设计了一种LDO芯片,其核心功能模块包含基准电压源、偏置电路、使能模块、误差放大器、过温保护电路、限流及防浪涌电流智能保护电路、瞬态响应辅助电路等,并对LDO的性能进行了优化,以提高其PSRR、静态功耗、漏失电压等性能指标。本文设计的LDO基准电路采用耗尽管与增强管组合结构,为系统提供了良好的温度系数且稳定的基准电压源;瞬态响应辅助电路采用具有低输出阻抗和较大电流吞吐力的缓冲级,不仅提高了负载瞬态响应速率,也保证了环路在全负载环境下的稳定性;利用MOS管开关作用,采用智能控制方式,将限流保护电路以及防浪涌电流保护电路综合起来,并采用分阶段启动策略,控制功率管栅极启动速率,使芯片上电时软启动,实现限流及防浪涌电流的智能保护,弥补了系统安全漏洞,提高了芯片的安全稳定性。本文设计的LDO输入电压范围为1.6-5.5 V,输出电压为2.45 V,静态电流小于120μA,防浪涌电流约为150 mA。当额定输出电容为1μF,负载电流以100 mA/μs速率变化时,输出电压欠冲与过冲分别为13 mV和9 mV,稳态建立时间均小于1μs;轻载下电源抑制比在1 KHz时达到66 dB@f=1 KHz。基于0.5μm CMOS工艺,对设计的具有防浪涌电流的高速LDO进行仿真、流片与测试验证,测试结果达到预期设计指标要求。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2019-12-09）
赵思琦,高同强,卢新,张恒,赵湛[2]（2019）在《一种用于FBAR环境信号检测芯片的全集成低压差线性稳压器电路》一文中研究指出本文采用自适应功率管技术实现了一款较高性能的片上低压差线性稳压器(LDO),其中误差放大器在增加动态偏置结构的同时引入瞬态加强级,使得全集成LDO在负载跳变时具有快速瞬态响应,稳定了输出电压.该LDO基于0.18μm标准CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在电源电压3 V,输出电压1.2 V,负载电容为100pF的条件下,该LDO可稳定输出0～100 mA负载电流,实现全负载稳定.并且负载电流在200 ns内从0～100 mA跳变时,瞬态输出电压变化峰值在150 mV以内.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2019年10期）
王娜[3]（2019）在《具有快速响应的低压差线性稳压器电路的研究与设计》一文中研究指出随着便携式电子设备的飞速发展,片上系统(System on Chip,SoC)已变得无处不在。电源管理芯片的重要性不言而喻,低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)作为电源管理芯片中的一员,以其低成本、结构简单、低功耗以及低噪声的特点广泛应用于片上系统当中。在传统型LDO中,外接电容不仅可以起到频率补偿的作用,还可作为电荷存储、泄放器件来减小输出电压的冲击值,但外接电容的使用会使片上系统的集成度变差,这就使得无片外电容LDO的发展成为一种必然趋势。LDO作为电源为数模混合电路供电时,不断变化的负载除了会使LDO的环路产生稳定性问题外,还可能会使无片外电容LDO的输出产生低至地电位的冲击。因而对于无片外电容LDO来说,需要瞬态增强电路来优化瞬态特性,从而为各电路模块提供一个快速稳定、过冲小的电源电压。对于高精度系统,LDO的精度显得尤为重要,在LDO电路中,基准电压模块对精度性能的影响最大。本文提出一种带曲率补偿的电流模式基准电压源来提高LDO的精度,通过运用CTAT电流补偿技术和高低温分段补偿技术以降低基准电压的温度系数,通过使用斩波稳定技术来减小失调电压以及斩波引起的纹波影响,从而提高基准电压的精度,进而提高LDO整体性能。为保证系统稳定性以及增强瞬态响应,在整体电路设计中,利用前馈级电路增强调整管的栅极摆率来加快输出端的瞬态响应速度,运用衬底调制技术加快输出端瞬态响应过程的同时,在环路中引入一个左半平面零点进行频率补偿,维持整体电路的稳定性。基于Dongbu 0.18μm CMOS工艺进行整体电路设计,基准电压源的流片测试结果表明,在5V电源电压下,温度范围为-40°C~150°C时,基准电压的温度系数达到4.85ppm/°C。LDO整体版图面积为0.13mm~2,仿真结果表明,电源电压为5V时,在-40°C~150°C的温度范围内,输出电压的温度系数为0.827ppm/°C;输入电压范围为3.5V~5.5V时,输出电压为3.3V;压差电压小于200mV;可承受的最大负载电流大小为50mA;在5V电源电压下,负载调整率为0.053%/A,线性调整率为0.014%/V,满载时电源抑制比大小为-63.5dB,空载与满载时相位裕度都在80deg以上;整个LDO在全corner角下的静态电流小于200μA;负载电流1μs内在1mA与50mA之间跳变时,输出电压的最大下冲电压值为49.3mV,最大上冲电压值为18 mV,使用衬底调制技术后,瞬态响应输出电压最大下冲电压值约减小75%,稳定时间约减小50%。(本文来源于《湘潭大学》期刊2019-06-01）
贺启峰[4]（2019）在《基于线性稳压电路的多路输出DC/DC变换器的设计》一文中研究指出本文首先对几种常用的多路输出DC/DC变换器设计方案进行对比分析,给出了一种新的多路电源解决方案。其次重点描述了线性稳压电路在多路输出DC/DC变换器中的工作原理及应用方式,最后给出了采用此方案的实际产品的测试数据及相关波形。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年01期）
邱双杰,罗萍,黄龙[5]（2018）在《用于高压H桥电路中栅驱动器的线性稳压器》一文中研究指出设计了一种用于高压H桥电路中栅驱动器的线性稳压器,为H桥高端P-LDMOS提供了稳定的开启栅电压。采用频率补偿切换和自适应偏置电流技术,以保证稳压器在周期性突变的容性负载下的稳定性,并且具有快速的瞬态响应。典型应用的仿真结果表明,与未采用以上技术的原结构相比,新结构中P-LDMOS的开启时间缩短了47%,理论最高工作频率提高了1倍。(本文来源于《微电子学》期刊2018年03期）
勇玉琳[6]（2018）在《基于BCD工艺的输出可调型LDO线性稳压器电路设计》一文中研究指出低压差线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)能够为其它电路供应稳定的电压,提高电池的使用寿命,低压差线性稳压器相比其它类型稳压器具备诸多优势,例如它原理简单结构不复杂、输出噪声较小影响较小、静态电流较小功耗较低、集成度较高节省版图面积,因此在各类半导体产品中有着广泛的运用和持久的发展,输出可调型LDO能够更好的为更高集成度和更复杂的系统提供电源电压,所以,设计一种输出可调型LDO线性稳压器具有重要的现实意义。本文采用华虹NEC 0.35μm BCD工艺,利用Cadence工具设计了一种输出可调型LDO稳压电路,其中包括带隙基准电压电路、电流偏置电路、LDO线性稳压器电路、过压保护电路。本文所设计的LDO线性稳压器用于开关电源模块中,具有较宽的输入电压范围,带隙基准电路采用多值输出的形式,可以为芯片多个模块提供不同的基准电压;误差放大器为单级运放,采用cascode结构提高增益,单级运放引入的极点较少,提高系统稳定性。整体电路仿真结果为:T1为高电平时,LDO输出电压为5V、3.5V、2V,T1为低电平时,LDO输出电压为4.5V、3V、1.5V;正常工作电压范围为7.3~36.18V,输出电压变化仅为23.03mV,线性调整率为约为0.8mV/V,负载调整率为1.045%,温漂系数为1.58ppm/°C,系统低频环路增益可达到92.3dB,单位带宽大约为25.19MHz,低频时PSRR为-76.07dB,其相位裕度为53.19°,总输出噪声为1.98218×10~(-6)V,整体版图面积为0.006mm~2。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2018-03-25）
唐杰,陈忠学,林俊明,章国豪[7]（2017）在《一种带保护电路低压差线性稳压器的设计》一文中研究指出文中介绍了一种低压差线性稳压器电路,为使芯片安全、可靠工作在此低压差线性稳压器结构上增加过流、过压保护电路。本电路使用TSMC0.25um CMOS工艺设计,在Cadence Spectre仿真环境下的仿真结果表明过压保护阈值为4.728 V,过压恢复阈值为4.536 V,过流保护电路在电流大于2A时起作用。(本文来源于《电子设计工程》期刊2017年20期）
覃正才,龙环[8]（2017）在《一种新颖的低压差线性稳压电路的频率补偿技术》一文中研究指出针对低压差(LDO)线性稳压转换电路输出负载动态变化的应用,提出了一种新颖的负载自适应的频率补偿技术,以保证电路在负载动态变化条件下的稳定性。采用中芯国际的0.18μm通用逻辑工艺设计设计试制了采用负载自适应的频率补偿技术的LDO线性稳压转换电路,验证了该技术的可行性和可靠性。(本文来源于《集成电路应用》期刊2017年07期）
吕阳[9]（2017）在《基于0.18μm CMOS工艺无电容型LDO线性稳压器电路设计》一文中研究指出无电容型LDO可消除传统LDO中因外接无源元件产生的寄生键合线电感和电阻。集成之后的LDO变成一个密封的模块,电源连线之间的电感、电磁等干扰大大降低,同时外部元件数量的减少能带来更低的噪声和更高的可靠性,在SOC系统中得到了广泛应用。因此,无电容型LDO成为了当前的研究热点。采用0.18μm CMOS工艺,利用Cadence软件设计了一种无电容型LDO稳压电路,包括带隙基准电压电路、误差放大器电路、瞬态增强与频率补偿电路、调整管和反馈电阻。带隙基准电路采用宽摆幅共源共栅电流镜结构代替运放,与利用运放钳位的经典带隙基准电路相比,MOS管数目减少近一半,可使整体电路静态电流和面积得到降低。瞬态增强采用基于微分器动态AB类瞬态增强电路的方法,解决了系统的瞬态特性问题。频率补偿采用密勒电容和基于微分器动态AB类瞬态增强电路重复用作频率补偿电路的方法,解决了系统的稳定性问题。整体电路仿真结果表明:当输入电压为2.1V时,可稳定输出1.8V,压差为300mV,最大负载电流为100mA。瞬态输出电压下冲为60.07mV,恢复时间为1.569μs,上冲为76.88mV,恢复时间为2.119μs。低频时,PSRR为-62dB。静态电流为36.88μA。整体版图面积为0.128mm~2。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2017-03-20）
王欢,晋春,张贞凯[10]（2016）在《基于频率补偿和瞬态响应改善电路的低压差线性稳压器设计》一文中研究指出提出一种基于频率补偿和瞬态响应改善电路的1.5 V、100 mA无片外电容低压差线性稳压器(LDO),片上集成电容仅为100 pF。片内采用频率补偿使整个系统具有良好稳定性;同时在LDO中添加一种瞬态响应改善电路,提供快速的瞬态响应。基于台积电0.35μm CMOS工艺,对所设计的电路进行仿真,结果如下:LDO电路静态电流为46μA;输入电流为1 mA和100 mA时,相位裕度分别为88°和59°,低频增益分别为102.2 dB和63.77 dB;过冲和下冲分别为101 mV和97 mV,建立时间分别为0.608μs和1.62μs。(本文来源于《机电信息》期刊2016年24期）
线性稳压电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文采用自适应功率管技术实现了一款较高性能的片上低压差线性稳压器(LDO),其中误差放大器在增加动态偏置结构的同时引入瞬态加强级,使得全集成LDO在负载跳变时具有快速瞬态响应,稳定了输出电压.该LDO基于0.18μm标准CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在电源电压3 V,输出电压1.2 V,负载电容为100pF的条件下,该LDO可稳定输出0～100 mA负载电流,实现全负载稳定.并且负载电流在200 ns内从0～100 mA跳变时,瞬态输出电压变化峰值在150 mV以内.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
线性稳压电路论文参考文献
[1].王博.防止浪涌电流的高速线性稳压电路的设计[D].南京邮电大学.2019
[2].赵思琦,高同强,卢新,张恒,赵湛.一种用于FBAR环境信号检测芯片的全集成低压差线性稳压器电路[J].微电子学与计算机.2019
[3].王娜.具有快速响应的低压差线性稳压器电路的研究与设计[D].湘潭大学.2019
[4].贺启峰.基于线性稳压电路的多路输出DC/DC变换器的设计[J].电子技术与软件工程.2019
[5].邱双杰,罗萍,黄龙.用于高压H桥电路中栅驱动器的线性稳压器[J].微电子学.2018
[6].勇玉琳.基于BCD工艺的输出可调型LDO线性稳压器电路设计[D].黑龙江大学.2018
[7].唐杰,陈忠学,林俊明,章国豪.一种带保护电路低压差线性稳压器的设计[J].电子设计工程.2017
[8].覃正才,龙环.一种新颖的低压差线性稳压电路的频率补偿技术[J].集成电路应用.2017
[9].吕阳.基于0.18μmCMOS工艺无电容型LDO线性稳压器电路设计[D].黑龙江大学.2017
[10].王欢,晋春,张贞凯.基于频率补偿和瞬态响应改善电路的低压差线性稳压器设计[J].机电信息.2016