导读:本文包含了类功率放大器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:功率放大器,电平,功率,晶体管,电路,包络,衬底。
类功率放大器论文文献综述
区力翔,李思臻,余凯,章国豪[1]（2019）在《用于包络跟踪功率放大器的叁电平包络调制器》一文中研究指出提出了一种叁电平(3-level)包络调制器结构,使用3-level开关变换器取代两电平(2-level)开关变换器,通过叁电平拟合的方法使开关变换器的输出电流摆率能够跟随输入包络的幅度自适应变化,有效减少线性放大器的输出电流,达到降低线性放大器动态功耗的目的,从而提升系统的整体效率。电路设计采用55 nm CMOS工艺,仿真结果显示,在3.3 V供电,10 MHz LTE输入信号下,基于3-level包络调制器的功率放大器输出功率为27.5 dBm,效率为85%,与传统结构相比,效率提升了2%。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年12期）
牛茜[2]（2019）在《基于FPGA多电平D类功率放大器的PWM触发器》一文中研究指出阐述基于FPGA多电平D类功率放大器的PWM触发器,以载波相移PWM技术为主要依据,从FPGA实现的电路内部结构、实验结果以及结果分析几个方面进行研究分析。其目的在于保障D类功率放大器触发电路当中的电路结构更加清晰简单,充分保障D类功率放大器的输出品质,推动多电平D类功率放大器的应用与推广。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年12期）
韩娜,廖学介,杨秀强,庞玉会[3]（2019）在《0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计》一文中研究指出设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用高阻线实现,匹配电路和管芯之间使用金丝键合,功放封装在24mm×17.4mm金属管壳。测试结果显示,该功率放大器在0.35-2GHz超宽频带内可实现:功率增益26dB,输出功率大于40dBm,功率附加效率40%～50%。引言:功率放大器通常位于射频前端发射机,将输入信(本文来源于《电子世界》期刊2019年21期）
徐浩然[4]（2019）在《高电子迁移率晶体管功率放大器的设计》一文中研究指出本文基于Ga N基高电子迁移率晶体管设计了一款宽带平衡功率放大器,并重点对平衡功率放大器、宽带匹配、耦合器、偏执电路以及电路的设计仿真做了重点说明,通过对电路进行功率测试分析,本放大器在10W功率性能上具有一定优越性,在30w功率达到了同等水平。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年21期）
董祺圣[5]（2019）在《低频功率放大器的设计与研究》一文中研究指出在我们的生活中所使用的许多电子音响都有低频功率放大器组件,除了电子音响设备,在一些控制系统和测量系统中也常常使用到低频功率放大器。功率放大器作为音响设备等产品中的必要构件,不管是对其的设计还是对功率放大器的详细操作控制系统的研究都是热点。这项技术在经过长时间的研究之后日趋完善,低频功率放大器技术线路逐渐成熟。人们所提出的功率放大器的设计方案非常的多。与此同时,随着人们对低频功率放大器的认识进步,人们对无线收发器的要求也一直随着无线通(本文来源于《电子世界》期刊2019年20期）
景少红,钟世昌,饶翰,曹建强[6]（2019）在《L波段1.1 kW GaN射频功率放大器设计》一文中研究指出基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2～1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引测试结果进行匹配电路设计,采用双胞55 mm GaN管芯实现大功率输出。功率放大器内部采用预匹配网络设计,外部匹配网络采用多级高低阻抗微带线结构。该功率放大器在1.2～1.4 GHz频带内,漏电压60 V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到1.1 kW,功率增益大于15.5 dB,功率附加效率大于70%。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年05期）
杨阳[7]（2019）在《单片集成射频微波功率放大器及开关的设计分析》一文中研究指出无线通信是现代社会信息化发展的重要组成部分,通过商用通信以及民用通信的技术发展,充分满足了不同产业的信息传输需求。针对单片集成射频微波功率放大器的电力结构以及系统特点,总结单片集成射频微波功率放大器以及开关设计的方案,旨在通过设计方法以及射频公路模块的设计,增强系统运行的稳定性,以供参考。(本文来源于《中国新技术新产品》期刊2019年20期）
张红彩,张巧寿,底红岩,王一东,张奎华[8]（2019）在《一种水冷式高压功率放大器》一文中研究指出为适应大推力电动振动台对开关功放输出功率的要求,提出了水冷式高压功率放大器。介绍了其工作原理和系统构成;给出了冷却系统和大功率驱动电路的详细设计方法;阐述了基于2SC0435T的电路设计要点。对比试验结果表明,所设计的水冷式高压功率放大器很好地解决了传统高压功率放大器冷却效果差、输出功率低的问题,试验效果良好。(本文来源于《自动化与仪表》期刊2019年10期）
滕江,王斌,张鑫[9]（2019）在《应用于移动通信微基站的宽带Doherty功率放大器》一文中研究指出设计了一款应用于移动通信微基站的宽带Doherty功率放大器DPA(Doherty Power Amplifier,),工作频段为3.4 GHz～3.6 GHz。同时,将Chebyshev低通滤波器形式的阻抗变换网络设计的宽带匹配电路应用于DPA的匹配电路中。设计中采用Agilent公司的先进设计系统软件ADS(Advanced Designed System),主、辅功放均选取Cree公司型号为CGH40010F的GaN晶体管。仿真结果表明,设计的DPA在工作频段内饱和的输出功率及漏极效率均超过43 dBm及68%,功率回退6dB范围内漏极效率为44%～51%。实测结果表明,功率回退6 dB范围内漏极效率为26%～39%,最大饱和漏极效率为51%。(本文来源于《电子器件》期刊2019年05期）
李贺[10]（2019）在《不同层面缺陷地对功率放大器的影响》一文中研究指出论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年10期）
类功率放大器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
阐述基于FPGA多电平D类功率放大器的PWM触发器,以载波相移PWM技术为主要依据,从FPGA实现的电路内部结构、实验结果以及结果分析几个方面进行研究分析。其目的在于保障D类功率放大器触发电路当中的电路结构更加清晰简单,充分保障D类功率放大器的输出品质,推动多电平D类功率放大器的应用与推广。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
类功率放大器论文参考文献
[1].区力翔,李思臻,余凯,章国豪.用于包络跟踪功率放大器的叁电平包络调制器[J].电子技术应用.2019
[2].牛茜.基于FPGA多电平D类功率放大器的PWM触发器[J].集成电路应用.2019
[3].韩娜,廖学介,杨秀强,庞玉会.0.35-2GHzGaNHEMT超宽带高效率功率放大器设计[J].电子世界.2019
[4].徐浩然.高电子迁移率晶体管功率放大器的设计[J].电子技术与软件工程.2019
[5].董祺圣.低频功率放大器的设计与研究[J].电子世界.2019
[6].景少红,钟世昌,饶翰,曹建强.L波段1.1kWGaN射频功率放大器设计[J].固体电子学研究与进展.2019
[7].杨阳.单片集成射频微波功率放大器及开关的设计分析[J].中国新技术新产品.2019
[8].张红彩,张巧寿,底红岩,王一东,张奎华.一种水冷式高压功率放大器[J].自动化与仪表.2019
[9].滕江,王斌,张鑫.应用于移动通信微基站的宽带Doherty功率放大器[J].电子器件.2019
[10].李贺.不同层面缺陷地对功率放大器的影响[J].电子与封装.2019
论文知识图
