导读:本文包含了准分子激光淀积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,激光,金刚石,等离子体,脉冲,超短,质量。
准分子激光淀积论文文献综述
刘晶儒,白婷,姚东升,李铁军,王丽戈[1]（2002）在《脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究》一文中研究指出利用两种脉宽 (30ns,5 0 0fs)的KrF准分子激光展开了淀积类金刚石薄膜的实验研究 ,并且成功地制备了大面积不含氢成分的HF DLC薄膜 ,运用时空分辨的等离子体发射光谱诊断系统和离子探针系统研究了等离子体特性对薄膜性能的影响。尝试了利用准分子激光制备非晶硅薄膜 ,研究了实验参数对非晶硅薄膜制备的影响 ,并分析了制备具有良好电学和光学性能的非晶硅薄膜的条件(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2002年05期）
王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫[2]（2001）在《脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光》一文中研究指出用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 ,其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁(本文来源于《半导体学报》期刊2001年10期）
王金波,张鹏翔[3]（2001）在《准分子激光淀积氧化物薄膜》一文中研究指出自 1 98 7年贝尔实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以来 ,脉冲激光淀积技术已得到了蓬勃发展 ,现在已成为最好的薄膜制备技术之一 .本文简要介绍了准分子激光的原理、PLD的原理以及用准分子激光脉冲淀积氧化物薄膜的工艺及其所表现的诸多优势(本文来源于《昆明理工大学学报(自然科学版)》期刊2001年01期）
官文杰,李玉华[4]（2000）在《氧等离子体辅助脉冲准分子激光淀积非晶金刚石薄膜》一文中研究指出采用XeCl准分子激光器沉积和用氧等离子体对薄膜表面刻蚀交替进行的方法制备非晶金刚石薄膜。薄膜表面光滑、平整、厚度比较均匀。Raman光谱显示,随着氧等离子体刻蚀时间的增加,薄膜中的微观结构趋于均匀,sp~3的含量增加。(本文来源于《2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集》期刊2000-06-30）
王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇[5]（2000）在《在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜》一文中研究指出报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波发光性质 .(本文来源于《半导体学报》期刊2000年06期）
姚东升,刘晶儒,王丽戈,李铁军,俞昌旋[6]（1999）在《超短脉冲准分子激光淀积类金刚石薄膜的实验研究》一文中研究指出利用ＫｒＦ超短脉冲激光器（２４８ｎｍ，５００ｆｓ，１０ｍＪ）开展了超短脉冲激光淀积类金刚石薄膜的实验研究，薄膜生长速率０．０２ｎｍ／ｐｕｌｓｅ，厚度０．５～０．６μｍ，显微硬度５５ＧＰａ，光学透过率优于９０％（５８０～２０μｍ）。采用等离子体的时间－空间分辨的发射光谱技术，给出了等离子体的粒子成份以及等离子体的时间－空间的演化图像，以及在不同激光参数条件下等离子体特性的变化，发现超短脉冲激光的等离子体有能量高、持续时间短（高通量）的特点，适合类金刚石薄膜的淀积并有制备其他非晶态结构和纳米相薄膜材料的潜力。利用自行研制的离子探针原位诊断了在成膜条件下的粒子流的特性及其随激光参数等实验条件的变化，其结果与发射光谱非常自洽。比较了不同激光参数条件下，等离子体特性、粒子流特性及淀积类金刚石薄膜的结构和性能的变化，并对短脉冲激光和靶相互作用过程和激光等离子体淀积类金刚石成膜的机理进行了讨论，为进一步提高成膜质量走向实用化打下基础。(本文来源于《光学学报》期刊1999年02期）
董丽芳,赵庆勋[7]（1997）在《准分子激光低温淀积金刚石薄膜》一文中研究指出金刚石薄膜以其优异的力、热、电、声、光等性质而具有广泛的应用前景。近年来，一系列化学气相淀积（CVD）技术被用于金刚石薄膜的合成，并取得了一系列的进展．但目前多数CVD方法中基片温度较高（大于800℃），这极大地限制了金刚石薄膜在光学、半导体和光电子学等(本文来源于《量子电子学报》期刊1997年06期）
董丽芳,赵庆勋[8]（1997）在《准分子激光低温淀积金刚石薄膜》一文中研究指出金刚石薄膜以其优异的力、热、电、声、光等性质而具有广泛的应用前景。近年来,一系列化学气相淀积 (CVD)技术被用于金刚石薄膜的合成,并取得了一系列的进展。但目前多数 CVD 方法中基片温度较高(大于 800℃),这极大地限制了金刚石薄膜在光学、半导体和光电子学等方面的应用。因此,低温生长高质量的金刚石(本文来源于《第叁届全国光学前沿问题讨论会论文摘要集》期刊1997-10-01）
席明霞,武四新,郑隽,吴正亮,李缙[9]（1997）在《准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜》一文中研究指出提出了一种新的激光光化学叁元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和组成，指出了该方法淀积硫化物薄膜的可行性。(本文来源于《中国激光》期刊1997年08期）
赵建洪,刘建设,黄歆,李兴教,安承武[10]（1997）在《准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜》一文中研究指出利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。(本文来源于《中国激光》期刊1997年04期）
准分子激光淀积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 ,其发光机制可能是空位缺陷及其它晶格缺陷形成的浅施主能级向价带的电子辐射复合跃迁
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
准分子激光淀积论文参考文献
[1].刘晶儒,白婷,姚东升,李铁军,王丽戈.脉冲准分子激光淀积薄膜的实验研究[J].强激光与粒子束.2002
[2].王玉霞,曹颖,何海平,汤洪高,王连卫.脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光[J].半导体学报.2001
[3].王金波,张鹏翔.准分子激光淀积氧化物薄膜[J].昆明理工大学学报(自然科学版).2001
[4].官文杰,李玉华.氧等离子体辅助脉冲准分子激光淀积非晶金刚石薄膜[C].2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集.2000
[5].王玉霞,温军,郭震,汤洪高,黄继颇.在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J].半导体学报.2000
[6].姚东升,刘晶儒,王丽戈,李铁军,俞昌旋.超短脉冲准分子激光淀积类金刚石薄膜的实验研究[J].光学学报.1999
[7].董丽芳,赵庆勋.准分子激光低温淀积金刚石薄膜[J].量子电子学报.1997
[8].董丽芳,赵庆勋.准分子激光低温淀积金刚石薄膜[C].第叁届全国光学前沿问题讨论会论文摘要集.1997
[9].席明霞,武四新,郑隽,吴正亮,李缙.准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜[J].中国激光.1997
[10].赵建洪,刘建设,黄歆,李兴教,安承武.准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜[J].中国激光.1997
论文知识图
