分子器件论文_尚文超

导读:本文包含了分子器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:分子,器件,磁阻,荧光,石墨,靖江市,南京大学。

分子器件论文文献综述

尚文超[1](2019)在《刘云圻:分子材料与器件的开拓者》一文中研究指出人物小传刘云圻,1949年2月生于江苏省靖江市,中国科学院化学研究所研究员、博士生导师。1975年刘云圻从南京大学化学系毕业后分配到中国科学院化学所工作至今。2015年当选中国科学院院士。刘云圻主要从事分子材料的设计、合成,以及这(本文来源于《光明日报》期刊2019-12-02)

孙峰,刘然,索雨晴,牛乐乐,傅焕俨[2](2019)在《单分子器件的拉伸与断裂过程第一性原理研究:末端基团效应》一文中研究指出基于密度泛函理论,研究了含S以及含N末端基团的分子结的拉伸与断裂过程.计算结果显示,对于尖端为锥形的金电极,当末端基团为—S时,拉断分子结的作用力大小为0.,59 nN,大于H原子未解离的—SH从金电极上断裂所需的0.25 nN作用力,但明显小于—S末端从平面金电极上断裂下来的约1.5 nN的作用力.当末端基团是—NH_2或—NO_2时,分子结断裂所需拉力分别为0.45和0.33 nN.体系轨道分布表明,分子与电极通过前线占据轨道耦合后形成的扩展体系分子轨道离域性越好,拉断分子结所需的作用力越大.自然键轨道(natural bond orbital,NBO)分析显示,若分子末端与电极间未形成成键轨道,末端原子上更多的NBO净电荷可以提高分子与电极间结合的稳定性.结合我们以前的研究,可以发现,—S末端和—NH_2末端对金电极界面的微观构型具有明显的识别功能,这为精确操控并理解分子与金电极间的相互作用及界面结构提供了有用信息.(本文来源于《物理学报》期刊2019年17期)

李瑾[3](2019)在《石墨炔基分子自旋电子学器件输运性质的理论研究》一文中研究指出手机、电脑、存储器等电子产品性能的不断提高归功于芯片的发展,而芯片的发展一直遵循着摩尔定律,这在很大程度上提高电子产品性能的同时也降低了它们的成本。随着芯片尺寸的进一步减小,电子干涉、隧穿、衍射等量子效应的出现使得摩尔定律面临失效的危险。基于量子力学的分子自旋电子学器件是解决这一问题的有效方法,它一方面避免了量子效应带来的负面影响;另一方面,分子自旋电子学器件优于传统电子学器件之处是在电荷的基础上引入了自旋。自旋电子间相互作用比电荷电子间相互作用弱1000倍,这在原理上决定了自旋电子学器件要比传统的微电子器件有更低的能耗和更高的稳定性。而输运性质是电子产品工作的基本原理。因此,探索分子自旋电子学器件的自旋相关输运性质可以为纳米电子学和自旋电子学提供潜在应用。基于以上背景,本论文首先系统研究ZγGYNRs的电子学和磁学性质以及相应同质结的输运性质。结果表明,ZγGYNR的性质可通过O、B或N原子替换进行有效调控。所设计的ZγGYNR同质结有很丰富的输运性质:隧穿磁阻效应(TMR)、负微分电阻效应(NDR)、反常磁阻效应(AMR)以及自旋过滤效应(SPR)。O、B或N替换以后,同质结的输运性质明显增强。但与文献报道的结果相比,TMR和SPR依然不是很高,因此,在之后的工作中引入分子磁隧穿结。第二部分工作致力于设计出新颖的石墨炔-石墨烯分子磁隧穿结(MMTJs),研究其自旋相关输运性质。结果表明,所设计的两种MMTJs有不同的输运机理,重要的单自旋过滤、双自旋过滤、隧穿磁阻效应和自旋负微分电阻效应都可以在这两种MMTJs中发现。此外,自旋极化光电流与光的极化方向和电极的磁化方向有关。第叁部分工作基于6,6,12-石墨炔和ZGNRs设计了两种分子自旋电子学器件,研究γ-石墨炔替换6,6,12-石墨炔后的自旋过滤效应和隧穿磁阻效应。结果表明两种MMTJs有高的极化率和大的隧穿磁阻值,这在实际应用中可提高器件的灵敏度。(本文来源于《太原理工大学》期刊2019-06-01)

魏启兵[4](2019)在《稠杂环小分子和异靛蓝基聚合物的设计合成及其器件性能研究》一文中研究指出有机场效应晶体管(OFET)由于其具有质轻价廉、可溶液加工、大面积制备及柔性等突出的特点在射频识别标签、电子纸及柔性显示等有机电子领域具有非常广阔的应用前景。设计合成综合性能优异的有机半导体材料、晶体管器件中有机半导体材料载流子传输机理及相应的构-性关系是目前有机场效应晶体管研究领域的两个重大科学难题。基于高性能有机半导体材料比较匮乏的研究现状以及载流子传输机制尚不明确等严峻挑战,本论文设计合成了一系列稠环有机小分子以及异靛蓝基聚合物并深入研究了其物化性质及OFET器件性能。主要研究内容如下:1.设计合成了D-A型五元稠杂环小分子IC-DDTPTI和IDC-DDTPTI,详细研究了不同程度拉电子能力受体单元(A)对材料的紫外-可见吸收光谱、电化学以及OFET器件性能的影响。实验结果表明:以IC-DDTPTI为半导体材料的晶体管器件表现为均衡的双极性:最高电子迁移率为0.40 cm~2V~(-1)s~(-1)、最大空穴迁移率为0.18 cm~2V~(-1)s~(-1);而含有更强拉电子能力受体单元IDC的有机半导体材料IDC-DDTPTI,其具有更低的LUMO能级(<–4.0 eV),相应地晶体管器件则表现为单极性的n-型电荷传输特性,并且该分子具有非常好的溶解性!这将为设计合成D-A型高性能有机半导体分子提供新型受体单元,推动新型D-A结构高性能半导体材料在OFET领域的快速发展;2.设计合成了基于异靛蓝结构的A_1-D-A_2-D型共轭聚合物PIIDDTBT和PIIDDTffBT,详细研究了氟原子取代基对聚合物的紫外-可见吸收光谱、电化学以及OFET器件性能的影响。实验结果表明:基于不含氟原子取代基的共轭聚合物PIIDDTBT的晶体管器件表现为双极性传输(电子/空穴迁移率分别为10~(-2)/10~(-3)cm~2V~(-1)s~(-1));引入氟原子取代基进一步降低了化合物PIIDDTffBT的能级,并且在聚合物共轭骨架上形成F…S构象锁,使得聚合物分子排列更加有序规整,因此其相应的晶体管器件表现出性能优异地均衡双极性传输(最高空穴/电子迁移率均超过0.1 cm~2V~(-1)s~(-1))!该工作也进一步证实了氟原子取代基的引入对基于异靛蓝聚合物的载流子传输特性产生了非常重要的影响;3.设计合成了基于联噻吩并吡咯结构的八元稠环醌式分子Q2P3TT,通过紫外-可见吸收光谱、红外光谱、拉曼光谱、核磁共振谱、质谱、EPR、SQUID、DFT理论计算等一系列表征手段证实该分子具有典型的双自由基特性!4.通过在反式二苯乙烯骨架上引入给电子基团甲硫基并改变卤素取代基的类型以及位置设计合成了五个化合物Br-DPE、Br-BMTPE、Cl-BMTPE、I-BMTPE、Br*-BMTPE,并对该系列化合物的紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱、单晶结构进行表征,系统研究了给电子基团、卤素取代基类型及位置对聚集态中卤卤相互作用的影响。实验结果表明:化合物Br-BMTPE、Cl-BMTPE、I-BMTPE形成了强的卤素–卤素相互作用,化合物Br-DPE、Br*-BMTPE中不存在卤素–卤素相互作用,进一步证实了给电子基团和卤素取代基类型及位置对卤素–卤素相互作用的形成至关重要;另外,形成卤素–卤素相互作用的化合物Br-BMTPE、Cl-BMTPE具有强的π-π相互作用,但依然表现出很强的荧光特性,这为设计合成兼有导电和发光特性的功能性材料提供了新思路。(本文来源于《上海师范大学》期刊2019-05-20)

王亚倩[5](2019)在《从镓基超分子纳米结构到γ-Ga_2O_3日盲探测性能纳米器件》一文中研究指出日盲探测系统在民用以及军事相关领域受到了广泛关注.γ-Ga203拥有较宽的带隙和良好的稳定性,其纳米材料的研究将是未来构筑镓氧化物日盲探测器件的重要发展方向,在日盲探测系统中具有巨大的应用潜力.为了解决γ-Ga203纳米晶制备过程中存在的溶剂干扰问题,采用室温固相研磨技术,通过构建镓基配合物超分子纳米晶作为前驱体,在理解前驱体结构/温度相关性的基础上,进而通过前驱体的可控热解构合成高质量的γ-Ga203纳米晶,实现其日盲探测性能的改善,最终构筑具有优异光电响应性能的日盲探测器件.基于室温固相反应通过构建/解构超分子纳米晶获得金属氧化物纳米晶的研究思路具有新颖性和独创性.纳米超分子包合物的形成不仅能够显着改变主体空腔内部微环境,而且可对实现特定客体的结构或性能微调.该方法不仅具有低成本的竞争优势如简单高效、无需苛刻反应条件、不使用溶剂等,而且具有广泛的应用前景如应用于合成其它金属基超分子纳米材料和金属氧化物纳米材料.我们相信研磨-热解策略为合成高质量的超分子纳米晶体和无机纳米材料提供了一种高效便捷的途径.本论文包含叁方面内容:1)γ-Ga2O3纳米层的可控合成;2)纳米超分子材料构筑金属氧化物材料研究;3)γ-Ga2O3材料的日盲探测性能研究.第一部分包含以下内容:采用简便的研磨方法,用于制备由环糊精和乙酰丙酮镓形成的超分子正方纳米板.纳米板在室温下表现出高度单分散的分布特性,并在353 K下自组装形成超分子层状纳米片.当加热至更高的温度如673 K层状纳米片分解成γ-Ga2O3层纳米片.与叁维结构(纳米球状)的γ-Ga2O3相比,γ-Ga2O3纳米片(厚度约15 nm)具有非常高的比表面积(93.9 m2·g1).第二部分包含以下内容:尝试将固相研磨构筑超分子晶体继而解构产生氧化物纳米材料的策略拓展应用于其它金属基超分子纳米晶的可控合成.采用其他客体替代金属配合物GAA/采用其他主体替代γ-CD论证策略的可行性.第叁部分包含以下内容:对比超分子路径和镓配合物路径生成的两种不同形貌γ-Ga2O3的光致发光特性和日盲探测性能,前者显示出更为优越的日盲探测性能(更大的明暗电流比;更快的响应时间;更优的明电流稳定性).(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-02)

费楠楠,毛艳,郑武斌,商娟,郝仕油[6](2019)在《新型高效有机电致小分子发光材料及其在OLED器件中的应用》一文中研究指出有机电致发光材料对有机发光二极管(OLED)的性能具有决定性的作用。传统荧光材料只能利用单线态发光,导致其理论外量子效率(EQE)仅为5%,远低于预期。基于此,研究者通过设计新型发光材料,包括磷光、热活化延迟荧光(TADF)、叁重态-叁重态湮灭(TTA)等,从而利用叁线态激发态,进而提高OLED的外量子效率。本文通过说明新型高效小分子电致发光材料及其发光机理,从而为设计或选择适合于特定OLED器件的发光材料提供有用的信息。(本文来源于《广东化工》期刊2019年08期)

刘瑞金[7](2019)在《分子器件电输运性能的比较研究》一文中研究指出从第一性原理出发,在几何结构优化的基础上,用弹性散射格林函数的方法对萘分子器件的电子结构及其电学性质进行了计算。计算结果表明,选择不同的官能团与分子结合组成不同的分子构型,会引起分子器件电子输运谱的很大变化,同时也对分子电流和电导等电输运性质产生明显的影响。(本文来源于《山东理工大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期)

龚子峰[8](2019)在《高效溶液加工型小分子OLED器件研究》一文中研究指出近年来,有机发光二极管(OLED)凭借其轻薄、自发光、视角宽、能耗低、快速响应、可柔性显示等优点,在大面积平面显示和固态光源等方面具有广阔的应用前景,得到了人们的广泛关注。目前,制备OLED器件主要有真空蒸镀和溶液加工两种方式,其中,溶液加工的方式具有工序更简洁、成本更低廉的优势,在大尺寸OLED产品应用普及方面更具优势。然而,目前溶液加工型OLED器件的发展仍存在效率低下等诸多问题。因此,本论文致力于溶液加工型OLED器件的相关研究,制备得到了高性能表现的蓝光及白光器件,同时对其光物理过程进行了深入讨论,为后续的研究提供了参考和借鉴。本论文的研究内容主要分为以下叁个方面:1、基于新型的热活化延迟荧光(TADF)小分子材料,制备出高效的蓝光器件。通过对各有机功能层的精细调控,系统研究了不同性质的功能层对器件性能的影响,得到了适于溶液加工型的新型非掺杂OLED器件结构。基于TADF材料DACR-DPTX的器件实现了最大电流效率为22.1 cd/A、最大EQE为12.8%、CIE坐标为(0.16,0.24)的高效蓝光发射。2、基于蓝光材料DACR-DPTX和黄光材料PXZDSO2,制备出高效的二元白光器件。利用DACR-DPTX同时作为主体和蓝光材料,通过对黄光材料掺杂浓度的精确调控,借助于不充分的F?rster能量转移过程,制备得到了最大电流效率为54.3 cd/A、最大EQE为19.4%、CIE坐标为(0.31,0.44)的互补色白光器件,且展现出极好的光谱稳定性。这是目前已报道的效率最高的溶液加工型全荧光白光器件。3、基于蓝光材料DACR-DPTX、黄光材料PXZDSO2和传统红色荧光材料DBP,制备出高效高显色指数的叁元白光器件。为解决目前溶液加工型全荧光白光器件难以同时实现高效率与高显色指数的问题,首次采用多热活化延迟荧光敏化传统荧光的策略,通过在上述的二元白光体系中引入红光材料DBP,使蓝光自主体材料、黄光辅助主体材料和红光客体材料均得以实现发射,在实现高显色指数的前提下实现了能量和激子的高效利用。制备得到了最大电流效率为24.1 cd/A、最大EQE为11.0%、CIE坐标在亮度为100 cd/m~2时为(0.33,0.37)、CRI为88和最大电流效率为42.1 cd/A、最大EQE为16.4%、CIE坐标在亮度为100 cd/m~2时为(0.32,0.42)、CRI为72的溶液加工型白光OLED器件,以上效率均为目前对应显色指数范围内白光器件的最高值。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-11)

杨航[9](2019)在《锗锡薄膜的分子束外延生长与GaAs基集成光电器件研究》一文中研究指出在过去的几十年中,IV族半导体光电子器件在光电子集成,高速光通信和高速信号处理方面有着广泛的应用。Ge被认为是基于Si的光电探测器中最佳的候选材料。由于Ge薄膜外延生长技术的突破促使Si上Ge薄膜光电探测器的进步。Ge能带间接带隙小于直接带隙,所以Ge是间接带隙半导体,在光学应用中相对受到限制。为了克服这一困难,合成高质量的GeSn合金引起了人们极大的兴趣。Sn的添加可以降低直接带隙,并且可以通过控制Sn的含量实现吸收红外光波长的可调性,因此GeSn材料在红外光电探测方向有很好的应用前景。在如何制备更高质量GeSn薄膜的研究中,本文在两个方面做了改良。第一,选择GaAs作为基片,GaAs的晶格常数和Ge晶胞尺寸仅相差0.1%,这导致GaAs上的Ge缓冲层中穿透位错的密度远远小于Si上Ge缓冲层。从而大大降低了Ge缓冲层渗入GeSn薄膜中的延伸结构缺陷,从而减少了Sn的表面偏析和塑性松弛。第二,尝试制备叁维外延结构的GeSn薄膜,大多薄膜光电探测器的都是二维平面结构的,制备叁维外延结构的薄膜光电探测器可以改良二维结构的薄膜光电探测器的性能。本文尝试制作了二维结构的GaAs-GeSn薄膜PIN型光电探测器,研究了表面形貌特征、X射线衍射性能、X射线光电子能谱特性、拉曼光谱特性、红外光谱吸收特性和光电特性等性能。对于GaAs-GeSn薄膜的最佳生长条件、PIN结的纵向结构设计和制作,本文做了详细的研究:Sn组分对薄膜性能的影响,通过半导体光刻、刻蚀等流程制作探测器,测试了器件的伏安特性曲线及On-Off曲线,研究了Sn组分对及光电探测器性能的影响。最后,本文尝试制备了叁维外延结构的GaAs-GeSn薄膜PIN型光电探测器,研究了薄膜的扫描电子显微图、拉曼光谱特性、红外光谱吸收特性和光电特性等性能。本文探究了叁维外延结构GaAs-GeSn薄膜的阵列深度对薄膜及其光电探测器性能的影响。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01)

夏莹[10](2019)在《金属卟啉分子器件的自旋输运性能研究》一文中研究指出分子器件在最近几十年里发展迅速。迄今为止,科学家们通过理论和实验的方法已发现了许多具有特殊功能的分子器件,它们是未来电子元器件的替代者。关于分子器件的设计,目前研究主要在于中心分子的选择、分子与电极的链接以及内外因素对器件的影响,其中如何选择中心分子和链接分子与电极又是其重点。本文采用第一性原理的研究方法,研究了金属卟啉分子器件的自旋输运性能。提出通过改变金属卟啉的中心金属离子、卟啉分子与电极的链接方式来改善分子器件的自旋传输性能。主要研究内容如下:(1)通过研究不同金属(Mn、Fe、Co、Cu)卟啉二聚体分子器件的自旋输运性能,我们发现该研究中所有金属卟啉二聚体分子器件在石墨烯纳米带电极为铁磁态时均表现出优异的自旋过滤行为,自旋过滤效率接近100%。该研究中每个金属卟啉二聚体分子器件均表现出可观的巨磁阻效应,磁阻率高达107%,且随偏压增大而增大。这些研究成果对未来双功能分子器件的设计具有重要的指导作用。(2)构建血红素/石墨烯异质结。自旋输运计算发现电极铁磁态时异质结呈现出优异的自旋过滤效应,且自旋过滤系数依赖于血红素分子的自旋设置。另外血红素分子的高自旋态和低自旋态转变会引起异质结的自旋电流发生翻转,低自旋态异质结表现出自旋整流现象,整流比最高为7.3。结果表明分子的自旋对器件的自旋输运性能有影响,这对今后分子器件的研发有一定的指导作用。金属卟啉通过共价键和范德华力分别与石墨烯纳米带电极相互作用,形成分子器件。器件的自旋输运性质研究发现,两种连接方式形成的器件中,自旋电子的传输路径不同。共价连接的分子器件中自旋电子的输运通道主要是金属卟啉的π共轭结构,而范德华力相互作用的分子器件中自旋电子大部分经过卟啉分子中的金属离子进行传输。结果表明分子与电极的相互作用对器件的自旋输运性质会产生一定的影响,对后面分子器件的设计提供了参考。(本文来源于《华中师范大学》期刊2019-04-01)

分子器件论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

基于密度泛函理论,研究了含S以及含N末端基团的分子结的拉伸与断裂过程.计算结果显示,对于尖端为锥形的金电极,当末端基团为—S时,拉断分子结的作用力大小为0.,59 nN,大于H原子未解离的—SH从金电极上断裂所需的0.25 nN作用力,但明显小于—S末端从平面金电极上断裂下来的约1.5 nN的作用力.当末端基团是—NH_2或—NO_2时,分子结断裂所需拉力分别为0.45和0.33 nN.体系轨道分布表明,分子与电极通过前线占据轨道耦合后形成的扩展体系分子轨道离域性越好,拉断分子结所需的作用力越大.自然键轨道(natural bond orbital,NBO)分析显示,若分子末端与电极间未形成成键轨道,末端原子上更多的NBO净电荷可以提高分子与电极间结合的稳定性.结合我们以前的研究,可以发现,—S末端和—NH_2末端对金电极界面的微观构型具有明显的识别功能,这为精确操控并理解分子与金电极间的相互作用及界面结构提供了有用信息.

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

分子器件论文参考文献

[1].尚文超.刘云圻:分子材料与器件的开拓者[N].光明日报.2019

[2].孙峰,刘然,索雨晴,牛乐乐,傅焕俨.单分子器件的拉伸与断裂过程第一性原理研究:末端基团效应[J].物理学报.2019

[3].李瑾.石墨炔基分子自旋电子学器件输运性质的理论研究[D].太原理工大学.2019

[4].魏启兵.稠杂环小分子和异靛蓝基聚合物的设计合成及其器件性能研究[D].上海师范大学.2019

[5].王亚倩.从镓基超分子纳米结构到γ-Ga_2O_3日盲探测性能纳米器件[D].中国科学技术大学.2019

[6].费楠楠,毛艳,郑武斌,商娟,郝仕油.新型高效有机电致小分子发光材料及其在OLED器件中的应用[J].广东化工.2019

[7].刘瑞金.分子器件电输运性能的比较研究[J].山东理工大学学报(自然科学版).2019

[8].龚子峰.高效溶液加工型小分子OLED器件研究[D].华南理工大学.2019

[9].杨航.锗锡薄膜的分子束外延生长与GaAs基集成光电器件研究[D].电子科技大学.2019

[10].夏莹.金属卟啉分子器件的自旋输运性能研究[D].华中师范大学.2019

论文知识图

纳米器件的左右电极能带结构图、输运...氟化ZBNNRs的结构及其器件模型图锰卟啉自旋电子器件结构图自旋电子器件的零偏压输运谱图含有稠环噻吩的聚噻吩衍生物改变薄膜厚度制备器件的电流密度-电压...

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分子器件论文_尚文超
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