导读:本文包含了脉冲上升沿论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:脉冲,电磁,传输线,抑制器,时间,等离子体,葡萄球菌。
脉冲上升沿论文文献综述
李亚南,谭志良[1]（2018）在《基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护模块设计与研究》一文中研究指出为了研究PIN二极管对快上升沿电磁脉冲的响应,基于PIN二极管时域等效电路模型,仿真研究了PIN二极管电路在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态电压特性。以集总参数巴特沃斯低通滤波器电路为原型,通过拟合二极管寄生参数值,结合键合金丝电感参数,设计了一款基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护电路模块,并对防护电路模块的快上升沿电磁脉冲防护性能进行了测试。结果表明:在1～250 MHz短波、超短波频段内,防护模块的插损小于0. 38 d B;当输入方波脉冲为4 000 V时,限幅响应时间小于2 ns,输出电平小于30 V,满足快上升沿电磁脉冲的防护要求。(本文来源于《兵工学报》期刊2018年10期）
邓己媛,黎长风,吴远泸,陈松[2]（2018）在《时钟脉冲上升沿时间对分频电路影响的实验研究与探讨》一文中研究指出信号上升时间或下降时间对信号完整性的影响研究往往发生在高速系统中,笔者在中低速的模数接口分频电路中发现时钟脉冲信号上升沿时间直接决定了电路能否正常分频,提出除电平匹配和负载匹配是模数接口电路中通常考虑因素外,时钟信号沿陡峭程度也是电路正常工作不容忽视的输入影响因素.并对此进行了实验研究和探讨,提出了可行的解决方案.(本文来源于《湖南理工学院学报(自然科学版)》期刊2018年01期）
Sergey,B.Alekseev,Mikhail,I.Lomaev,Dmitry,V.Rybka,V.F.Tarasenko,邵涛[3]（2013）在《30～200kV、上升沿1.5ns电压脉冲作用下常压空气中逃逸电子的产生(英文)》一文中研究指出A pulse generator with a voltage rise time of～1.5 ns and voltage amplitude variable from 30 kV to 200 kV was designed for generating runaway electron beams in atmospheric pressure air with different interelectrode gaps.The influence of the voltage amplitude and gap length on the generation was studied.In the gas diode geometry under study,the gap voltage at which the generation of a runaway electron beam begins was determined.Decreasing the voltage pulse amplitude does not increase the beam current pulse width measured with a time resolution of～0.1 ns.It is shown that the escape of beam electrons to the downstream of the foil is sync in time with the voltage drop across the gap,and that the delay of beam current generation increases gradually from 1.1 ns to 2.6 ns as the voltage pulse amplitude across the gap decreases from～100 kV to 40 kV.(本文来源于《高电压技术》期刊2013年09期）
吴淑群,许海涛,卢新培,潘垣[4]（2013）在《脉冲直流电压上升沿对大气压非平衡等离子体的影响》一文中研究指出近几年来,国际上几个课题组提出短脉冲驱动大气压非平衡等离子体要优于kHz交流驱动。研究成果表明:短脉冲驱动能够提高臭氧合成效率、提高紫外输出功率、更容易产生均匀等离子体、具有更高的等离子体功率传输效率等。通常认为:短脉冲具有快速的上升沿,并且这个快速的上升沿会导致过电压击穿。由于过电压可能会导致更多的高能电子产生,从而能进一步增强电离和激发过程。但是,到目前为止,还没有定量的研究报道脉冲上升沿是如何影响等离子体特性。在本工作中,定量研究了脉冲上升沿从4 us变化到100 ns时对等离子体特性的影响。实验结果表明:当脉冲上升沿从4us降低到140 ns时,等离子体长度从20 mm增加到70 mm。放电电流峰值从0.2 A增至1.3 A。相应的击穿电压从小于4 kV增加到6 kV,并且电子温度从1.25 eV增至1.55 eV。这些结果进一步证明了脉冲上升沿越陡,等离子体活性越强。(本文来源于《第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集》期刊2013-08-15）
张希军,杨洁,张庆海[5]（2012）在《瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应》一文中研究指出为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利用该测试系统,对典型双极TVS器件在快上升沿电磁脉冲作用下的电流特性和电压特性进行了研究,并对试验数据进行了拟合分析。结果表明,TVS器件的箝位电压、峰值电流等参数均随着测试电压的增大而增大,且与测试电压呈线性关系;而由箝位电压决定的箝位响应时间受测试电压的影响较小。经对比分析实验结果得出,对快沿电磁脉冲,采用固定响应时间下的箝位电压来衡量TVS器件的防护性能是较为合理的。(本文来源于《高电压技术》期刊2012年09期）
杨阳[6]（2011）在《PIN二极管在快上升沿电磁脉冲下的毁伤机理研究》一文中研究指出由于PIN二极管的反向击穿电压高,可以承受的功率高,开关的线性好,并且具有良好的可靠性和稳定型,而被广泛应用在微波开关、限幅器以及衰减器等控制电路中,并成为军用和民用领域中不可或缺的关键器件。PIN二极管的I区很厚,所以可以承受高的击穿电压,但是当快上升沿电磁脉冲加载在PIN二极管两端时极容易发生击穿甚至烧毁,这将严重影响系统工作的稳定型和可靠性。所以分析PIN二极管在快上升沿电磁脉冲下的损伤效应和机理对系统来说具有非常重要的意义。本文是基于一款实际应用中的PIN二极管进行建模仿真,这将使研究具有实际意义。首先,本文对PIN二极管的结构和工作原理进行了介绍,重点对正反偏特性进行了研究。然后,利用器件仿真软件ISE-TCAD对PIN二极管进行建模仿真,研究了快上升沿电磁脉冲信号对PIN二极管的毁伤效应和机理。通过分析仿真结果了解了当电磁脉冲加载在PIN二极管两端时,电磁脉冲的上升时间与产生电流之间的关系。还了解了不同阶跃电压加载在PIN二极管两端时,阶跃电压与产生电流的关系,并通过分析一个特定阶跃电压加载在PIN二极管两端时,PIN二极管击穿乃至烧毁的过程。最后探讨了PIN二极管的结构参数(如I区厚度和器件材料)对其毁伤的影响。本文的研究工作为半导体器件电磁脉冲损伤评估和防护加固的分析提供了一定的理论基础。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2011-05-01）
王玉富,王炳燊,王为钢,蔡宣叁,路春英[7]（2011）在《基于DA变换控制上升沿、下降沿的脉冲发生器》一文中研究指出为适应电感性负载对电流脉冲的上升沿、下降沿大范围电流变化率的要求,本文提出了功率DA转换器脉冲发生器电路,利用不同变比的一组脉冲变压变比的比值为1∶2∶4∶8∶16……的一组变压器,以及容量与变比相关的IGBT和二极管功率器件,通过选取功率器件开关状态的组合,并辅之以脉宽调制,便可以在极大的范围内高精度的控制负载电感的电压,进而实现脉冲电流的上升沿、下降沿的精确控制。(本文来源于《电力电子》期刊2011年01期）
王黎明,莫孟斌,张若兵,陈杰,李健[8]（2010）在《PEF中脉冲上升沿对金黄色葡萄球菌杀菌的影响》一文中研究指出方波脉冲因能量集中、能量利用率高、杀菌效果好而被认为是PEF技术的最优选择。但关于其上升时间对杀菌效果影响的研究和报道都比较少。为此,研究了在脉冲电场(PEF)技术中,高压方波脉冲的上升前沿对金黄色葡萄球菌杀菌效果的影响。通过实验分别比较了在上升时间为2μs和200ns的高压方波脉冲作用下,3种不同电导率(1.5、2.0、2.5mS/cm)的苹果汁在有效处理时间75μs、电场强度分别为25、30、35kV/cm下对金葡菌的杀灭效果。实验结果表明:在处理时间和脉冲电场强度等其它因素都相同的条件下,陡前沿的方波脉冲电场比上升时间长的方波脉冲电场对金葡菌的杀灭效果更好,平均能提高0.5个对数;处理后的温升也要低1～6°C。(本文来源于《高电压技术》期刊2010年04期）
秦长海,薛景[9]（2009）在《基于脉冲上升沿的雷达个体识别方法》一文中研究指出雷达个体识别即雷达指纹识别,是雷达对抗侦察的最终目的,也是现代电子对抗领域的难点。目前在用哪些物理量可以表征雷达信号的指纹特征问题上还存在争论,没有系统的理论。从脉冲包络上升沿方面进行分析研讨,提出一种利用上升沿进行基于多脉冲乃至单脉冲的雷达个体识别方法。仿真结果表明,在一定信噪比下该方法具有可行性。(本文来源于《舰船电子对抗》期刊2009年06期）
国海广,魏光辉,范丽思,潘晓东[10]（2009）在《快沿电磁脉冲模拟器传输线宽高比对脉冲上升沿影响研究》一文中研究指出采用基于矩量法电磁仿真软件FEKO,对快沿电磁脉冲模拟器内部场波形进行数值计算,研究模拟器传输线的宽高比对电磁脉冲上升沿的的影响。对计算结果进行一元线性回归分析,并对回归方程进行显着性检验,结果表明:模拟器内部电磁脉冲场的上升沿与模拟器宽高比存在着密切的正相关关系,即内部脉冲场的上升时间随传输线宽高比的增大而延长。(本文来源于《核电子学与探测技术》期刊2009年06期）
脉冲上升沿论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
信号上升时间或下降时间对信号完整性的影响研究往往发生在高速系统中,笔者在中低速的模数接口分频电路中发现时钟脉冲信号上升沿时间直接决定了电路能否正常分频,提出除电平匹配和负载匹配是模数接口电路中通常考虑因素外,时钟信号沿陡峭程度也是电路正常工作不容忽视的输入影响因素.并对此进行了实验研究和探讨,提出了可行的解决方案.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
脉冲上升沿论文参考文献
[1].李亚南,谭志良.基于PIN二极管的快上升沿电磁脉冲防护模块设计与研究[J].兵工学报.2018
[2].邓己媛,黎长风,吴远泸,陈松.时钟脉冲上升沿时间对分频电路影响的实验研究与探讨[J].湖南理工学院学报(自然科学版).2018
[3].Sergey,B.Alekseev,Mikhail,I.Lomaev,Dmitry,V.Rybka,V.F.Tarasenko,邵涛.30～200kV、上升沿1.5ns电压脉冲作用下常压空气中逃逸电子的产生(英文)[J].高电压技术.2013
[4].吴淑群,许海涛,卢新培,潘垣.脉冲直流电压上升沿对大气压非平衡等离子体的影响[C].第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集.2013
[5].张希军,杨洁,张庆海.瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应[J].高电压技术.2012
[6].杨阳.PIN二极管在快上升沿电磁脉冲下的毁伤机理研究[D].西安电子科技大学.2011
[7].王玉富,王炳燊,王为钢,蔡宣叁,路春英.基于DA变换控制上升沿、下降沿的脉冲发生器[J].电力电子.2011
[8].王黎明,莫孟斌,张若兵,陈杰,李健.PEF中脉冲上升沿对金黄色葡萄球菌杀菌的影响[J].高电压技术.2010
[9].秦长海,薛景.基于脉冲上升沿的雷达个体识别方法[J].舰船电子对抗.2009
[10].国海广,魏光辉,范丽思,潘晓东.快沿电磁脉冲模拟器传输线宽高比对脉冲上升沿影响研究[J].核电子学与探测技术.2009
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