导读:本文包含了亚阈值特性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:负电容场效应晶体管,低功耗,亚阈值摆幅,铁电材料
亚阈值特性论文文献综述
王步冉,李珍,谭欣,翟亚红[1]（2019）在《SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究》一文中研究指出随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗。该文设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)结构的铁电负电容场效应晶体管,利用TCAD Sentaurus仿真工具对负电容晶体管进行仿真研究,得到了亚阈值摆幅为30.931 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构和参数。最后仿真研究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度对负电容场效应晶体管亚阈值特性的影响。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年05期）
朱兆旻,王睿,赵青云,顾晓峰[2]（2014）在《短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析》一文中研究指出基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年02期）
王会杰,王春华,何海珍,李湛[3]（2011）在《一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源》一文中研究指出采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃～120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。(本文来源于《微电子学》期刊2011年05期）
金林,高珊,陈军宁,褚蕾蕾[4]（2010）在《基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性》一文中研究指出提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2010年04期）
韩茹,杨银堂,贾护军[5]（2008）在《短沟道SiC MESFET亚阈值特性》一文中研究指出基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化。栅长越大,温度越高,亚阈值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2008年04期）
杨曙辉,仇玉林[6]（2008）在《基于MOS管亚阈值特性的模拟译码器》一文中研究指出利用MOS管亚阈值特性,构造了输入输出均为电流信号的模拟乘法器;经过变形,设计了模拟概率计算电路。以此为基础,通过晶体管级的模拟电路设计,构造了新型的网格码模拟译码器,给出了模拟译码器的译码性能。模拟结果表明,在速度一定的条件下,与采用数字电路实现的概率译码器相比,该模拟译码器在功耗和芯片面积上至少减少了一个数量级。(本文来源于《微电子学》期刊2008年03期）
代月花,陈军宁,柯导明,胡媛[7]（2007）在《研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法(英文)》一文中研究指出提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.(本文来源于《中国科学技术大学学报》期刊2007年11期）
代月花,陈军宁,柯导明[8]（2007）在《摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性》一文中研究指出采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheetmodel)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年02期）
张洵,王鹏,靳东明[9]（2006）在《基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器》一文中研究指出针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50~150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放负反馈结构对电源电压具有较高的抑制,在2~6V的范围内都能得到正确的输出结果.芯片实测,温度灵敏度为0.77V/℃.因为基于CMOS亚阈值特性产生了电路的偏置电流,所以工作电流仅16μA.芯片面积300μm×250μm.该传感器的特性表明它非常适用于高容量的集成微系统中,在计算机、汽车电子、生物医学等领域有着广阔的应用前景.(本文来源于《半导体学报》期刊2006年09期）
屠荆,杨荣,罗晋生,张瑞智[10]（2005）在《应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟》一文中研究指出通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比SiPMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注。(本文来源于《电子器件》期刊2005年03期）
亚阈值特性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
亚阈值特性论文参考文献
[1].王步冉,李珍,谭欣,翟亚红.SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究[J].压电与声光.2019
[2].朱兆旻,王睿,赵青云,顾晓峰.短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析[J].固体电子学研究与进展.2014
[3].王会杰,王春华,何海珍,李湛.一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源[J].微电子学.2011
[4].金林,高珊,陈军宁,褚蕾蕾.基于摄动法研究短沟道SOIMOSFET亚阈值特性[J].微电子学与计算机.2010
[5].韩茹,杨银堂,贾护军.短沟道SiCMESFET亚阈值特性[J].功能材料与器件学报.2008
[6].杨曙辉,仇玉林.基于MOS管亚阈值特性的模拟译码器[J].微电子学.2008
[7].代月花,陈军宁,柯导明,胡媛.研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法(英文)[J].中国科学技术大学学报.2007
[8].代月花,陈军宁,柯导明.摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性[J].半导体学报.2007
[9].张洵,王鹏,靳东明.基于CMOS亚阈值特性的低功耗温度传感器[J].半导体学报.2006
[10].屠荆,杨荣,罗晋生,张瑞智.应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟[J].电子器件.2005