导读:本文包含了薄膜图形化论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,克尔,各向异性,图形化,应力,电极,残余。
薄膜图形化论文文献综述
盛百城,白欣娇,唐兰香,甘琨,袁凤坡[1]（2019）在《图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响》一文中研究指出采用预铺Ga或NH_3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底(PSS)表面,然后外延生长了GaN薄膜,研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响。结果显示,PSS经过预铺Ga后生长的GaN薄膜具有平滑的表面和清晰平直的原子台阶,且位错密度最低;氮化后生长的GaN薄膜原子台阶较宽,螺型位错密度较低;衬底未经表面处理生长的GaN薄膜,原子台阶模糊,位错密度最高;同时,与氮化或未经预处理的方法相比,经过预铺Ga的方式预处理PSS表面后生长的GaN薄膜残余应力最小。分析认为,预铺Ga、氮化等方式处理衬底表面,改变了PSS微结构,有利于生长表面平滑、晶体质量高、残余应力小的GaN薄膜。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年05期）
郭凯,张传升[2]（2019）在《铜铟镓硒薄膜太阳能电池新型图形化透明前电极研究》一文中研究指出为了优化铜铟镓硒薄膜太阳能电池的前电极,提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率,提出了一种可应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的AZO/图案化Ag薄膜/AZO结构的前电极,中间层的Ag薄膜与电池顶层的金属栅线具有完全相同的图案和尺寸,并且位于金属栅线的正下方,这种新型结构可以提高电池前电极的电学性能,但对电池来说不会带来额外的光学损失。对比了新型前电极结构与几种传统前电极的电学和光学性能,并且制备了相应的电池进行了性能对比。实验结果表明,新型的前电极结构可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的短路电流,相对传统AZO电极,电池效率从13. 83%提高到14. 53%。本结构可以明显提高电池效率。(本文来源于《发光学报》期刊2019年02期）
张燕[3]（2018）在《图形化金属软磁薄膜的高频电磁特性研究》一文中研究指出随着雷达探测、通讯技术和消费电子的快速发展,磁性材料在GHz波段内的优异高频电磁特性而广泛应用于军用和民用领域。例如在现代无线通讯中,我们通过手机来进行交流,这需要电磁波来进行信号传输,从过去的二代GMS数字通讯发展到现在的第四代4G通讯技术,不仅要求电磁波频率高,还需要在这些高度集成化电子设备内部间形成的信号干扰小。具有磁各向异性的薄膜化微波磁性材料可以改善材料的共振频率和磁导率特性,从而使得信号传输的更快,同时可有效减弱设备内部的传导干扰和电磁兼容干扰等问题。因此通过调控磁性薄膜材料的磁各向异性场来调控材料的高频磁性成为了薄膜材料的一个研究热点。由于在图形化小单元中会引入额外的形状各向异性能,同时具有材料选择性,因而图形化薄膜的研究引起了越来越多的兴趣。本课题研究的着重点放在如何制备图形化薄膜、改变图形化单元的尺寸和混合排列方式引入形状各向异性能来实现对NiFe软磁薄膜高频磁性能的有效调控,从而达到器件高频化、集成化、片式化和微型化的目的。主要内容如下:(一)通过光刻和磁控溅射技术制备出不同宽度的微米级Ni Fe软磁薄膜条纹,设计的线宽从2μm变化到30μm。相对于连续薄膜而言,图形化薄膜样品表现出明显的形状磁各向异性,并且随着线宽的不断减小,磁各向异性场(H_k)从87 Oe增加到576 Oe。同时我们通过矢量网络分析仪表征动态磁性可以看到,样品的共振频率从0.7 GHz增大到了10.6 GHz,实现了在L,S,C,X四个波段内可调。(二)将两种不同宽度的微米级磁条按不同比例混合排列在5*5 mm大小的基片上。磁条在组合之后,磁滞回线易轴的矫顽力增大,面内磁各向异性H_k减小,且回线表现出类似条纹畴回线的台阶结构。通过MFM表征发现线条内部畴结构重新排列,组合后样品的共振频率提高到7 GHz,同时磁导率保持一个较高值,突破了传统的Acher极限。(叁)在不同温度下对Al_2O_3基片进行热处理,对其表面形成的类似叁角波式条纹通过MFM表征其波长和峰高。随着温度升高,波长增大到62.1nm,磁滞回线易轴的矫顽力增大到75 Oe,同时形成的磁各向异性场也增大到了238 Oe,这说明通过对Al_2O_3基片进行热处理,引入的纳米叁角波条纹会对样品的磁各向异性产生影响。且相对于平坦的连续薄膜而言,纳米图形化薄膜的共振频率提高了2倍。(本文来源于《西南科技大学》期刊2018-05-20）
黄友杨[4]（2018）在《超声3D打印机研发及核壳Cu纳米丝的大面积图形化透明导电薄膜应用研究》一文中研究指出随着液晶电视、智能手机、平板电脑、触摸屏、智能穿戴等光电子产品的普及,在光电子器件在技术上日益成熟的同时,仍就面临着许多尚未解决的难题。透明电极作为光电子器件的重要组成部分之一,一直都是研究者们青睐的探索课题。传统电极ITO在工艺以及材料上的发展出现了瓶颈,并且由于铟资源的匮乏导致ITO价格的太过昂贵,加上ITO比较脆因此不利于将其应用在柔性电子设备当中。目前除了 ITO,石墨烯、碳纳米管、金属纳米线等众多透明电极材料也都被广泛的研究,可见透明导电电极拥有着广阔的应用市场。那么在此背景下,新型透明电极成为了研究者们竞相追逐的目标。其中,铜纳米丝凭借着其低成本,仅为ITO的一百分之一,并且具备着高柔性以及优良的光电特性,被公认为新一代的透明电极希望之星。不过在研究铜纳米丝的过程当中,其仍然面临着一些难题,诸如铜纳米丝在空气中极易被氧化,以及转移技术所限难以制备大大面积的透明导电薄膜,亟待解决。针对上述难题,本论文进行了一系列探索性研究。首先,为克服铜纳米丝容易氧化的这一难题,我们在铜纳米丝表面上包裹上不同种类物质作为抗氧化层,以提高其本身的稳定性;其次,我们提出超声3D打印喷涂技术来制备大面积透明导电薄膜,提出了新的技术理念,并且取得重要进展。一、本工作提出在铜纳米丝表面上包裹上不同类型壳层的技术,以提高铜纳米丝抗氧化性增强其稳定性,其中分别为银壳层(金属)、氧化锌(半导体材料)以及石墨烯(碳系材料)叁类。针对包裹的不同物质,我们分别提出了相对应的整套包裹技术方案,对于银金属壳层,我们提出了一锅法快速包裹技术,继而通过不同技术手段的测试,发现Cu@Ag纳米丝具备良好的抗氧化以及易形成导电网络的特性;对于氧化锌半导体壳层,我们提出了先包裹Zn金属壳层,再采用过氧化氢将其氧化为氧化物的两步法技术,成功实现半导体壳层在金属纳米线表面的成功包裹,其展现出很好的抗氧化性、稳定性,十分有趣的是,通过测试我们发现了其还具备着半导体光电性质,在紫外(390 nm)及可见光(450 nm)波段的出现发光峰;对于碳材料壳层,我们建立了 CVD气相法在铜纳米丝网络表面包裹石墨烯壳层,设计了铜箔腔体装置,克服铜纳米丝高温熔化问题,成功获得Cu@graphene纳米丝,其具有很强的抗氧化特性,并使铜纳米丝光电性能获得大幅提升。此项工作所获得的研究结果将为透明电极的应用领域扩展提供了非常重要的科学数据,为未来生产工业提供了一幅伟大的蓝图。二、由于大面积导电薄膜制备技术受到限制,我们提出超声3D打印喷涂技术。根据3D打印机“层迭堆积”原理,设计集成超声喷头的3D打印机设备,并实现快速大面积铜纳米丝透明电极的制作。我们研发了超声喷头装置,期间经过不断的测试实验以及优化效果,最终实现气压震荡铜纳米丝喷涂,喷涂速度达2m/min,喷涂面积超过A4尺寸,可适用于大面积、大批量的透明导电薄膜制备,均匀性稳定;我们又提出模板法图形化喷涂技术,实现了任意所需图形或电路的透明电极制备;超声3D喷涂制备的导电薄膜的透光率高,导电性与传统真空抽滤法制作的电极相当。该超声3D打印机技术,成功实现工业级纳米丝透明电极的快速生长需求,为铜纳米丝向产业化应用领域迈进提供了关键的技术支持,同时该技术可扩展应用于其它种类纳米材料的3D喷涂,在未来在工业中量产应用打下良好的技术基础。叁、完成铜纳米丝及及其网络结构在不同新型智能柔性电子设备上的开发与应用。其一,在热色显示仪应用方面。由于铜纳米丝具有良好的电热转换效率,热反应速度迅速并且工作稳定性强,我们以铜纳米丝制备电热导电薄膜为先导,并将其与变色涂料的结合,研发出一种新型显示技术——热色显示仪。由于制作简单、成本低廉,因此在以后具有广阔的市场;其二,在柔性触摸的应用上,由于ITO较脆,那么铜纳米丝作为透明电极无疑成了柔性设备的优先选择对象,我们通过超声3D打印技术,实现大面积柔性导电薄膜的喷涂,并图形化电极和电路制作成功大面积柔性触摸屏,实现触摸书写和显示;其叁,在蓝光LED应用方面,利用Cu@Graphene纳米丝网络实现GaN的透明欧姆电极,通过APSYS仿真软件揭示了 Cu@G铜纳米丝与半导体表面以点接触形态对欧姆接触的特殊尖端电注入机制,成功点亮LED,通过测试证明其具备着优良的光电性能。可见铜纳米丝透明电极在各个器件领域中都占据着至关重要的地位,具有广阔的应用前景。(本文来源于《厦门大学》期刊2018-04-01）
王庆林,王文军,高春晓[5]（2017）在《超高压下物质电输运性质的精确测量——薄膜与图形化技术的应用》一文中研究指出金刚石对顶砧(DAC)是目前唯一能够产生百万大气压以上静态压力的科学装置,在高压科学研究中不可替代。基于DAC的高压下原位物理量探测的技术创新,决定了现代高压科学研究的主要特征。随着科学技术的快速发展,常压下能够测量的物理量,在高压下也被逐次突破,使高压下物质科学研究更加广泛和深入。每次高压下原位测量手段的突破,都会拓展和丰富高压科学研究的内涵。高压电输运测量不仅在高压基础研究中占有重要的地位,起着推动高压实验技术发展的作用,还可以在实践中为人们提供重要的参考信息,有很大的实用价值。在高压电学研究技术的最初发展过程中,绝大多数DAC上的电学实验都采用手工布置电极的引线方式。得益于薄膜沉积技术和微加工技术的发展,金属电极现在也可以直接沉积在金刚石砧面上,从而发展出一种全新的引线方式——集成法,即电极是被沉积在金刚石砧面上的,电极形状和位置事先可以精确地设计好,在高压下电极几乎不发生形变,位置也不随压力改变,从而为高压下原位精确测量各种电输运参量提供了可能~(1-5)。(本文来源于《TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2017-08-19）
李梦[6]（2017）在《基于图形化多层结构的铁磁薄膜高频磁特性研究》一文中研究指出随着电子器件的集成化程度越来越高,设备之间的传导干扰,电磁辐射干扰引发了一系列的电磁兼容和设备可靠性问题,抗电磁干扰问题不容忽视。软磁薄膜应用于抗电磁干扰领域面临两大问题,一方面,软磁薄膜为金属薄膜,表面电阻率过低,容易导致微波阻抗失配,从而严重影响到器件的微波性能。另一方面,薄膜共振频带较窄不适用于抗电磁干扰器件宽频带的应用。本论文主要提出一种基于图形化多层结构的软磁薄膜。一方面,通过隔离层的引入,提高薄膜电阻率,在多层膜中实现高频磁响应迭加,拓宽薄膜共振频带。另一方面,通过图形化在软磁薄膜中引入形状各向异性,提高薄膜共振频率。本论文结合微磁学及磁共振损耗理论,对图形化多层薄膜进行设计及制备,分析制备出的图形化多层薄膜的磁损耗机理,旨在提高薄膜电阻率并达到“高频”、“宽带”的效果,为薄膜抗电磁干扰器件提供研究基础。主要研究工作如下:1、连续多层薄膜磁特性研究(1)制备FeCoB/SiO_2(xnm)/FeCoSiB多层薄膜,研究隔离层对多层薄膜磁特性的影响。研究结果表明,在SiO_2隔离层厚度达到7nm时,能够有效隔离FeCoB层与FeCoSiB层的耦合作用,该多层薄膜的动态磁响应能够明显地观察到独立的双共振峰。该结果表明,在多层膜中引入隔离层可以在各磁性层之间建立高频磁响应迭加模型。(2)制备FeNi/SiO_2/FeCoSiB多层薄膜和FeNi/SiO_2/FeCoB多层薄膜,研究二者磁性能。多层薄膜的动态响应均具有明显双峰,验证了隔离层在多层膜的各磁性层之间建立高频磁响应迭加模型依然适用于FeNi合金。2、连续与图形化复合多层薄膜的磁特性研究。制备FeNi/SiO_2/FeCoSiB条纹复合多层薄膜。研究表明,其微波磁谱在1.4GHz与4.8GHz具有明显的独立双峰,通过调节最上层FeCoSiB条纹薄膜的厚度可实现对第二峰位的调控。3、图形化多层薄膜的磁特性研究。制备FeCoSiB条纹多层薄膜,通过不同厚度的FeCoSiB条纹薄膜组合形成多层薄膜。研究表明,FeCoSiB条纹多层薄膜的动态响应在4.8GHz与7.5GH具有独立双峰,实现高频的共振峰拓宽。通过调节最上层FeCoSiB条纹薄膜的厚度可实现对第二峰位的调控。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-04-01）
赵天奇,王新昶,孙方宏[7]（2017）在《低残余应力HFCVD硼掺杂金刚石薄膜的制备与图形化研究》一文中研究指出采用拉曼光谱技术分析了不同生长气压和碳源浓度下,硅基HFCVD硼掺杂金刚石薄膜中的残余应力,并使用光刻和反应离子刻蚀技术加工出多种金刚石薄膜微结构。研究结果表明:利用热丝CVD沉积的硅基金刚石薄膜内存在残余压应力,通过优化生长气压,可以有效降低金刚石薄膜的残余压应力,在生长气压从1.3kPa增加至6.5kPa的过程中,晶格缺陷增加,残余压应力减小。碳源浓度的变化对残余应力的影响较小,但对薄膜质量影响较大。采用低残余应力的金刚石薄膜通过光刻和反应离子刻蚀获得了悬臂梁、角加速度计、声学振膜等微结构。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2017年01期）
赵天奇[8]（2017）在《低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜制备及其图形化技术研究》一文中研究指出CVD金刚石薄膜具有高硬度、高热导率、良好的化学稳定性和生物兼容性等优良特性。普通CVD金刚石薄膜是绝缘的,采用掺杂工艺可以使其具有良好的导电性能,导电CVD金刚石薄膜在MEMS传感器领域具有广阔的应用前景。CVD掺硼金刚石薄膜中不可避免地存在残余应力,较大的残余应力会引起MEMS传感器结构失稳,弯曲甚至断裂。因此,研究低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜的制备工艺对制造高性能MEMS传感器具有重要的理论意义和实用价值。CVD掺硼金刚石薄膜微悬臂梁结构在MEMS传感器中具有广泛应用,是加速度传感器、AFM探针、悬臂梁微生物传感器等传感器中的关键结构,其图形化结果受到薄膜残余应力的影响存在精度低、性能差、合格率低等问题。本文通过优化沉积工艺参数成功制备了低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜,利用图形化技术加工了CVD掺硼金刚石薄膜微悬臂梁,并对其性能进行测试。本文研究内容主要如下:推导了硅基CVD掺硼金刚石薄膜热应力随温度变化的理论计算公式,建立了CVD金刚石薄膜与硅衬底的接触模型,利用有限元仿真软件的瞬态热分析模块和静态结构分析模块模拟了薄膜冷却过程,分析了薄膜在冷却过程中的变形量和薄膜表面温度场随时间的变化,研究了热应力在薄膜半径方向上和厚度方向上的分布,并分析了预处理工艺、薄膜厚度和沉积温度对稳态热应力的影响。结果表明,沉积温度越高,冷却后的CVD掺硼金刚石薄膜热应力越小;在冷却过程中,CVD掺硼金刚石薄膜形状呈现“先凹后凸”的变化规律,薄膜表面温度分布均匀;增大薄膜厚度、提高沉积温度可以减小冷却后薄膜的热应力。基于控制变量法设计不同沉积工艺参数的对比试验,采用热丝CVD技术在硅片表面沉积CVD掺硼金刚石薄膜,使用拉曼光谱和X射线衍射技术对薄膜残余应力进行检测,依次分析了反应压力、碳源浓度、偏流强度和硼源浓度对CVD掺硼金刚石薄膜残余应力的影响,并提出了低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜的优化沉积参数。结果表明:随着反应压力升高,CVD金刚石薄膜的残余压应力先减小后增大,在3.9kPa反应压力下,残余压应力达到最小值-314MPa;碳源浓度越高,金刚石薄膜的残余压应力数值越大;偏流强度增大,金刚石薄膜的残余压应力先减小后增加,当偏流强度为5A时,金刚石薄膜残余压应力达到最小值-209 MPa;硼源浓度越高,金刚石薄膜的残余压应力越大,硼源浓度为11000ppm时,金刚石薄膜的残余压应力达到最小值-209MPa;反应压力3.9kPa,碳源浓度2.20%,偏流强度5 A,硼源浓度1000 ppm为最优的沉积参数,使用该沉积参数可以制备低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜。设计了多种图形的光刻掩膜版,通过制作导电种子层、光刻、电镀、反应离子刻蚀和湿法腐蚀等方法,完成低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜的图形化,得到微悬臂梁结构、角加速度测量结构、微型过滤器和声学振膜等结构,利用激光多普勒测振仪分别测量和计算了叁角形悬臂梁和U形悬臂梁的共振频率与品质因数,结合悬臂梁振动的理论模型,对比分析两种悬臂梁结构的特性。结果表明,图形化得到的U形悬臂梁和叁角形悬臂梁结构具有接近的共振频率,U形悬臂梁的品质因数高于叁角形悬臂梁,系统阻尼小于叁角形悬臂梁。(本文来源于《上海交通大学》期刊2017-01-01）
刘墨玉[9]（2016）在《磁性薄膜和图形化薄膜的磁性研究》一文中研究指出当今社会,随着人们对于信息量的需求日益增加,大量的信息需要高容量的存储介质。从20世纪90年代开始,各种存储介质技术的快速发展,磁性薄膜作为传统的存储介质也得到了长足的发展。研究磁性材料的机理,自然而然就涉及到了自旋电子学,为了研究磁性材料存储过程中的自旋翻转及进动等超快过程,传统的手段已经不能满足当今科学的发展。现如今,飞秒激光发展迅猛,基于磁光克尔效应的时间分辨的泵浦-探测技术已经用来研究超快自旋动力学。磁电子器件的基本结构是微/纳米级图形化阵列,最近,由于图形化阵列制备技术和薄膜材料制备技术的快速发展,让我们研究小型化图形阵列中的磁行为看到了新的曙光。例如,利用电子束刻蚀(Electron beam lithography,EBL),聚焦离子束刻蚀(focused ion beam lithography,FIB),干涉光刻和纳米小球法等来制备各种磁性单元。研究表明图形化阵列中形状和结构对单元磁性和磁化过程至关重要。那么如何控制图形化磁性薄膜阵列中的形状各向异性,这将会是一个非常有吸引力的研究课题。本文将就聚焦磁光克尔效应(Focus Moke)和时间分辨的超快磁光克尔效应(TRMOKE)的基本原理首先作简单介绍,其次将阐述聚焦磁光克尔效应测量系统(Focus Moke)和时间分辨的超快磁光克尔效应(TRMOKE)测量系统的设计和搭建,最后通过应用聚焦磁光克尔效应测量系统(Focus Moke),进行CoFeB/GaAs图形化薄膜的各向异性研究,通过改变图形化薄膜的长宽比,来研究其对各向异性的影响；通过应用时间分辨的超快磁光克尔效应(TRMOKE)测量系统,来研究Co/Pt多层膜自旋动力学相关问题；改变泵浦光的功率,来分析薄膜的磁性阻尼因子的特性。(本文来源于《南京大学》期刊2016-05-24）
吴萌[10]（2016）在《图形化铌酸锂薄膜的制备及研究》一文中研究指出铌酸锂(LN)由于其显着的铁电、压电和非线性等光学性质,成为集成光学备受关注的材料之一,逐渐发展成为支撑光学器件优秀的铁电材料。目前,图形化铌酸锂薄膜的制备吸引了越来越多的目光,大多数的制备方法比较昂贵,依赖大型设备且不可更换基板。然而,最近的一些研究提出了一种便捷的制备LN前驱体的方法。基于水溶性前驱体溶液,优质的图形化铌酸锂薄膜的制备将可能满足人们的需求。本文基于水溶性前驱体,采用两种不同的方法:激光直写法和激光晶化法制作图形化的铌酸锂薄膜。首先,对溶胶-凝胶法制备铌酸锂薄膜做了系统的研究,分析了前驱体浓度、衬底处理、热处理过程对铌酸锂薄膜的影响。当铌酸锂前驱体浓度太小时,溶胶和衬底之间的粘附力太小;相反,当浓度太大时,在热处理过程薄膜会产生气泡。衬底上残留的颗粒会降低图形质量。另外衬底的接触角也是影响薄膜质量的一个关键因素。在热处理过程中热处理温度、时间、速率会影响薄膜中有机物的挥发程度和薄膜的结晶程度。其次,激光直写法中溶胶的溶解度是选择性去除铌酸锂溶胶薄膜的关键因素。采用适当的低温热处理获得适当的溶解度,保证图形化铌酸锂薄膜的完整性。本文利用光学显微镜和扫描电镜对图形薄膜进行观察,探究了在不同温度下铌酸锂溶胶的溶解度变化。激光晶化法中利用激光的高能热量使铌酸锂凝胶由非晶状态转变为晶体,在此过程中激光前沿的温度梯度对图形质量影响巨大。激光晶化法在制备过程中衬底温度、激光功率、扫描速度是影响图形化铌酸锂薄膜的叁个关键因素。通过实验,激光直写法在240℃低温热处理可获得适当的溶胶溶解度。在激光晶化过程中,当衬底温度T=130℃,激光功率P=1.2 W,扫描速度v=0.625μm/s时能得到优质的图形化铌酸锂薄膜。我们认为结晶前沿温度梯度对薄膜质量有重要作用。此外,通过结晶模式对两种方法制备的不同图形化铌酸锂薄膜的形貌特征(多孔和致密)进行了解释。两种方法制备出的图形化铌酸锂薄膜将可以别应用于集成光学和生物医学领域。(本文来源于《河北工业大学》期刊2016-05-01）
薄膜图形化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了优化铜铟镓硒薄膜太阳能电池的前电极,提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率,提出了一种可应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的AZO/图案化Ag薄膜/AZO结构的前电极,中间层的Ag薄膜与电池顶层的金属栅线具有完全相同的图案和尺寸,并且位于金属栅线的正下方,这种新型结构可以提高电池前电极的电学性能,但对电池来说不会带来额外的光学损失。对比了新型前电极结构与几种传统前电极的电学和光学性能,并且制备了相应的电池进行了性能对比。实验结果表明,新型的前电极结构可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的短路电流,相对传统AZO电极,电池效率从13. 83%提高到14. 53%。本结构可以明显提高电池效率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜图形化论文参考文献
[1].盛百城,白欣娇,唐兰香,甘琨,袁凤坡.图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响[J].半导体技术.2019
[2].郭凯,张传升.铜铟镓硒薄膜太阳能电池新型图形化透明前电极研究[J].发光学报.2019
[3].张燕.图形化金属软磁薄膜的高频电磁特性研究[D].西南科技大学.2018
[4].黄友杨.超声3D打印机研发及核壳Cu纳米丝的大面积图形化透明导电薄膜应用研究[D].厦门大学.2018
[5].王庆林,王文军,高春晓.超高压下物质电输运性质的精确测量——薄膜与图形化技术的应用[C].TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2017
[6].李梦.基于图形化多层结构的铁磁薄膜高频磁特性研究[D].电子科技大学.2017
[7].赵天奇,王新昶,孙方宏.低残余应力HFCVD硼掺杂金刚石薄膜的制备与图形化研究[J].金刚石与磨料磨具工程.2017
[8].赵天奇.低残余应力CVD掺硼金刚石薄膜制备及其图形化技术研究[D].上海交通大学.2017
[9].刘墨玉.磁性薄膜和图形化薄膜的磁性研究[D].南京大学.2016
[10].吴萌.图形化铌酸锂薄膜的制备及研究[D].河北工业大学.2016
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