导读:本文包含了化学共沉淀法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,沉淀法,化学,粉末,晶胞,粉体,反射率。
化学共沉淀法论文文献综述
黄巧玲,袁武华[1]（2015）在《化学共沉淀法合成ZrO_2-8wt%Y_2O_3纳米粉体相转变及晶粒生长行为研究》一文中研究指出以ZrOCl2·8H2O和Y(NO3)3·6H2O为原料,采用共沉淀法合成纳米ZrO2-8wt%Y2O3(8YSZ)陶瓷粉末。利用XRD,SEM,TEM等方法研究纳米8YSZ粉末热处理后相结构、晶粒尺寸和形貌的变化,并分析纳米8YSZ粉末的晶体生长行为。结果表明:凝胶化反应的pH值(9(11)对纳米8YSZ粉末的相结构无明显影响,不同pH值合成的8YSZ纳米粉末在1000℃温度范围内热处理2h后都始终保持单一的四方相结构,在1200℃热处理2h后,仅有少量四方相转变为单斜相。随热处理温度的升高晶粒尺寸逐渐增大。由于晶体生长机制不同,纳米8YSZ粉末的晶粒生长活化能在低温区和高温区不同,均远低于微米级3YSZ材料的晶粒生长活化能(580kJ/mol)。(本文来源于《现代技术陶瓷》期刊2015年02期）
孙言[2]（2014）在《化学共沉淀法合成钆镓铝石榴石闪烁材料及性能研究》一文中研究指出闪烁材料是一类可以在高能粒子作用下发出可见光的功能材料，它与光电倍增管耦合的探测器在高能物理、核医学成像、地质勘探、安全检查等领域有着广泛的应用。闪烁单晶和闪烁陶瓷是两类重要的闪烁材料，闪烁陶瓷由于具有制备工艺简单、生产成本低，机械性能好、可实现激活离子高浓度均匀掺杂等方面的优势，近年来备受人们的关注。计算机断层扫描仪（CT）是闪烁体最大的应用方向之一，目前国际上商业化CT用闪烁材料均为多晶透明陶瓷，如GE所研发的YGO和Gemstone，日立、西门子、东芝所使用的GOS等。Gemstone是目前性能最好的陶瓷闪烁体，但因其含有Lu和Tb等昂贵的稀土元素，极大推高了其制备成本。本论文中希望寻求通过元素替代，在保证闪烁体高闪烁性能的基础上，实现该石榴石体系低成本、高性能闪烁陶瓷的可控制备。钆镓铝石榴石（Gd3(Ga,Al)5O12:Ce，简称GAGG）因其立方结构、光产额高、密度大、衰减速度快等特点成为最具应用前景的闪烁材料之一。本论文主要对铈掺杂的重稀土钆镓铝石榴石（GAGG:Ce）闪烁材料的制备工艺进行探究。采用化学共沉淀法制备GAGG:Ce闪烁陶瓷粉体，研究了原料组配、共沉淀工艺对粉体相结构、微观形貌以及发光性能的影响，最终成功制备高结构质量的GAGG闪烁陶瓷。主要研究内容及结论如下：1、原料组配对共沉淀制备GAGG纳米粉体性能的影响采用共沉淀法成功制备了GAGG:Ce纳米粉体，对比了氨水、碳酸氢铵、氨水与碳酸氢铵混合沉淀剂叁种方法对粉体性能的影响。实验发现，混合沉淀剂制备的前驱体在950oC灼烧1.5h即可获得单相粉体，颗粒呈类球形，粒径均匀可控，平均粒径约为50nm，同时具有较高荧光强度和烧结活性，所制备的闪烁陶瓷致密度高于99%。混合沉淀剂是较好的沉淀剂选择，适合用于闪烁陶瓷的制备。探究了硝酸铝、硫酸铝和硫酸铝铵叁种铝盐原料对粉体和陶瓷性能的影响。实验发现，采用硫酸铝铵为原料时，粉体比表面积大于18m2/g，分散性好，烧结活性高，且所制备的陶瓷具有较高的透明度。高分子表面活性剂聚乙二醇（PEG）具有较高的空间位阻效应，可改善粉体分散性，由于其分子中只含有C和H元素，低温下煅烧时即可充分排除，不会引进杂质，不影响粉体成相过程，粉体荧光强度较高。2、GAGG的共沉淀工艺参数的优化探究了抽滤过程淋洗水量对粉体性能的影响。实验发现不同的淋洗水量对粉体形貌和成相影响较大。淋洗水量过少，GAGG相形成温度较低，存在硫酸氧钆第二相。淋洗水量过多会出现中间相，且粉体粘附严重，不易于后期陶瓷烧结致密。选用1500ml/50g较为合适，粉体经950oC灼烧1.5h可获得成相完美、颗粒均匀的GAGG粉体。比较了烘箱干燥、冷冻干燥和微波干燥叁种干燥方式。对比发现，微波干燥可由内而外对粉料进行均匀干燥，制备的粉体粒径均匀，烧结活性高。该方法操作简单、快速省时，干燥时间可缩短至40min，适合大批量粉体制备。灼烧温度显着影响粉体颗粒尺寸和荧光强度。在850~1100oC对粉体进行灼烧，粉体平均粒径从35nm长大至80nm。950oC灼烧时可获得成相完美的GAGG纳米粉体，颗粒呈类球形，粒径均匀，比表面积大于18m2/g，具有较高的烧结活性和荧光强度。3、高结构质量GAGG闪烁陶瓷制备工艺的探索将优化沉淀工艺后制备的闪烁陶瓷粉体，经过干压、冷等静压成型、烧结后可获得高结构质量GAGG闪烁陶瓷。冷等静压压力为300Mpa时陶瓷素坯致密度达43-45%，经氧气氛烧结后可获得相结构完美的GAGG陶瓷。氧气氛的使用避免了Ga2O3在高温下挥发，保证了化学组成的稳定性。陶瓷的致密度大于99%，但晶界处仍存在少量气孔，晶粒尺寸为4~5m，陶瓷透过率为25%左右。热等静压的使用可有效排除晶界气孔，使陶瓷致密度进一步提高至99.5%以上，透过率提高至60%。荧光发射谱峰位于536nm处，处于Si光电二极管的响应波长范围内，经X射线照射后具有64.5ns的快衰减，有望将其应用于CT探测器中。(本文来源于《宁波大学》期刊2014-04-15）
段雨露,周丽旗,肖丹,徐国富[3]（2013）在《化学共沉淀法ITO纳米粉末的制备与表征》一文中研究指出采用化学共沉淀法来制备ITO纳米粉末,探讨了反应终点pH值(分别为7,8及9)和煅烧温度(分别为350℃,650℃,750℃及850℃)对ITO粉体性能的影响,借助TG-DSC、XRD、SEM、HRTEM、FT-IR等分析手段对粉体进行了表征。得到如下结论:在液相中加入硅酸钠,反应温度为60℃,反应终点pH值为8,老化制度为60 min,煅烧制度为750℃/2 h的工艺条件下,所制得的ITO纳米粉不含SnO2相,呈显着的单相结构,是一种立方结构的In2O3固溶体;粉体粒径在30~60nm之间,比表面积为34.26 m2/g,形貌为近球形,颗粒均匀,且分散性能良好,在波数840~3 164cm-1范围内对红外光的反射率高达66%~94%。(本文来源于《湖南有色金属》期刊2013年05期）
关山月,孟锦宏,郭晓宇,曹晓晖[4]（2013）在《化学共沉淀法与溶胶凝胶自蔓延法制备微米级片状BaFe_(12)O_(19)及其对比研究》一文中研究指出采用化学共沉淀法和溶胶凝胶自蔓延法均制备得到二维片状BaFe12O19。化学共沉淀法制备的BaFe12O19呈明显六角片状,颗粒径向尺寸0.4～1μm,径厚比2～5,Ms和Hc分别为59.57emu/g和1975Oe。溶胶凝胶自蔓延法制备的BaFe12O19呈六角片状和近六角片状,颗粒径向尺寸为1.5～2μm,径厚比为10～15,Ms与Hc值分别为61.96emu/g和2813Oe。与化学共沉淀法制备BaFe12O19相比,溶胶凝胶自蔓延法制备的BaFe12O19具有相对较高的结晶有序程度和颗粒径向尺寸及径厚比,使其呈现出相对高的Ms与Hc值。(本文来源于《沈阳理工大学学报》期刊2013年01期）
葛超群,汪刘应,刘顾,张虎[5]（2013）在《超声化学共沉淀法合成纳米ITO粉体及其电磁特性研究》一文中研究指出采用超声辅助化学共沉淀法以InCl3.4H2O和SnCl4.5H2O为起始原料制备纳米氧化铟锡(ITO)粉体,通过XRD,SEM,TEM及电磁参数的测试,研究煅烧处理温度对ITO粉体组织结构、微观形貌及电磁性能的影响。结果表明:随着热处理温度的提高,ITO粉体的结晶度提高,晶粒长大;当温度为700℃制备的ITO具有最佳的吸波性能,厚为2.5 mm反射率峰值为-9.82 dB,小于-5 dB频带宽为6.79 GHz(11.20~18.00 GHz)。(本文来源于《兵器材料科学与工程》期刊2013年01期）
何冀川,刘树信,霍冀川[6]（2010）在《化学共沉淀法合成锂离子电池LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2正极材料的研究》一文中研究指出采用共沉淀法合成了锂离子电池层状LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料。采用TG/SDTA、XRD和SEM对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料的成分、结构和形貌进行了表征。结果表明,在900℃下煅烧15h制得的材料结晶程度最佳,样品具有最大I(003)/I(104)强比值,层状结构特征最为突出。从单个颗粒来看,样品表面光滑,界面清晰,粒子呈类球状,粒径大约在0.5μm左右,分散较为均匀。另外,添加剂对粒子形貌具有一定的影响。(本文来源于《绵阳师范学院学报》期刊2010年05期）
黎学明,向星,杨文静,李武林,孔令峰[7]（2010）在《化学共沉淀法合成YAG∶Eu~(3+)红色荧光粉及其光致发光性质》一文中研究指出采用化学共沉淀法合成YAG∶Eu3+红色荧光粉,利用XRD、荧光光谱和激光粒度仪等表征荧光粉晶体结构、光致发光、粒径分布等。结果表明,当煅烧温度为1000℃时,荧光粉YAG晶相趋于稳定,无中间相的形成,合成温度比传统高温固相法降低近500℃;随着煅烧温度升高,荧光粉光致发光峰强度增大,但峰值波长并不随煅烧温度升高而发生移动;前驱体中添加表面活性剂PEG后,荧光粉粒径为1.3μm左右,且粒径分布范围窄;助熔剂NaF能够显着提高荧光粉的光致发光强度,但过量则会出现浓度猝灭,其最佳添加量为4%。(本文来源于《半导体光电》期刊2010年01期）
胡学兵,周健儿,徐小勇,汪永清,张小珍[8]（2009）在《In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO_2粉体Zeta电位的影响(英文)》一文中研究指出以四氯化锡、叁氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO2粉体。实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO2粉体的物化性能进行了研究。结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO2粉体具有较低的Zeta电位。相对于纯SnO2粉体,In掺杂改变了SnO2的晶胞参数并增大了其晶胞体积。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2009年06期）
李先学,王文菊,陈彰旭,邱国彪,罗小铭[9]（2009）在《化学共沉淀法合成纳米Nd:YAG陶瓷粉体》一文中研究指出以碳酸氢铵为沉淀剂,采用化学共沉淀法合成出多晶Nd:YAG纳米陶瓷粉体.采用XRD,SEM,BET等测试手段对粉体的相组成和微观结构进行表征,研究了煅烧温度、反应温度、Al(NO3)3浓度对粉体形貌、粒径以及分散性的影响.结果表明:前驱体在900℃煅烧2 h直接生成Nd:YAG,并且随着煅烧温度的升高,粉体粒径逐渐变大,1 100℃时煅烧所得粉体的平均粒径约为70 nm.反应温度为30～40℃、硝酸铝溶液浓度为0.1～0.2 mol/L时,所得粉体为球形或类球形,分散性最佳.(本文来源于《临沂师范学院学报》期刊2009年03期）
戴鼎汉[10]（2009）在《化学共沉淀法合成NiCuZn铁氧体及低温烧结工艺研究》一文中研究指出软磁NiCuZn铁氧体材料是应用非常广泛的一种功能材料。它在广播、电视、电子仪表、计算机等领域中得到越来越广泛的应用而且,器件及整机可以小型化、轻量化。所以研究NiCuZn铁氧体材料是软磁铁氧体研究的一个重要方向。本文以硫酸镍、硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚铁和草酸铵为原料,应用化学共沉淀法制得分布均匀的前驱粉,经烘干、煅烧制成成分均匀性极佳的NiCuZn铁氧体粉末,再经成形和烧结等工艺,最后制得环形NiCuZn铁氧体材料。采用DSC、TEM、EDS、XRD、VSM和SEM观察铁氧体微观组织来评估了上述各因素对铁氧体性能的影响。通过详细的条件试验研究,确定前驱粉制备过程中的反应温度、反应时间、搅拌速度以及反应物配比等控制因素的最佳反应条件为:反应温度50℃、搅拌速度300r/min、反应时间2h、反应物配比(COO)~(2-):Me~(2+)=1.2。在以上最佳条件下,可制得分散性良好、粒径为20～30nm,收率97.1%的前驱粉产品。将制备得到的前驱粉进行煅烧实验,确定前驱粉煅烧过程中煅烧时间、煅烧温度最佳煅烧条件为:煅烧温度800℃、煅烧时间2h。在此条件进行可得到可得到饱和磁化强度为52emu/g、粒子粒径为50nm左右的铁氧体产品。进行了NiCuZn铁氧体烧结试验。对添加微量添加剂H_3BO_3、成型工艺和烧结条件进行了试验研究,得出了最佳烧结工艺条件。结果表明:压型压力为300MPa,保压时间4min;升温速度100℃/h,350℃～400℃保温2h可以有效地排除粘结剂PVA;烧结温度900℃、保温4h,随炉冷却;添加剂H_3BO_3的添加量为1%。在此工艺条件下烧结体密度为4.52g/cm~3,饱和磁化强度为65.55emu/g。(本文来源于《中北大学》期刊2009-04-30）
化学共沉淀法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
闪烁材料是一类可以在高能粒子作用下发出可见光的功能材料，它与光电倍增管耦合的探测器在高能物理、核医学成像、地质勘探、安全检查等领域有着广泛的应用。闪烁单晶和闪烁陶瓷是两类重要的闪烁材料，闪烁陶瓷由于具有制备工艺简单、生产成本低，机械性能好、可实现激活离子高浓度均匀掺杂等方面的优势，近年来备受人们的关注。计算机断层扫描仪（CT）是闪烁体最大的应用方向之一，目前国际上商业化CT用闪烁材料均为多晶透明陶瓷，如GE所研发的YGO和Gemstone，日立、西门子、东芝所使用的GOS等。Gemstone是目前性能最好的陶瓷闪烁体，但因其含有Lu和Tb等昂贵的稀土元素，极大推高了其制备成本。本论文中希望寻求通过元素替代，在保证闪烁体高闪烁性能的基础上，实现该石榴石体系低成本、高性能闪烁陶瓷的可控制备。钆镓铝石榴石（Gd3(Ga,Al)5O12:Ce，简称GAGG）因其立方结构、光产额高、密度大、衰减速度快等特点成为最具应用前景的闪烁材料之一。本论文主要对铈掺杂的重稀土钆镓铝石榴石（GAGG:Ce）闪烁材料的制备工艺进行探究。采用化学共沉淀法制备GAGG:Ce闪烁陶瓷粉体，研究了原料组配、共沉淀工艺对粉体相结构、微观形貌以及发光性能的影响，最终成功制备高结构质量的GAGG闪烁陶瓷。主要研究内容及结论如下：1、原料组配对共沉淀制备GAGG纳米粉体性能的影响采用共沉淀法成功制备了GAGG:Ce纳米粉体，对比了氨水、碳酸氢铵、氨水与碳酸氢铵混合沉淀剂叁种方法对粉体性能的影响。实验发现，混合沉淀剂制备的前驱体在950oC灼烧1.5h即可获得单相粉体，颗粒呈类球形，粒径均匀可控，平均粒径约为50nm，同时具有较高荧光强度和烧结活性，所制备的闪烁陶瓷致密度高于99%。混合沉淀剂是较好的沉淀剂选择，适合用于闪烁陶瓷的制备。探究了硝酸铝、硫酸铝和硫酸铝铵叁种铝盐原料对粉体和陶瓷性能的影响。实验发现，采用硫酸铝铵为原料时，粉体比表面积大于18m2/g，分散性好，烧结活性高，且所制备的陶瓷具有较高的透明度。高分子表面活性剂聚乙二醇（PEG）具有较高的空间位阻效应，可改善粉体分散性，由于其分子中只含有C和H元素，低温下煅烧时即可充分排除，不会引进杂质，不影响粉体成相过程，粉体荧光强度较高。2、GAGG的共沉淀工艺参数的优化探究了抽滤过程淋洗水量对粉体性能的影响。实验发现不同的淋洗水量对粉体形貌和成相影响较大。淋洗水量过少，GAGG相形成温度较低，存在硫酸氧钆第二相。淋洗水量过多会出现中间相，且粉体粘附严重，不易于后期陶瓷烧结致密。选用1500ml/50g较为合适，粉体经950oC灼烧1.5h可获得成相完美、颗粒均匀的GAGG粉体。比较了烘箱干燥、冷冻干燥和微波干燥叁种干燥方式。对比发现，微波干燥可由内而外对粉料进行均匀干燥，制备的粉体粒径均匀，烧结活性高。该方法操作简单、快速省时，干燥时间可缩短至40min，适合大批量粉体制备。灼烧温度显着影响粉体颗粒尺寸和荧光强度。在850~1100oC对粉体进行灼烧，粉体平均粒径从35nm长大至80nm。950oC灼烧时可获得成相完美的GAGG纳米粉体，颗粒呈类球形，粒径均匀，比表面积大于18m2/g，具有较高的烧结活性和荧光强度。3、高结构质量GAGG闪烁陶瓷制备工艺的探索将优化沉淀工艺后制备的闪烁陶瓷粉体，经过干压、冷等静压成型、烧结后可获得高结构质量GAGG闪烁陶瓷。冷等静压压力为300Mpa时陶瓷素坯致密度达43-45%，经氧气氛烧结后可获得相结构完美的GAGG陶瓷。氧气氛的使用避免了Ga2O3在高温下挥发，保证了化学组成的稳定性。陶瓷的致密度大于99%，但晶界处仍存在少量气孔，晶粒尺寸为4~5m，陶瓷透过率为25%左右。热等静压的使用可有效排除晶界气孔，使陶瓷致密度进一步提高至99.5%以上，透过率提高至60%。荧光发射谱峰位于536nm处，处于Si光电二极管的响应波长范围内，经X射线照射后具有64.5ns的快衰减，有望将其应用于CT探测器中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化学共沉淀法论文参考文献
[1].黄巧玲,袁武华.化学共沉淀法合成ZrO_2-8wt%Y_2O_3纳米粉体相转变及晶粒生长行为研究[J].现代技术陶瓷.2015
[2].孙言.化学共沉淀法合成钆镓铝石榴石闪烁材料及性能研究[D].宁波大学.2014
[3].段雨露,周丽旗,肖丹,徐国富.化学共沉淀法ITO纳米粉末的制备与表征[J].湖南有色金属.2013
[4].关山月,孟锦宏,郭晓宇,曹晓晖.化学共沉淀法与溶胶凝胶自蔓延法制备微米级片状BaFe_(12)O_(19)及其对比研究[J].沈阳理工大学学报.2013
[5].葛超群,汪刘应,刘顾,张虎.超声化学共沉淀法合成纳米ITO粉体及其电磁特性研究[J].兵器材料科学与工程.2013
[6].何冀川,刘树信,霍冀川.化学共沉淀法合成锂离子电池LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2正极材料的研究[J].绵阳师范学院学报.2010
[7].黎学明,向星,杨文静,李武林,孔令峰.化学共沉淀法合成YAG∶Eu~(3+)红色荧光粉及其光致发光性质[J].半导体光电.2010
[8].胡学兵,周健儿,徐小勇,汪永清,张小珍.In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO_2粉体Zeta电位的影响(英文)[J].人工晶体学报.2009
[9].李先学,王文菊,陈彰旭,邱国彪,罗小铭.化学共沉淀法合成纳米Nd:YAG陶瓷粉体[J].临沂师范学院学报.2009
[10].戴鼎汉.化学共沉淀法合成NiCuZn铁氧体及低温烧结工艺研究[D].中北大学.2009
论文知识图
