导读:本文包含了等离子体填充论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,光子,晶体,金属,结构,等离子,密度。
等离子体填充论文文献综述
张念华,万先进,李远,许爱春,潘杰[1]（2019）在《氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）》一文中研究指出在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年11期）
黎航[2]（2019）在《黑腔等离子体填充对辐射场性质影响的实验研究》一文中研究指出在激光间接驱动惯性约束聚变研究中,激光注入一个高Z材料黑腔转换成X光辐射,然后X光辐射烧蚀黑腔中心的靶丸使之内爆。腔壁烧蚀出的高Z等离子体运动聚心会填充黑腔内部,该过程将强烈影响激光注入效率、辐射场均匀性和辐射场诊断等,是间接驱动惯性约束聚变的重要物理过程之一。而这些复杂的流体力学运动过程单纯依靠目前的模拟程序难以精确计算,因而开展黑腔等离子体填充对辐射场性质影响的实验研究具有重要意义。本论文通过注入孔、诊断孔等观测了多种等离子体的流体力学运动过程,研究了衬CH、充气、泡沫金、强磁场等多种抑制腔壁等离子体填充的方法,研究了等离子体填充及多种抑制方法对辐射场均匀性和辐射能流等辐射场性质的影响。开展内爆实验,利用X光分幅相机观测了靶丸燃料区自发光,获得了压缩变形过程和椭圆度变化规律,确定了接近内爆对称性要求的最佳黑腔尺寸:无束匀滑条件下为Φ1.0 mm × 1.7 mm,有束匀滑条件下为Φ1.1 mm ×(1.8～1.9)mm。作者提出一个简化的解析模型,利用该模型,结合视角因子程序计算得到的时变辐射场不均匀性,可预测内爆不对称性随时间的变化过程,且预测结果与实验结果基本符合。在黑腔尺寸、腔球比例、腔壁开孔、激光光斑排布和功率分配、腔壁反照率、激光等离子体相互作用和腔壁等离子体填充等多种因素作用下,黑腔辐射场不均匀性的复杂演化导致时变的内爆不对称性,分析了这些物理机制及其时变影响。其中,等离子体填充在中后期对内爆不对称性起主导作用,因而开展抑制等离子体填充的研究具有重要意义。开展从注入孔观测黑腔等离子体填充的实验,主要利用时空分辨X光成像观测和时间分辨X光辐射能流测量等方法从注入孔诊断,观测激光烧蚀的光斑、激光烧蚀冕区、纯辐射烧蚀区、射流等多种等离子体的不同运动规律,研究多种抑制等离子体填充的方法:1.腔内壁衬CH等低Z物质制作简易,能消除高Z等离子体射流,有效抑制高Z等离子体填充,但这些低Z物质被烧蚀离化后仍有一些处于较高的密度,低Z物质自身仍有可能形成X光相机难以观测到的射流,仍然会聚心运动甚至撞击靶丸,还可能在物质界面出现流体力学不稳定性,因而不推荐采用。2.腔内填充低Z气体是目前的主流方法,能消除高Z等离子体射流,有效抑制高Z等离子体填充,且密度分布较均匀,不会以高密度高速撞击靶丸,但也被观测到可能出现了界面不稳定性,更为重要的是较高密度的气体会激发激光等离子体不稳定性,引起较强的激光散射,降低能量耦合效率。3.腔内壁高Z辐射物质泡沫化是近年来国内外主推的一种新方法,可降低等离子体运动速度,提升X光转换效率和黑腔辐射温度。利用约0.4 g/cc泡沫金平面样品,在神光Ⅲ原型上开展实验验证了泡沫金减缓黑腔发光区运动和提升腔壁再发射率的良好特性:发光区运动实验结果表明泡沫金具有较低的冕区等离子体填充密度,其高能、低能发光区运动速度均低于固体金,与模拟结果定性符合;泡沫金提高再发射率实验中,透射光栅和分幅相机的实验结果表明泡沫金可提高再发射率约10-20%。下一步拟利用泡沫金制备完整柱腔,并进一步降低泡沫金密度,开展更加全面和精确的实验,确认泡沫金应用于黑腔的价值。4.强磁场抑制等离子体填充是本团队最近提出的一种原创性方法,优点较多但也存在一些潜在风险。为开展实验,进行了高功率激光实验室中产生兆高斯量级强磁场的方法研究,主要研究了高功率激光与电容-线圈靶相互作用产生强磁场和脉冲放电装置产生强磁场两种方法。开展利用小孔等离子体填充研究诊断孔缩孔的实验,用X光辐射烧蚀腔壁上的一个小孔,得到小孔中等离子体的流体力学演化过程,给出了碰撞反弹等物理现象的解释,并计算得小孔等离子体面密度的空间分布和增长过程,用其评估诊断孔缩孔过程对黑腔辐射场诊断的影响,指导诊断孔的设计,结果表明直径300 μm孔深25 μm的诊断孔适用于神光Ⅱ通常的1 ns以内的黑腔辐射场诊断。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-01）
吕文丽,王浩英[3]（2019）在《填充等离子体的绕射辐射振荡器模拟研究》一文中研究指出等离子体填充能够明显提高真空电子器件的效率和功率,研究等离子体填充器件具有重要的科学价值。本文用粒子模拟的方法对填充等离体子的绕射辐射振荡器进行了模拟研究,重点研究了等离体子密度对器件输出功率的影响。通过理论与模拟相结合,发现填充合适密度的等离子体能够大幅提高器件输出功率,在背景等离子体密度变化过程中,存在一峰值功率点,此时的等离子体密度为1.2×104 m~(-3),峰值功率为5×107 W,器件工作的主频是66.6GHz。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年01期）
吕文丽[4]（2018）在《填充等离子体的绕射辐射振荡器高频特性研究》一文中研究指出等离子体填充能够明显提高真空电子器件的效率和功率,研究等离子体填充器件具有重要的科学价值。本文讨论了填充等离体子的绕射辐射振荡器的高频特性,采用理论分析和PIC模拟相结合的方法对器件的高频特性进行研究。重点研究了等离体子密度、漂移段、反射器叁个因素对输出功率的影响。通过理论与模拟相结合,发现合理选择等离子体密度、反射器、漂移段能够大幅提高器件输出功率和效率,在背景等离子体密度变化过程中,存在一峰值功率点,反射器与漂移段的共同作用可提高这一峰值功率点。(本文来源于《电子元器件与信息技术》期刊2018年04期）
郭贤权[5]（2016）在《高密度等离子体填充浅沟道隔离产生空洞缺陷现象的解决方法研究》一文中研究指出在半导体制造工艺中,CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)被广泛用于制备氧化物薄膜、氮化物薄膜,沉积钨金属等。在目前先进的工厂实际生产过程中,器件之间STI(Shallow Trench Isolation,浅沟道隔离)的电介质都由CVD方式来制备。通常选择使用HDPCVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition)或HARP(High Aspect Ratio Process,高深宽比制程)工艺。两者优势都在于其优秀的填充能力能够满足STI蚀刻高深宽比的要求。目前主流的55纳米CIS(CMOS Image Sensor,图像传感器)产品由于光电感应区在STI填充之前已经采用离子注入形成阱区,所以后续STI填充无法使用高温制程的HARP工艺,必须使用HDPCVD技术来填充沟槽。在实际生产中,HDPCVD制程填充能力不足,填充电介质过程中会出现void(空洞)缺陷,公司其他使用HDPCVD填充浅沟道沟槽的平行产品均没有如此大的深宽比,无法借鉴。如何解决void缺陷是55纳米CIS产品量产面临的最大挑战之一。本文针对我司55纳米CIS产品STI HDPCVD填充过程中出现void缺陷这一现象,归纳分析此缺陷产生的机理与控制影响的因素。以生产线上流片的工程批产品作为实验对象,设计实验研究影响空洞缺陷的HDPCVD工艺参数,如沉积蚀刻量、循环次数、清洗频率等;以及有源区光刻和蚀刻工艺参数,如沟槽宽度,沟槽深度,沟槽侧壁等对空洞缺陷的影响情况。在掌握了各项工艺参数对空洞缺陷影响程度的基础上,优化相关制程工艺,消除环形的void缺陷图,将原先大于30%的SRAM良率损失减少到2%,提升产品良率约30%,满足量产的要求。(本文来源于《上海交通大学》期刊2016-12-01）
傅涛,欧阳征标[6]（2016）在《等离子体填充金属光子晶体Cherenkov辐射源模拟研究》一文中研究指出等离子体填充能够明显提高真空电子器件的效率和功率,研究等离子体填充器件具有重要的科学价值.本文基于对等离子体填充金属光子晶体慢波结构色散特性的分析,利用粒子模拟方法展示了等离子体填充慢波结构中的注波互作用过程.重点研究了慢波结构中场分布特性、等离子体密度和外部工作条件对频率及输出功率的影响.研究发现,填充一定密度等离子体后,慢波结构内纵向和横向电场强度明显增大,注波互作用增强,输出频率受等离子体影响不大.金属光子晶体结构具有的频率选择特性使器件工作于TM01模态.阴极电压增加使输出功率增大,频率略有增加.引导磁场增加使输出功率先增大后减小,而频率基本不受影响.等离子体填充后器件的输出功率上升,当增加压强至100 m Torr(1 m Torr=0.133 Pa)时,输出功率提高约20%,但只有适当密度下才有较好的角向场分布.通过理论与模拟相结合,发现填充一定密度的等离子体能够提高器件输出功率和效率,为发展新型高功率毫米波振荡辐射源奠定了理论和仿真基础.(本文来源于《物理学报》期刊2016年07期）
傅涛,杨梓强,欧阳征标[7]（2015）在《等离子体填充金属光子晶体慢波结构色散特性研究》一文中研究指出等离子体填充慢波器件为高效率、高功率真空电子微波源的发展提供了新的途径,但其仿真和理论都具有一定的难度.本文将通过轮辐天线加载激励信号的方法引入到等离子体填充金属光子晶体慢波结构(SWS)的色散特性仿真分析中,研究了慢波结构参数和等离子体密度对等离子体填充慢波结构色散特性的影响.结果表明,无等离子体填充时,通过轮辐天线加载激励信号方式得到的色散特性与其他方法差别不大;与已有结果对比表明,该方法适用于等离子体填充慢波结构的分析.为了减小轮辐天线对腔体谐振频率的影响,需要适当减薄轮辐天线的厚度,并尽可能缩短其与反射面之间的距离.天线的厚度越大越能激励慢波场,越小谐振模式越容易被激励;慢波结构周期膜片外半径和厚度对色散特性影响不大,周期长度和膜片内半径对色散特性影响较大;频率和相速色散曲线随等离子体密度上升而整体向高频区移动;等离子体填充对低频模点的影响要大于对高频模点的影响;对于慢波器件,需要选择高频模点工作模式,以减少腔的尺寸并降低电子注的初速度.(本文来源于《物理学报》期刊2015年17期）
姜楠[8]（2014）在《沿面—填充床复合放电等离子体及其协同催化降解苯的研究》一文中研究指出低温等离子体技术处理挥发性有机污染物(VOCs)具有降解效率高、速度快、对污染物无选择性等优点,因此,受到国内外研究人员的广泛关注。然而,采用单一的放电等离子体处理有机废气仍存在能量效率低、矿化不彻底等问题。基于此,本论文提出了沿面-填充床复合放电等离子的发生方法,利用该方法对典型的难降解有机物—苯进行降解研究。采用一套高压和低压电极系统,同时获得沿面放电等离子体和填充床放电等离子体,待处理废气依次通过沿面放电区域(一级处理区)和填充床放电区域(二级处理区)进行降解处理。该方法能够在一个放电反应器中实现两级等离子体对污染物的顺序降解处理。本文主要围绕沿面-填充床复合放电等离子体反应过程中苯的降解特性、反应体系结构参数和实验参数的优化、苯的降解机理、沿面-填充床复合放电等离子体与催化剂的协同作用效应等方面开展研究。主要的研究工作与结果如下：1.开展了沿面-填充床复合放电等离子体降解含苯气体的可行性研究。研究发现：沿面-填充床复合放电等离子体能够快速有效的降解苯。在相同的能量密度(280J/L)条件下,沿面-填充床复合放电体系对苯的降解效率、CO2选择性和降解过程的能量效率比单一沿面放电体系分别高出21%,11%和3.9g/kWh；比单一填充床放电体系分别高出30%,21%和5.5g/kWh。2.开展了复合放电反应体系中反应器结构参数、气相参数和电气参数对苯降解特性的影响研究。结果表明：与棒电极或螺纹电极相比,采用线圈电极更有利于Oads和Nads等活性物质在绝缘介质表面的吸附和稳定,相同能量下苯的降解效率更高；在一定范围内,增大线圈电极线径、螺距和石英管内径均有利于苯的降解；介质材料的填充可有效提高填充床放电区域内的局部电场强度,苯的降解效率升高；存在最优的氧气含量和载气湿度使得苯的降解效果较好；增加放电频率、降低载气流量和苯的初始浓度可以促进苯的降解；与交流电源相比,双极性脉冲电源具有上升前沿陡峭、脉宽较窄等优点,瞬间电流极大,有利于苯的降解。3.通过活性物质降解苯的作用效应研究,并利用傅里叶红外变换光谱(FT-IR)和高效气相色谱-质谱联用(GC-MS)等技术分析了苯的降解产物,探讨了沿面-填充床复合放电等离子体降解苯的作用机理。发现高能电子和高能激发态分子的攻击是导致苯环断裂的主要原因,而含氧活性基团(如·O和·OH)的氧化是引起苯分子进一步降解和矿化的重要作用途径。强氧化活性物质攻击苯环中的C-H键,产生羟基化中间产物。这些中间产物在等离子体作用下被进一步降解成小分子有机酸,并最终矿化为CO：和H2O。4.开展了沿面-填充床复合放电等离子体协同AgxCe1-x/γ-Al2O3催化联合降解含苯气体的研究,考察了催化剂活性组分比、催化剂放置位置、催化剂空速和载气湿度等因素对苯降解特性的影响。通过比较单独放电体系和联合体系中苯的降解、矿化、放电副产物(03和N02)的生成和分解等差异,探讨了联合体系对苯的协同降解机理。研究发现：与单独放电体系相比,联合体系产生了更多的高活性·O等物种,促进了苯及其中间产物的降解和矿化。(本文来源于《大连理工大学》期刊2014-07-01）
傅涛,杨梓强,兰峰,史宗君[9]（2014）在《二维等离子体填充金属光子晶体腔体特性》一文中研究指出设计了等离子体填充的二维金属光子晶体特殊开放腔体结构,并采用粒子模拟技术(PIC)建立了基于等离子体填充腔体结构物理模型,分析了等离子体填充下二维腔体的各模式场分布特性,以及等离子体的引入对腔体内各模式工作频率、电场幅值的影响。结果表明:腔体内各模式的电场强度随等离子体密度的增加而减弱,模式频率随背景等离子体归一化频率的提高而增加,工作模式的产生与激励方式密切相关。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2014年04期）
傅涛[10]（2014）在《等离子体填充金属光子晶体Cherenkov辐射源研究》一文中研究指出光子晶体是一种由两种或两种以上材料构成的具有晶格特性的周期排列结构。自光子晶体被提出以来,理论分析方法已逐渐完善,各种光子晶体器件也被相继应用。但是,特殊类型的光子晶体的理论分析和应用研究仍然是当前研究的热点。因此,本文研究了具有等离子体填充的金属光子晶体结构的带隙特性,并利用带隙特性构建了相关的微波器件,为等离子体填充金属光子晶体的发展提供了研究依据。本文的主要工作及创新点如下:利用时域有限差分方法(FDTD)分析了等离子体填充的二维正方晶格和叁角晶格金属光子晶体的带隙特性。对比分析了两种结构中等离子体密度对TM及TE极化波全局带隙特性和局域禁带的影响。研究发现,由于背景等离子体的引入,二维金属光子晶体的色散曲线明显往高频方向移动,且TE极化波在等离子体截止频率以下出现新的禁带,此外,等离子体密度的改变可同时控制TE和TM极化波的禁带宽度和位置。在上述研究的基础之上,分析了外加磁场作用下等离子体填充的金属光子晶体带隙特性。结果表明,在外部磁场作用下,磁化等离子体金属光子晶体出现了除截止频率之外的新的禁带和平带。调节外部磁场的大小能够影响平带、禁带以及局域带隙的位置和宽度。研究结果为设计可调谐光子晶体器件提供了理论基础。采用FDTD分析了等离子体填充的具有线缺陷的金属光子晶体平板滤波器结构电磁特性。研究结果表明,对于非磁化等离子体填充的金属光子晶体结构,金属柱的层数、填充率和等离子体密度都对电磁波传播特性有很大的影响。缺陷模的幅值随金属柱层数增加而减小,但是频率变化不大。填充率和等离子体密度都可以大范围内调节缺陷模的频率。研究发现,外加磁场导致等离子体金属光子晶体带隙特性中出现新的通带,新通带与原通带之间存在新的带隙;磁场增加使带隙宽度减小,缺陷模式频率上移;随着磁场的继续增加,结构中又出现新的缺陷模式,磁场强度在一定范围内两个缺陷模式同时存在。基于等离子体填充金属光子晶体的能带特性和缺陷模特性,设计并研究了等离子体填充的金属光子晶体构成的开放式谐振腔的场特性以及等离子体的引入对腔体内模式工作频率、电场幅值的影响。结果表明,作为工作模式的TM01模能有效的限制在腔体中,模式频率随等离子体归一化频率的提高而增加,工作模式的产生与激励方式密切相关。构建了基于金属光子晶体谐振腔结构组成的开放式盘荷加载的慢波结构,利用轮辐天线作为激励源,利用CST软件仿真模拟了等离子体填充的慢波结构的色散特性。基于激励技术分析了结构参数变化对等离子体填充金属光子晶体慢波结构色散特性的影响。结果表明,等离子体密度、金属盘片内半径和周期长度等参数能够改变慢波结构的色散特性。同时分析轮辐天线激励的有效性。利用Chipic粒子模拟软件仿真了等离子体填充金属光子晶体慢波结构中注波作用的物理过程。结果表明,这种高频结构有较好的模式选择特性;等离子体填充有效增强这种高频结构中表面场,并使其角向分布更加均匀;等离子体填充使这种Cherenkov器件的功率和效率得到明显提高。开展了基于金属光子晶体慢波结构的Cherenkov辐射源的热测实验研究。完成了实验装置的加工及安装测试,详细介绍了实验原理及实验过程,并设计了等离子体填充的实验装置。实验结果表明,该Cherenkov辐射源的工作模式、频率与计算结果一致,实验测得的辐射功率和效率略低于粒子模拟结果。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-04-15）
等离子体填充论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在激光间接驱动惯性约束聚变研究中,激光注入一个高Z材料黑腔转换成X光辐射,然后X光辐射烧蚀黑腔中心的靶丸使之内爆。腔壁烧蚀出的高Z等离子体运动聚心会填充黑腔内部,该过程将强烈影响激光注入效率、辐射场均匀性和辐射场诊断等,是间接驱动惯性约束聚变的重要物理过程之一。而这些复杂的流体力学运动过程单纯依靠目前的模拟程序难以精确计算,因而开展黑腔等离子体填充对辐射场性质影响的实验研究具有重要意义。本论文通过注入孔、诊断孔等观测了多种等离子体的流体力学运动过程,研究了衬CH、充气、泡沫金、强磁场等多种抑制腔壁等离子体填充的方法,研究了等离子体填充及多种抑制方法对辐射场均匀性和辐射能流等辐射场性质的影响。开展内爆实验,利用X光分幅相机观测了靶丸燃料区自发光,获得了压缩变形过程和椭圆度变化规律,确定了接近内爆对称性要求的最佳黑腔尺寸:无束匀滑条件下为Φ1.0 mm × 1.7 mm,有束匀滑条件下为Φ1.1 mm ×(1.8～1.9)mm。作者提出一个简化的解析模型,利用该模型,结合视角因子程序计算得到的时变辐射场不均匀性,可预测内爆不对称性随时间的变化过程,且预测结果与实验结果基本符合。在黑腔尺寸、腔球比例、腔壁开孔、激光光斑排布和功率分配、腔壁反照率、激光等离子体相互作用和腔壁等离子体填充等多种因素作用下,黑腔辐射场不均匀性的复杂演化导致时变的内爆不对称性,分析了这些物理机制及其时变影响。其中,等离子体填充在中后期对内爆不对称性起主导作用,因而开展抑制等离子体填充的研究具有重要意义。开展从注入孔观测黑腔等离子体填充的实验,主要利用时空分辨X光成像观测和时间分辨X光辐射能流测量等方法从注入孔诊断,观测激光烧蚀的光斑、激光烧蚀冕区、纯辐射烧蚀区、射流等多种等离子体的不同运动规律,研究多种抑制等离子体填充的方法:1.腔内壁衬CH等低Z物质制作简易,能消除高Z等离子体射流,有效抑制高Z等离子体填充,但这些低Z物质被烧蚀离化后仍有一些处于较高的密度,低Z物质自身仍有可能形成X光相机难以观测到的射流,仍然会聚心运动甚至撞击靶丸,还可能在物质界面出现流体力学不稳定性,因而不推荐采用。2.腔内填充低Z气体是目前的主流方法,能消除高Z等离子体射流,有效抑制高Z等离子体填充,且密度分布较均匀,不会以高密度高速撞击靶丸,但也被观测到可能出现了界面不稳定性,更为重要的是较高密度的气体会激发激光等离子体不稳定性,引起较强的激光散射,降低能量耦合效率。3.腔内壁高Z辐射物质泡沫化是近年来国内外主推的一种新方法,可降低等离子体运动速度,提升X光转换效率和黑腔辐射温度。利用约0.4 g/cc泡沫金平面样品,在神光Ⅲ原型上开展实验验证了泡沫金减缓黑腔发光区运动和提升腔壁再发射率的良好特性:发光区运动实验结果表明泡沫金具有较低的冕区等离子体填充密度,其高能、低能发光区运动速度均低于固体金,与模拟结果定性符合;泡沫金提高再发射率实验中,透射光栅和分幅相机的实验结果表明泡沫金可提高再发射率约10-20%。下一步拟利用泡沫金制备完整柱腔,并进一步降低泡沫金密度,开展更加全面和精确的实验,确认泡沫金应用于黑腔的价值。4.强磁场抑制等离子体填充是本团队最近提出的一种原创性方法,优点较多但也存在一些潜在风险。为开展实验,进行了高功率激光实验室中产生兆高斯量级强磁场的方法研究,主要研究了高功率激光与电容-线圈靶相互作用产生强磁场和脉冲放电装置产生强磁场两种方法。开展利用小孔等离子体填充研究诊断孔缩孔的实验,用X光辐射烧蚀腔壁上的一个小孔,得到小孔中等离子体的流体力学演化过程,给出了碰撞反弹等物理现象的解释,并计算得小孔等离子体面密度的空间分布和增长过程,用其评估诊断孔缩孔过程对黑腔辐射场诊断的影响,指导诊断孔的设计,结果表明直径300 μm孔深25 μm的诊断孔适用于神光Ⅱ通常的1 ns以内的黑腔辐射场诊断。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体填充论文参考文献
[1].张念华,万先进,李远,许爱春,潘杰.氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）[J].微纳电子技术.2019
[2].黎航.黑腔等离子体填充对辐射场性质影响的实验研究[D].中国科学技术大学.2019
[3].吕文丽,王浩英.填充等离子体的绕射辐射振荡器模拟研究[J].真空电子技术.2019
[4].吕文丽.填充等离子体的绕射辐射振荡器高频特性研究[J].电子元器件与信息技术.2018
[5].郭贤权.高密度等离子体填充浅沟道隔离产生空洞缺陷现象的解决方法研究[D].上海交通大学.2016
[6].傅涛,欧阳征标.等离子体填充金属光子晶体Cherenkov辐射源模拟研究[J].物理学报.2016
[7].傅涛,杨梓强,欧阳征标.等离子体填充金属光子晶体慢波结构色散特性研究[J].物理学报.2015
[8].姜楠.沿面—填充床复合放电等离子体及其协同催化降解苯的研究[D].大连理工大学.2014
[9].傅涛,杨梓强,兰峰,史宗君.二维等离子体填充金属光子晶体腔体特性[J].强激光与粒子束.2014
[10].傅涛.等离子体填充金属光子晶体Cherenkov辐射源研究[D].电子科技大学.2014
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