导读:本文包含了带隙基准源论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:带隙基准源,温度系数,互补金属氧化物半导体,电源抑制比
带隙基准源论文文献综述
程亮,赵子龙,侯文彦[1]（2019）在《一种无电阻结构带隙基准源电路》一文中研究指出使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV_(GS)来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃～145℃温度范围内,温漂系数是15×10~(-6)/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。(本文来源于《山西电子技术》期刊2019年05期）
何林峰,聂海,陈娇[2]（2019）在《对于高阶补偿Banba结构带隙基准源的改进分析》一文中研究指出Banba结构是模拟电路中基准源部分的一个基本结构。在针对高阶补偿Banba结构的带隙基准源设计中,其高阶补偿电阻的实际版图大小占整体面积的50%以上。提出了对于高阶补偿Banba结构的改进论证,主要对高阶补偿电阻的有无进行仿真分析,得到对其结构的改善方法。在经过一定的优化后可为大部分通用电路提供稳定低温漂的供电或激励。(本文来源于《成都信息工程大学学报》期刊2019年05期）
莫啸,李冬,张明科,孔德鑫[3]（2019）在《一种高精度自偏置的带隙基准源》一文中研究指出本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性。tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2019年08期）
王银,聂海,毛焜[4]（2019）在《一种基于BJT工艺的无运放低温度系数的带隙基准源》一文中研究指出如今集成电路工艺更多采用的是CMOS工艺,因为具有功耗低便于集成等特点。但BJT工艺仍然有不可替代的优点,它具有电驱动能力强上电速度快的特点,且工艺简单,成本更低,在需要高功率大电压的环境中,采用BJT工艺仍然是不错的选择。提出了一种基于BJT工艺的无运放低温度系数的带隙基准源,适用温度范围广,在-40℃～140℃都具有较好的温度特性。该电路采用重庆二十四所的WX40工艺,测试结果显示能产生较高精度的3.3 V电压源,且电压源抑制比高达85 dB,同时具有极高的线性调整率,可以在11～40 V的电压范围下工作,温漂系数为14 PPM。(本文来源于《成都信息工程大学学报》期刊2019年03期）
周瑞,贺龙周,赵心越[5]（2019）在《一种电压可调式带隙基准源的研究与设计》一文中研究指出本文设计一种低温漂系数的电压可调式CMOS带隙基准电压源,与传统的CMOS带隙基准电压源相比,该电压源不仅能生成1.24V的标准带隙基准电压,还可以可通过调整电阻的比值产生更低或者更高的基准电压。利用电阻分压法,基准电路可以在低电压条件下运行。采用TSMC 0.18umCMOS工艺,使用spectre仿真,在1.8V的供电电压下,可以产生1.2V的基准电压,在-40℃～120℃的温度范围内,其温度系数为12ppm/℃,电源抑制比为66d B。(本文来源于《科学技术创新》期刊2019年14期）
程亮,赵子龙,钟轶峰[6]（2019）在《低压低温度系数带隙基准源的设计》一文中研究指出基准源被广泛应用于数模转换器、锁相环等集成电路中,其输出电压的稳定性影响到整个系统的性能。采用高阶曲率补偿原理,设计了一种低压高精度带隙基准电压源。利用工作于亚阈值区的MOSFET栅源电压差所产生的非线性正温度系数电流来修正传统BJT带隙基准源的精度。使用CSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,流片后测试结果表明,在1.2 V电源电压下室温27℃时输出基准电压812 mV;低频时,电源抑制比达到-89 dB。在-35℃到115℃的宽温度范围内,温度系数为4.1×10~(-6)/℃。(本文来源于《电子器件》期刊2019年02期）
周志兴,来强涛,姜宇,郭江飞,王成龙[7]（2019）在《一种高电源抑制比带隙基准源》一文中研究指出介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃～150℃温度范围、3.5 V～6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2019年05期）
杨志强,冯全源[8]（2019）在《使用动态元件匹配技术的带隙基准源的设计》一文中研究指出为了改善器件失配引起的误差对带隙基准精度及稳定性的影响,设计了一款基于BICMOS 0.15μm工艺的带隙基准电压源。电路使用传统的带隙基准结构,为了提高增益,采用两级放大器;为了解决器件失配造成的不稳定性,采用了动态元件匹配技术。经过spectre仿真表明:此基准源能够很好地改善器件失配带来的误差,从而保证基准源的精度以及稳定性,5.0 V供电、温度在233 K(-40℃)～378 K(105℃)变化时,相比于没有使用动态元件匹配的电路,该电路最少能够减小68%的误差;典型温度298 K(25℃)、电压在4.5～5.5 V变化时,相比于没有使用动态元件匹配的电路,该电路最少能够减小70%的误差。仿真结果显示,电路具有高稳定性。(本文来源于《应用科技》期刊2019年05期）
罗治民,刘伯权,郭佳佳[9]（2019）在《一种高精度二阶曲率补偿带隙基准源设计》一文中研究指出针对双极型晶体管基极-发射极电压VBE含有二阶温度非线性项导致带隙基准源温漂系数较高的问题,提出了一种新颖的二阶曲率补偿电路,根据基尔霍夫电压定律以及MOS管饱和区漏电流与栅源电压成平方关系,产生一个与热力学温度平方成正比的补偿电流,对基极-发射极电压VBE的二阶温度项进行补偿,从而有效地降低基准输出电压的温漂系数。基于0.5μm CMOS工艺库,使用Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压5V,温度范围为-35～+130℃时,温漂系数为2.213ppm/℃,低频时电源抑制比可达到-116d B,在10k Hz时抑制比为-74d B。电源电压在1.6V～5V范围内变化时基准输出电压线性调整率为0.094%。(本文来源于《中国集成电路》期刊2019年04期）
李宏杰,李立,王丹丹[10]（2019）在《一种带隙基准源分段线性补偿的改进方法》一文中研究指出为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性,设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流,通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行迭加,进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明,在5 V电源电压下,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃,低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V~5 V范围内,基准电压的线性调整率为0.09 mV/V。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年01期）
带隙基准源论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Banba结构是模拟电路中基准源部分的一个基本结构。在针对高阶补偿Banba结构的带隙基准源设计中,其高阶补偿电阻的实际版图大小占整体面积的50%以上。提出了对于高阶补偿Banba结构的改进论证,主要对高阶补偿电阻的有无进行仿真分析,得到对其结构的改善方法。在经过一定的优化后可为大部分通用电路提供稳定低温漂的供电或激励。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
带隙基准源论文参考文献
[1].程亮,赵子龙,侯文彦.一种无电阻结构带隙基准源电路[J].山西电子技术.2019
[2].何林峰,聂海,陈娇.对于高阶补偿Banba结构带隙基准源的改进分析[J].成都信息工程大学学报.2019
[3].莫啸,李冬,张明科,孔德鑫.一种高精度自偏置的带隙基准源[J].数字技术与应用.2019
[4].王银,聂海,毛焜.一种基于BJT工艺的无运放低温度系数的带隙基准源[J].成都信息工程大学学报.2019
[5].周瑞,贺龙周,赵心越.一种电压可调式带隙基准源的研究与设计[J].科学技术创新.2019
[6].程亮,赵子龙,钟轶峰.低压低温度系数带隙基准源的设计[J].电子器件.2019
[7].周志兴,来强涛,姜宇,郭江飞,王成龙.一种高电源抑制比带隙基准源[J].微电子学与计算机.2019
[8].杨志强,冯全源.使用动态元件匹配技术的带隙基准源的设计[J].应用科技.2019
[9].罗治民,刘伯权,郭佳佳.一种高精度二阶曲率补偿带隙基准源设计[J].中国集成电路.2019
[10].李宏杰,李立,王丹丹.一种带隙基准源分段线性补偿的改进方法[J].电子技术应用.2019
标签：带隙基准源; 温度系数; 互补金属氧化物半导体; 电源抑制比;