以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究

论文摘要

实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6. 4 nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能的影响。研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导。PI薄膜基底表面金薄膜导热、导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中。当对PI薄膜基底的热处理时间为1 h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、导电系数呈下降趋势。当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0 h升到6 h,金薄膜的导热、导电性能先下降后上升,并在6 h后趋于稳定。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 程健,董华,张建伦,林欢,张敬奎

关键词: 瞬态电热技术,导电系数,导热系数,洛伦兹数,金薄膜,基底

来源: 电子元件与材料 2019年01期

年度: 2019

分类: 信息科技,基础科学,工程科技Ⅱ辑

专业: 物理学,工业通用技术及设备

单位: 青岛理工大学环境与市政工程学院

基金: 国家自然科学基金(51506106,11402180),中国博士后科学基金(2017M612225)

分类号: O484

DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.01.005

页码: 28-35

总页数: 8

文件大小: 2178K

下载量: 155

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