导读:本文包含了掺杂浓度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:浓度,石墨,纳米,密度,光学,强度,能级。
掺杂浓度论文文献综述
李骏,王健安,吴雪,李兴冀,杨剑群[1]（2019）在《基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响》一文中研究指出针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用~(60)Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加, NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧。(本文来源于《现代应用物理》期刊2019年03期）
王蕊,牛立刚,贺媛,李昕,纪永成[2]（2019）在《四探针法测试半导体掺杂浓度的实验研究》一文中研究指出为了解决半导体掺杂浓度的测试问题,需要采用简单易行的方法对半导体进行测试。在微电子技术领域,四探针技术一直是测量电阻率的常用方法。结合吉林大学在半导体器件物理与实验精品课程的建设,以训练学生对半导体物理学专业知识的理解和掌握,笔者对四探针法测试半导体掺杂浓度进行了实验研究。通过建立半无限大和无限薄层两个理论模型,对不同厚度半导体材料的电阻率测试方法进行了实验研究,并对原理进行了讨论。为了解决商用测试设备昂贵且无法满足实验教学需求的问题,笔者提出自制实验测试装置,采用钨合金的简易手动探针台,并根据实验需要自行设计了四探针测试架。实践应用表明:四探针测试系统的建立可以完成测量半导体掺杂浓度的任务,满足了半导体物理实验的教学需求,取得了较好的教学效果。(本文来源于《吉林大学学报(信息科学版)》期刊2019年05期）
朱婷[3]（2019）在《间隙掺杂中掺Au浓度对ZnO物理特性的影响》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,计算分析了间隙掺杂中掺Au浓度对ZnO物理特性的影响。计算表明:随着掺Au浓度的增加,ZnO的能带带隙整体上呈先增大再减小的抛物线趋势,当掺Au浓度处于6.0～6.88at.%时,ZnO的能隙小至可忽略,材料的导电性达到最强。(本文来源于《中小企业管理与科技(中旬刊)》期刊2019年09期）
刘巧平,李琼,耿雷英,吕媛媛,杨延宁[4]（2019）在《Co掺杂浓度对ZnO纳米棒结构和光学性能影响研究》一文中研究指出采用水热法以不同浓度Co掺杂合成了具有六方纤锌矿结构的ZnO纳米粉体,通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱、X射线光电子光能谱分析法(XPS)、(光致发光) PL谱等分别对样品的形貌、结构、光学性能进行了测试和表征。结果表明:随着Co掺杂浓度的增大,纤锌矿ZnO的晶体结构没有改变,且Co以二价离子Co2+的形式掺杂进入ZnO晶格;同时花状ZnO纳米棒的均匀性变差,不同浓度Co掺杂ZnO纳米棒中均出现了少量且尺寸较小的单根纳米棒。PL光谱显示:随着Co掺杂浓度增大,样品的紫外发光峰没有明显地变化,而可见发光峰的强度先减小再增大,说明样品的缺陷先降低再提高。当Co掺杂的浓度为2. 0%时,所制备的ZnO花状纳米棒可见发光峰相对最低,其具有较小的缺陷。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年06期）
袁秀芳[5]（2019）在《掺杂浓度对Y掺杂HfO_2铁电薄膜的畴反转过程的调控作用》一文中研究指出铁电存储器是铁电材料的最重要的应用,而铁电存储器一个非常重要的指标就是其运行速度,影响其运行速度的主要是铁电材料内铁电畴的极化反转速度。HfO_2铁电材料作为未来铁电存储器的理想材料,了解其畴反转过程非常重要。掺杂是使HfO_2薄膜产生铁电性的一个非常重要的方法,掺杂浓度对HfO_2铁电薄膜的铁电性能影响非常大,因此了解掺杂浓度对HfO_2铁电薄膜的畴反转过程(即极化反转速度)的影响对我们更好利用HfO_2铁电薄膜为基础的铁电存储器非常重要。在本文中,我们利用PLD制备了Y掺杂HfO_2铁电薄膜(HYO),发现了Y掺杂浓度对HYO铁电薄膜的铁电性能的影响,我们在经过测试后也发现掺杂浓度可以影响HYO铁电薄膜畴反转过程,发现了随着掺杂浓度的增加HYO铁电薄膜中铁电畴的极化反转速度增加。(本文来源于《科技风》期刊2019年16期）
陈永佳,刘建科[6]（2019）在《SiO_2掺杂浓度对ZnO压敏陶瓷结构与性能的影响》一文中研究指出以(96.0-x)ZnO-2.0Pr_6O_(11)-0.5Sb_2O_3-0.5Co_2O_3-0.5Cr_2O_3-0.5Y_2O_3-xSiO_2为配方制备压敏电阻陶瓷,其中比例均为物质的量比,x分别为0.0%、0.8%、1.6%、2.4%。研究了SiO_2的掺杂浓度对该体系压敏电阻陶瓷微观结构和电学性能的影响。研究表明,压敏电阻陶瓷的主晶相为六方纤锌矿型结构,同时还含有SbYO_3、ZnCr_2O_4、ZnCo_2O_4、Zn_7SbO_(12)、Zn_2SiO_4和Pr_2O_3等晶相。随着SiO_2掺杂浓度的增大,ZnO压敏陶瓷的叁个强衍射峰逐渐向低角度方向偏移,平均晶粒尺寸先减小后增大。当掺杂浓度为1.6%时,平均晶粒尺寸达到最小值(1.5μm),击穿场强E_(1mA)达到最大值(385.6 V/mm),非线性系数α达到最大值(84.2),漏电流I_L达到最小值(1.1μA)。通过分析烧结机理、固溶体形成机理以及能量最低原理,本工作对以上现象进行了理论解释。(本文来源于《材料导报》期刊2019年S1期）
王骏齐,张衍敏,陈天弟,王恒,田遴博[7]（2019）在《不同浓度Ag掺杂ZnS的电子结构及光学性质的第一性原理研究》一文中研究指出具有优良热红外透明性的ZnS是一种重要的宽禁带半导体材料,在电致发光以及荧光效应方面有很大的潜力,因此被广泛用于发光器件和光催化等领域。对于ZnS进行适当的掺杂能有效改变其发光和吸收性能,从而让其作为发光材料拥有更大的应用价值。本工作应用基于密度泛函理论的第一性原理,计算并对比分析了纯净ZnS以及Ag掺杂浓度分别为3.125%、9.375%、25%、50%的ZnS的晶体学结构、电子性质以及光学性质。研究结果表明,更高的掺杂浓度能有效降低禁带宽度,并增强ZnS在红外波段的光学吸收与反射。本研究为制备Ag掺杂ZnS半导体提供了理论依据,针对不同需求调节掺杂浓度以制备特定性能的ZnS晶体。(本文来源于《材料导报》期刊2019年S1期）
郭佳,周凯,任显诚,杨培,雷勇[8]（2019）在《纳米石墨烯掺杂浓度对XLPE击穿性能的影响》一文中研究指出制备了分散性良好的6种不同配比XLPE/纳米石墨烯聚合物,运用差式扫描量热法排除了结晶度对击穿性能的影响;对试样进行了工频击穿强度测量并通过拉伸强度测试评估了机械性能。实验表明,掺杂纳米石墨烯能使聚合物的工频击穿强度最大提高27. 66%,拉伸强度最大提高10. 64%,在工业实现上有积极意义。通过等温去极化电流计算聚合物陷阱密度及能级,并结合动态热机械分析从界面分子结合力探究不同含量石墨烯影响击穿性能的机理。研究表明掺杂少于0. 01 wt%的纳米石墨烯能增大陷阱能级,同时增大聚乙烯基体分子间作用力,进而提升聚合物击穿性能。(本文来源于《电测与仪表》期刊2019年13期）
刘全喜,任钢,李轶国,岳通,王莉[9]（2019）在《激光二极管端面抽运梯度浓度掺杂介质激光器热效应的有限元法分析》一文中研究指出基于能量均分方法,根据经典热传导和热弹性理论,建立了激光二极管端面抽运梯度浓度掺杂棒状激光介质的数值模型,考虑到梯度浓度掺杂激光介质端面与空气的对流换热和激光介质材料的热力学参数的温度相关性,运用有限元法,得出了单一浓度掺杂、2阶阶变梯度浓度掺杂、5阶阶变梯度浓度掺杂和理想梯度浓度掺杂四种掺杂结构激光介质内吸收系数、抽运光吸收功率、温度、热应力和应变的空间分布。结果表明,采用梯度浓度掺杂结构可以大大提高激光介质内抽运光吸收分布的均匀性,5阶阶变梯度浓度掺杂激光介质的最高温度、最大主拉应力和最大主应变分别为单一浓度掺杂激光介质的42.6%、31.9%和28.1%,可见明显减小了热效应的影响。理论分析结果可为激光二极管抽运梯度浓度掺杂激光器的合理优化设计提供数据理论支撑。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年11期）
卢子龙,安立宝,刘扬[10]（2019）在《不同浓度硼掺杂石墨烯吸附多层金原子的第一性原理研究》一文中研究指出石墨烯与金属间过高的接触电阻严重影响了其在微纳电子领域的应用,B掺杂可以有效降低石墨烯的接触电阻。利用第一性原理研究了不同浓度B掺杂对石墨烯吸附多层Au原子的影响。首先计算了不同浓度B掺杂石墨烯的结合能,验证了掺杂石墨烯的稳定性;然后对掺杂石墨烯进行了结构优化并在其表面置入多层Au原子,计算了吸附模型的吸附能、赝能隙、局部态密度、电荷密度分布和电荷转移量。B掺杂浓度分别为1.39%,4.17%,6.94%,9.72%,12.50%和15.28%。结果表明:随着B掺杂浓度的提高,石墨烯吸附多层Au原子体系的赝能隙变宽,吸附能增加,结构稳定性得到提升;B原子与Au原子间杂化作用明显,具有较高的电荷密度和电荷转移量,可有效地降低石墨烯与多层Au原子间的接触电阻;但掺杂浓度为15.28%时,由于浓度过高吸附模型中石墨烯几何结构变形过大。(本文来源于《材料工程》期刊2019年04期）
掺杂浓度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了解决半导体掺杂浓度的测试问题,需要采用简单易行的方法对半导体进行测试。在微电子技术领域,四探针技术一直是测量电阻率的常用方法。结合吉林大学在半导体器件物理与实验精品课程的建设,以训练学生对半导体物理学专业知识的理解和掌握,笔者对四探针法测试半导体掺杂浓度进行了实验研究。通过建立半无限大和无限薄层两个理论模型,对不同厚度半导体材料的电阻率测试方法进行了实验研究,并对原理进行了讨论。为了解决商用测试设备昂贵且无法满足实验教学需求的问题,笔者提出自制实验测试装置,采用钨合金的简易手动探针台,并根据实验需要自行设计了四探针测试架。实践应用表明:四探针测试系统的建立可以完成测量半导体掺杂浓度的任务,满足了半导体物理实验的教学需求,取得了较好的教学效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺杂浓度论文参考文献
[1].李骏,王健安,吴雪,李兴冀,杨剑群.基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响[J].现代应用物理.2019
[2].王蕊,牛立刚,贺媛,李昕,纪永成.四探针法测试半导体掺杂浓度的实验研究[J].吉林大学学报(信息科学版).2019
[3].朱婷.间隙掺杂中掺Au浓度对ZnO物理特性的影响[J].中小企业管理与科技(中旬刊).2019
[4].刘巧平,李琼,耿雷英,吕媛媛,杨延宁.Co掺杂浓度对ZnO纳米棒结构和光学性能影响研究[J].人工晶体学报.2019
[5].袁秀芳.掺杂浓度对Y掺杂HfO_2铁电薄膜的畴反转过程的调控作用[J].科技风.2019
[6].陈永佳,刘建科.SiO_2掺杂浓度对ZnO压敏陶瓷结构与性能的影响[J].材料导报.2019
[7].王骏齐,张衍敏,陈天弟,王恒,田遴博.不同浓度Ag掺杂ZnS的电子结构及光学性质的第一性原理研究[J].材料导报.2019
[8].郭佳,周凯,任显诚,杨培,雷勇.纳米石墨烯掺杂浓度对XLPE击穿性能的影响[J].电测与仪表.2019
[9].刘全喜,任钢,李轶国,岳通,王莉.激光二极管端面抽运梯度浓度掺杂介质激光器热效应的有限元法分析[J].红外与激光工程.2019
[10].卢子龙,安立宝,刘扬.不同浓度硼掺杂石墨烯吸附多层金原子的第一性原理研究[J].材料工程.2019
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