浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况

论文摘要

刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率。湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造成产品的批量返工。本文对晶硅电池制备过程中湿法刻蚀及去PSG工序过刻现象进行了简单分析。

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类型: 期刊论文

作者: 王进财

关键词: 过刻,毛细作用,表面张力

来源: 中国设备工程 2019年24期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 黄河水电西宁太阳能电力有限公司

分类号: TM914.41

页码: 134-135

总页数: 2

文件大小: 2040K

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标签：过刻论文;  毛细作用论文;  表面张力论文;