导读:本文包含了慢正电子湮没论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:正电子,合金,寿命,缺陷,多普勒,微观,奥氏体。
慢正电子湮没论文文献综述
史大琳[1]（2019）在《铁基合金中微观缺陷的热演化及氢/氦行为的正电子湮没学研究》一文中研究指出核结构材料以其优异的抗辐射性、耐腐蚀性、耐热性和机械性能,广泛应用于裂变、聚变反应堆的内部结构中。核结构材料长期服役在高温、临氢及高通中子辐照的环境下,往往出现老化和脆化现象。但是,这些变化的机制和微观机理,以及对氢/氦与缺陷的相互作用的理解和认识尚不清晰。目前已经存在观察材料中纳米级析出相和开放体积的微观缺陷的技术手段,其中正电子湮没技术对微观缺陷十分灵敏。本文以奥氏体316不锈钢及Fe9Cr合金作为研究对象,研究微观缺陷的热演化及氢/氦行为。这对于深入认识微观缺陷的演化及氢/氦行为的具有重要意义。本文的主要内容及结论如下:(1)研究了奥氏体316不锈钢原始样品微观缺陷的热演化过程:随着退火温度的升高,空位缺陷逐渐回复。673 K-823 K,位错聚集进而形成位错网,这导致了相对较大的开体积缺陷的形成以及硬度的轻微上升。873 K-973 K,有大型微观析出相形成。973 K后,析出相尺寸减小,大型的微观析出相逐渐回溶,并伴随着较小的微观析出相的析出,这些微观析出相大部分在1123 K之前回溶。位错型缺陷浓度在873 K以后持续减少,这导致硬度总体降低,同时,不同大小和浓度的析出相导致硬度不同程度的增加。因此,从873 K到1173 K,硬度总体上逐渐降低,但有波动。退火温度从1173 K到1373 K位错缺陷继续回复,硬度继续降低。1373 K以上,样品几乎无缺陷,硬度无明显变化。(2)研究了奥氏体316不锈钢中氢与缺陷的相互作用:电解充氢可以在样品中产生大量空位缺陷;充氢时间越长,样品中的空位缺陷浓度越大。形变量不同的奥氏体316不锈钢注入低能高剂量的氢等离子体,氢等离子由样品表面扩散进入内部,在内部产生了新的空位缺陷,样品内部的位错对氢致辐照肿胀现象起到了抑制的作用。这是由于氢与位错结合,形成位错与氢的复合体,阻碍氢的迁移和增长。(3)低活化钢和马氏体钢的主体材料Fe9Cr合金分别经退火、淬火和形变之后,再经50 keV氦离子辐照,研究微观缺陷和氦的状况:氦从单空位(HenV)和位错(HenD)中脱附的温度分别为380 K-640 K和640 K-1010 K,在1010 K-1200K氦的脱附是由于Fe9Cr由BBC相向FCC相的转变,1200 K-1420 K氦从氦-多空位团簇(HenVm)和氦泡中释放。对退火样品经氦离子辐照的样品选择热脱附峰值点测慢束,研究内部HenVm cluster的演化:退火样品氦离子辐照后产生空位缺陷,并与氦结合形成HenVm cluster。随着温度的升高,空位缺陷大量恢复,650 K-840 K样品中的HenVm cluster逐渐迁移聚集,空位净产生率大于零,内部开空间缺陷的密度增加,在该温度段,HenVm cluster的尺寸逐渐增加,开始形成较稳定的结构,如氦泡;840 K-1160 K,材料中的HenVm cluster由材料的较浅层区域向材料的较深层区域运动;1160K-1360 K,较深层的HenVm cluster逐渐向较浅层移动。(本文来源于《郑州大学》期刊2019-05-01）
温阿利,朱基亮,范平,马海亮,张乔丽[2]（2019）在《正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电常数机理》一文中研究指出关于CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu_3Ti_(4-x)Al_(0.5x)Nb_(0.5x)O_(12),x=0.2%、0.5%、5.0%)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年06期）
焦学胜,范平,张乔丽,白若玉,温阿丽[3]（2018）在《用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应》一文中研究指出国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料,对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端,在300℃温度下,用100MeV的Fe束流对两种新锆合金包壳管材进行5dpa剂量辐照。辐照前后的正电子湮没寿命测量表明:两种样品辐照前湮没寿命为Zr中单空位寿命,表明管材制备过程中最后的退火温度和时间尚未完全消除加工引入的缺陷;两种样品辐照后的正电子湮没寿命减小,分析表明这是由于辐照导致Fe在锆合金中重新分布,主要分布在bcc结构的β-Nb沉淀相颗粒与hcp结构的α-Zr基体之间具有开空间的相界,正电子被相界捕获,与周围Fe原子电子湮没,造成湮没寿命减小。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2018年11期）
姚春龙,朱喆劼,石见见,徐雪慧,吴奕初[4]（2018）在《纳米氢氧化镁/氧化镁相转变的正电子湮没研究》一文中研究指出用添加聚乙二醇(Polyethylene Glycol,PEG)表面活性剂的直接沉淀法合成氢氧化镁纳米粉末,将其在不同温度下煅烧得到的纳米氢氧化镁和纳米氧化镁,采用正电子湮没寿命谱(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy,PALS)、X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)、热重分析(Thermal Gravimetric Analysis,TGA)、场发射扫描电子显微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope,FESEM)和氮气吸附脱附实验(N2adsorption-desorption)等方法研究了纳米氢氧化镁转变为氧化镁过程中的微观变化机制。研究结果表明:实验制得的纳米氢氧化镁为厚度15 nm左右的片状形貌,在300oC左右热分解为直径30 nm左右的纳米球状氧化镁,颗粒大小均匀,分散性较好。正电子寿命测量发现两个长寿命分量τ3、τ4分别反映样品内部微孔和介孔的信息,在250~300oC的相转变温度区间,I4显着升高,同时I3却迅速减小,说明纳米氢氧化镁转变氧化镁时介孔数量突然增大,而微孔的数量迅速减少。由改进的Tao-Eldrup模型计算得到的孔径尺寸与氮气吸附脱附实验测量孔径分布的最可几孔径(2~4 nm)基本吻合,有理由推测在片状氢氧化镁转变球状的氧化镁时因晶粒长大、重组导致大量微孔发生迁移聚集成了较大的介孔;另一方面,水分子的脱离促进了晶粒内空位团和微孔不断产生、迁移和聚集。(本文来源于《核技术》期刊2018年09期）
韩振杰,刘福雁,张鹏,王宝义,曹兴忠[5]（2018）在《基于起始信号触发判选的正电子湮没寿命测量方法》一文中研究指出正电子湮没寿命测量作为一种典型的核物理时间测量方法,其最为关键的两个性能参数是时间分辨率和符合计数率。决定时间分辨率的主要因素是探测器中闪烁晶体及光电转换器件的时间响应,而符合计数率不仅取决于探测器的探测效率,还取决于电子学系统对时间信号的判选方法。本文提出并设计了一种能够有效提高正电子湮没寿命符合测量计数率的方法。该方法通过对两探测器信号中的起始信号成分进行逻辑"或"运算产生外触发信号,利用高速数字化采集设备在此触发信号的触发下实现对有效事例的高效判选。其中任意一个探测器既可作为起始探测器也可作为终止探测器,有效提高了谱仪对探测器信号的利用率。实验表明:该方法在不影响时间分辨率和正电子湮没寿命谱与其峰谷比前提下,可获得更高效的符合计数率。(本文来源于《核技术》期刊2018年06期）
连相宇[6]（2018）在《Fe-9Cr合金微观缺陷的电子密度分布及正电子湮没机理研究》一文中研究指出正电子湮没谱学作为新兴的核物理技术,以新型核谱学方法为工具,通过电子与正电子的湮没反应,得出材料的微观结构、电子动量分布和缺陷态种类。金属材料中电子密度分布,即电荷密度去除原子核后的自由电子分布,不仅决定了金属的物理化学性质,还影响了正电子与金属中电子的湮没行为。Fe-9Cr合金作为聚变堆结构材料中铁素体/马氏体钢的基体,在辐照和高温等特殊条件下会产生微观缺陷,这些原子尺度的缺陷会对材料性能产生很大影响,因此通过正电子湮没技术研究,可以得到Fe-9Cr合金微观缺陷的演化规律及正电子湮没机理。本文通过第一性原理计算,得到Fe-9Cr合金不同缺陷类型的电子密度分布,从而推理得出正电子湮没机理,并用正电子理论计算加以验证。与此同时,实验通过正电子湮没谱学和透射电镜研究了Fe-9Cr合金微观缺陷随温度的变化规律,根据理论计算得到的正电子湮没机理,分析得出Fe-9Cr合金热致缺陷演化规律。理论计算中Fe-9Cr合金的缺陷类型分为本征缺陷和非本征缺陷。对于本征缺陷,由电子密度可得,正电子由于受到原子核的排斥而容易被不含原子核的缺陷捕获,从而通过正电子湮没谱学参数反应出缺陷信息,如空位团的正电子湮没寿命会随着空位数的增多而上升。非本征缺陷以He原子为例,当He原子在Fe-9Cr合金不同间隙位和单空位时,处于同一直线上的S-W参数表明正电子湮没区域都是小空间型缺陷。随着空位团中He原子的增多,S-W参数曲线的斜率变化反应出缺陷类型的改变,即:空位团到He空位复合体再到He团簇,过量的He原子将导致正电子湮没寿命明显减小。少量He原子进入位错后相互吸引聚集,对寿命值影响较小。实验通过正电子湮没谱学研究了Fe-9Cr合金热致缺陷的演化规律。结合理论计算和透射电镜结果可以得出,初始状态的Fe-9Cr合金中含有大量的位错和单空位型缺陷(184.2 ps),其中单空位缺陷会随着退火温度的升高而迁移。当温度从573 K上升至773 K时,位错发生聚集并形成位错网状结构,位错网的形成和碳元素在位错旁空位中的聚集会导致一种浓度低且不稳定的开空间缺陷长大。当温度从773 K上升到1073 K时,位错密度从1.08×10下降到了3.55×10,位错基本回复(108.1 ps)。1073 K则是Fe-9Cr合金从bcc相转换到fcc相的相变点。本文对Fe-9Cr合金微观缺陷的电子密度及正电子湮没机理研究,有助于分析聚变堆结构材料中缺陷演化行为,同时扩展了正电子湮没谱学在金属缺陷方面的应用。(本文来源于《东华理工大学》期刊2018-06-01）
罗见兵[7]（2018）在《Cu-缺陷复合结构的正电子湮没机理研究》一文中研究指出反应堆压力容器钢(Reactor PressureVessels,RPVS)中掺入少量的Cu元素可提高材料的延展性和抗辐照能力,但在强中子辐照条件下,材料内部容易发生原子移位,导致产生大量的微观缺陷(空位、位错以及空位团),这些微观缺陷的演变及迁移会使Cu元素偏析,并对材料的机械性能产生影响,甚至导致材料脆化,对材料造成严重的损害。同时核反应产生的氢、氦也会造成材料辐照损伤,因此研究材料中Cu的析出机制以及氢损伤的机理显得非常重要。本文以Fe-Cu合金作为研究对象。主要通过淬火、时效以及冷轧形变退火的方法使Cu析出,利用Cu团簇对正电子低温捕获效应,获得Cu原子团簇作为正电子浅捕获态的温度特性,然后采用电化学充氢的方式引入氢,并应用正电子湮没谱学方法深入地研究低温下Cu析出物浅捕获规律以及氢致缺陷的形成过程。主要研究过程及成果如下:(1)对形变退火、淬火以及高温退火的Fe-Cu合金进行充氢处理,通过正电子湮没谱学技术对氢致缺陷的形成机制以及缺陷类型进行研究。结果表明,淬火样品充氢后会产生少量的空位团,而形变退火样品以及高温退火样品充氢后会产生少量的位错,说明充氢过程中,氢与空位相互作用成为聚集空位的核心而形成空位团。(2)对Fe-Cu合金进行淬火及淬火时效处理,通过正电子湮没谱学技术研究Fe-Cu合金中Cu-空位复合体对正电子的捕获效应。结果表明,高温淬火后,合金中形成少量的空位缺陷以及Cu-空位复合体。室温测量时,正电子湮没长寿命为180 ps,随着测量温度降低,正电子湮没长寿命逐渐下降,当温度为10 K时,正电子湮没长寿命τ_2为135 Ps。说明Cu-空位复合体缺陷在低温下很容易捕获正电子,温度越低,Cu-空位复合体捕获正电子的能力越强。而高温淬火时效后,合金中会有细小Cu析出物形成。随测量温度减小,S参数(能量范围在510.24-511.76 keV内的湮没计数与总的峰值(501.00-521.00 keV)湮没计数之间的比值)逐渐减小,W参数(能量范围在513.6-516.9 keV和505.10-508.40 keV内的湮没计数与总的峰值(501.00-521.00 keV)湮没计数之间的比值)逐渐增大,说明低温下Cu析出物对正电子的捕获作用增强,导致正电子更多的与Cu的电子湮没而与低动量电子湮没减少。(3)对Fe-Cu合金进行形变退火处理,通过正电子湮没谱学技术研究合金中位错与Cu析出物对正电子的捕获效应。结果表明,随测量温度降低,S参数变大,W参数减小,当温度低于120K时,测量结果更明显,说明位错是正电子的浅捕获态,且位错对正电子的捕获能力强于Cu析出物。随温度降低,位错对正电子的捕获能力越强。(本文来源于《东华理工大学》期刊2018-06-01）
葛雯娜[8]（2018）在《正电子湮没技术对多铁材料铁磁性能与缺陷的研究》一文中研究指出多铁材料通常指同时具有铁电性能和铁磁性能的材料。近年来,由于多铁材料具有的特殊物理性质以及潜在的应用价值,使其受到了越来越多的关注,成为了材料科学领域的研究热点。目前,有关多铁材料实验方面和理论方面的工作都在不断发展中,其中关于多铁材料磁性起源、磁电效应、铁电起源等的理论解释不断涌现,这些理论工作在一定程度上又指导了实验工作,使人们发现了更多种类的多铁材料。实验和理论研究的配合使人们对多铁材料的认识越来越清晰,但发展室温多铁材料还有大量的问题有待研究解决。例如材料中磁性来源是什么,磁电耦合机制是什么等等。大量的实验和理论工作表明,空位缺陷和元素掺杂能导致半导体具有磁性,那么在多铁材料中,微观缺陷是否会对铁磁性产生影响?其作用机制是什么?这个问题的解决对提高多铁材料的性能具有重要的意义。正电子湮没谱学是一门将核探测技术应用于固体物理与材料领域的学科,包括正电子实验探测技术和正电子理论计算两大部分。正电子湮没技术对材料原子尺度的缺陷非常敏感,可以提供缺陷尺寸、缺陷类型、缺陷浓度以及缺陷随深度分布的信息,在探究材料缺陷方面具有不可替代性。本论文采用正电子实验探测与正电子理论计算相结合的手段,对包括“明星”多铁材料BiFe03、铋层状钙钛矿结构氧化物以及纳米材料SrTiO3等在内的几种典型的多铁材料进行了系统的研究,探讨了材料微观缺陷与宏观性质的内在关联。取得的主要研究成果有:1.利用正电子湮没寿命技术和符合多普勒展宽技术,配合正电子寿命理论计算,对La掺杂的BiFe03材料中的缺陷进行了系统探究。在此基础上,结合XRD测试、拉曼测试以及磁性测试结果,对材料内部铁磁性能的起源进行了分析。实验结果表明:(a)在不同La掺杂浓度的样品Bi1-xLaxFeO3中,发现当掺杂浓度x>0.20时,Bi单空位逐渐消失,大孔洞的空位团簇出现,与此同时,剩余磁化强度也随之增大,表明阳离子空位型缺陷会对材料磁性产生影响。(b)在不同煅烧条件下得到的Bi0.7La0.3FeO3样品中,发现同时采用相对较高的锻烧温度和较长的煅烧时间对材料进行处理时,Bi0.7La0.3FeO3的磁性能才出现了明显的改变,此时样品中的缺陷浓度是相对最高的,且缺陷类型以双空位或叁空位等复合空位缺陷为主。这说明经过充分煅烧后,样品内部晶粒会发育完全,使得大量微孔洞消失,小尺寸复合空位缺陷浓度增加,有利于增强室温铁磁性能。(c)在探究Fe空位对Bi0.7La0.3FeO3样品铁磁性能的影响中,我们尝试通过减少Fe元素含量的方式来获取Fe空位的变化。结果表明Fe空位确实会对室温下的铁磁性能产生影响。2.利用正电子湮没寿命谱仪和符合多普勒展宽谱仪研究了铋层状结构氧化物中缺陷的变化,结合XRD、SEM测量结果以及磁性测量结果,探讨了缺陷对其室温铁磁性能的影响。(a)在对Bi7Fe2.75Co0.25Ti3021材料的界面缺陷和铁磁性分析工作中,发现饱和磁化强度的变化趋势与界面缺陷消失的过程是一致的。界面缺陷会对此材料的铁磁性能产生影响,缺陷浓度的减小会导致饱和磁化强度降低。(b)对Bi7Fe2.9Co0.1Ti3O21材料进行A位铒元素掺杂,发现材料内部缺陷浓度和缺陷类型均发生了变化,材料内部缺陷浓度的变化趋势与饱和磁化强度的变化并不一致,表明缺陷对材料磁性能的作用,不仅与缺陷浓度有关,与缺陷的类型也有很大关系。3.利用正电子湮没寿命谱仪和正电子理论计算,结合XRD、SEM以及磁性测试对纳米材料SrTi03的磁性起源进行了探究。实验结果显示当材料内部缺陷大量减少时磁性消失,表明室温铁磁性的产生与缺陷有很大关系。并且在进一步的探究中我们发现,消失的缺陷中,占主要成分的是Ti空位缺陷,由此可知Ti空位缺陷对SrTi03材料内部的磁性起源起着重要作用。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-04-26）
罗见兵,张鹏,朱特,曹兴忠,张怀强[9]（2018）在《应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究》一文中研究指出铁基合金中的氢致缺陷是造成合金机械性能恶化的重要因素之一。氢对材料中微观组织结构的影响,特别是氢致缺陷微观机理的研究是铁基合金的一个基础研究课题。本文主要应用正电子湮没寿命谱(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy,PALS)和符合多普勒谱(Coincidence Doppler Broadening Spectrum,CDB)方法,研究了不同处理条件的Fe-1.0%Cu合金样品充氢过程中氢致缺陷的形成机制、缺陷类型以及氢与缺陷的相互作用及其微观机理等。结果表明,1 073 K高真空热处理和20%形变后723 K退火处理的样品充氢后会产生少量的位错,而1 173 K高真空淬火样品充氢后还会产生少量的空位团,在充氢过程中空位缺陷成为氢的捕获点,并与氢相互作用成为聚集空位的核心而形成空位团。CDB结果还表明,Cu析出物对本文合金样品的氢致缺陷的形成无明显影响。(本文来源于《核技术》期刊2018年02期）
李楠,祁宁,陈志权,王波[10]（2018）在《正电子湮没寿命测量统计精度研究》一文中研究指出正电子湮没寿命与正电子所在位置的电子密度密切相关,因此能反映材料内部原子尺度的微观结构信息,是研究材料缺陷的灵敏探针。正电子湮没寿命可利用时间符合谱仪进行测量,而寿命谱仪的时间分辨函数一般在200-300 ps之间,因此在实际测量中得到的正电子寿命的精确程度是人们广泛关注的问题。本文通过对几种典型样品进行长时间重复测量,并通过改变谱仪的工作状态,研究了各种因素如谱仪的分辨函数、寿命谱总计数、样品中寿命成分个数及各寿命之间的间隔对所分析出的正电子寿命值的影响。研究发现,在谱仪保持状态稳定的情况下,寿命谱的统计测量计数为100万左右时,对于单晶Si中的单个正电子寿命(218 ps),经过重复测量得到的标准偏差小于0.5 ps。对于存在叁个寿命分量的高分子材料聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)中,其平均寿命的标准偏差也小于1 ps,其中长寿命成分?3(1.83 ns)的标准偏差仅为0.016 ns。研究还表明,谱仪时间分辩函数的大小对正电子寿命测量值的影响很小。我们的结果证明正电子寿命测量具有较高的统计精度,能准确反映材料中微观结构细小的变化。(本文来源于《核技术》期刊2018年01期）
慢正电子湮没论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
关于CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜(SEM)测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb(CaCu_3Ti_(4-x)Al_(0.5x)Nb_(0.5x)O_(12),x=0.2%、0.5%、5.0%)改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
慢正电子湮没论文参考文献
[1].史大琳.铁基合金中微观缺陷的热演化及氢/氦行为的正电子湮没学研究[D].郑州大学.2019
[2].温阿利,朱基亮,范平,马海亮,张乔丽.正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电常数机理[J].原子能科学技术.2019
[3].焦学胜,范平,张乔丽,白若玉,温阿丽.用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应[J].原子能科学技术.2018
[4].姚春龙,朱喆劼,石见见,徐雪慧,吴奕初.纳米氢氧化镁/氧化镁相转变的正电子湮没研究[J].核技术.2018
[5].韩振杰,刘福雁,张鹏,王宝义,曹兴忠.基于起始信号触发判选的正电子湮没寿命测量方法[J].核技术.2018
[6].连相宇.Fe-9Cr合金微观缺陷的电子密度分布及正电子湮没机理研究[D].东华理工大学.2018
[7].罗见兵.Cu-缺陷复合结构的正电子湮没机理研究[D].东华理工大学.2018
[8].葛雯娜.正电子湮没技术对多铁材料铁磁性能与缺陷的研究[D].中国科学技术大学.2018
[9].罗见兵,张鹏,朱特,曹兴忠,张怀强.应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究[J].核技术.2018
[10].李楠,祁宁,陈志权,王波.正电子湮没寿命测量统计精度研究[J].核技术.2018
论文知识图
