磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化

磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化

论文摘要

采用磁控溅射技术沉积了AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜,在400℃以下采用高密度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜和纳米压痕对氮化后薄膜的微观结构、表面形貌以及力学性能进行了分析.结果表明,高熵效应有利于降低氮化温度,最低氮化温度仅为200℃,所有的(AlCrWTaTiNb)N薄膜晶体结构呈现简单的FCC结构,且具有(111)择优取向.随着氮化温度的增加,(AlCrWTaTiNb)N复合薄膜的显微硬度、弹性模量和对应的H3/E2均增大,氮化温度为300℃时,达到最大,随后略微下降.随氮化时间的延长,显微硬度和弹性模量均逐渐增加.

论文目录

  • 0 引言
  • 1 试验
  • 2 试验结果与讨论
  • 3 结语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,张贵锋

    关键词: 多元高熵合金薄膜,低温渗氮,力学性能

    来源: 大连理工大学学报 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 金属学及金属工艺

    单位: 大连理工大学材料科学与工程学院,大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,河南工业大学材料科学与工程学院

    基金: 国家国际科技合作专项(2015DFR60370),航空科学基金资助项目(20153663010)

    分类号: TG139

    页码: 28-34

    总页数: 7

    文件大小: 2493K

    下载量: 374

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