GaN系大功率垂直结构LED芯片性能提升技术研究

GaN系大功率垂直结构LED芯片性能提升技术研究

论文摘要

由于LED产业整体技术进步,LED已经从最初的小功率产品发展到大功率应用,并且大功率LED的需求市场还在持续增长中。基于此背景,本文对GaN系大功率垂直结构LED芯片的性能提升进行了研究。具体采用了一种金属(主成分为Ag)和非金属(主成分为SiO2)组合形成的镜面结构,在这种结构下,芯片的亮度得到有效提升。针对提升原因进行分析,判断亮度提升原因是由于在SiO2与GaN的接触界面上发生了反射以及干涉现象,从而提高了镜面反射率,提升了亮度。

论文目录

  • 1 LED的基本结构及原理
  •   1.1 异质结原理及制作方法
  •   1.2 LED常见结构及特点
  •     1.2.1 正装(水平)结构LED
  •     1.2.2 倒装结构LED
  •     1.2.3 垂直结构LED
  • 2 实验内容
  • 3 实验结果及讨论
  •   3.1 镜面反射率
  •   3.2 不同镜面结构对于LED亮度的影响
  • 4 结语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 杨力勋

    关键词: 大功率,光效,可靠性,反射

    来源: 科技经济导刊 2019年34期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技

    专业: 无机化工,无线电电子学

    单位: 三安光电科技有限公司

    分类号: TQ133.51;TN312.8

    页码: 51+43

    总页数: 2

    文件大小: 1966K

    下载量: 121

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