Cu/SiO2逐层沉积增强无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP量子阱混杂

论文摘要

研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂（QWI）行为。在多量子阱（MQW）外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）不同厚度的SiO2,然后溅射5 nm Cu,在不同温度下进行快速热退火（RTA）诱发量子阱混杂。通过光荧光（PL）谱表征样品在QWI前后的变化。实验结果表明,当RTA温度小于700℃时,PL谱峰值波长只有微移,且变化与其他参数关系不大;当RTA温度大于700℃时,PL谱峰值波长移动与介质层厚度和RTA时间都密切相关,当SiO2厚度为200 nm,退火温度为750℃,时间为200 s时,可获得54.3 nm的最大波长蓝移。该种QWI方法能够诱导InGaAsP MQW带隙移动,QWI效果与InGaAsP MQW中原子互扩散激活能、互扩散原子密度以及在RTA过程中热应力有关。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郭春扬,张瑞英,刘纪湾,王林军

关键词: 多量子阱,量子阱混杂,快速热退火,蓝移

来源: 半导体技术 2019年03期

年度: 2019

分类: 信息科技,基础科学

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 上海大学材料科学与工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

基金: 国家自然科学基金资助项目(51202284),江苏省重点研发计划(产业前瞻与共性关键技术)资助项目(BE2016083)

分类号: O471.1

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.03.005

页码: 189-193

总页数: 5

文件大小: 1333K

下载量: 55

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