导读:本文包含了透明导电薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,透明,柔性,石墨,电极,纳米,微结构。
透明导电薄膜论文文献综述
高松华,高立华,陈礼炜[1]（2019）在《N/Al共掺ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究》一文中研究指出采用射频磁控溅射和退火处理方法在普通玻璃基底上制备了N、Al共掺的ZnO薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、四探针电阻测试仪和紫外-可见光光谱及X射线光电子能谱(XPS)等测试手段,分析了溅射功率对薄膜表面形貌结构及光电性能的影响。研究结果表明:不同溅射功率下所制备的薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构,在可见光范围内,平均透过率都超过了85%;在溅射功率为140W条件下,N、Al共掺的ZnO薄膜显示出p型导电特性。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年06期）
王乐,郭伟玲,王嘉露,杨新,孙捷[2]（2019）在《Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用》一文中研究指出为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm。在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102Ω/,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10~(-4)Ω·cm~2。薄膜的透过率在478 nm时达到了77.3%。使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5 V,在工作电流为20 mA时的工作电压为2.9 V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年10期）
梁虹燕,赵乐,李晓鹏,于仕辉[3]（2019）在《铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备和性能研究》一文中研究指出为寻找替代硬质氧化铟锡的新型柔性透明导电薄膜,采用液相还原法制备了大长径比的铜纳米线,并利用喷涂法实现铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪对形貌和相结构进行了分析,并用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对铜纳米线柔性透明导电薄膜的电学性能和光学性能进行了表征测试。结果表明,铜纳米线直径约为40 nm,长度为10～20μm,具有高长径比、分散性好、形貌规整的特点。同时,铜纳米线薄膜的电学和光学性能优异,方阻约为100Ω/,在550 nm处的光透射率为82%左右。该薄膜还具有较好的温度稳定性,耐温可达110℃,且其方阻在不同弯折程度下变化不大,具有良好的抗弯折性,可用于柔性可穿戴电子产品。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年09期）
周凌云,赖宇明[4]（2019）在《柔性透明导电薄膜技术进展研究及对深圳产业发展建议》一文中研究指出0引言透明导电薄膜是一种兼具良好导电性、高光学透过率的薄膜,其在触控屏、显示器、太阳能电池等领域都有巨大的市场需求。近年来,柔性电子组件蓬勃发展,柔性透明导电薄膜因具有可折迭、重量轻、不易碎、便于运输等优点,可广泛应用于光电领域,而成为近年来透明导电薄膜研究的新方向。1柔性透明导电薄膜研究进展光电产业对透明导电薄膜的开发与市场需求一直在不断增长,在现有触摸屏市场,主流的透明导电薄(本文来源于《广东科技》期刊2019年08期）
王可,杨星,杜得喜,李志凌,谢辉[5]（2019）在《还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响（英文）》一文中研究指出纳米银线和还原氧化石墨烯为导电相,混合纤维素膜为基底,采用真空抽滤法制备了柔性透明导电薄膜。研究了还原氧化石墨烯对柔性透明导电薄膜的光电及机械性能的影响。结果表明,随着还原氧化石墨烯含量的增加,导电薄膜的透过率变化不大,但薄膜的方阻逐渐下降。通过胶带测试200次原位监控方阻变化以及弯曲疲劳200次测试原位监控方阻变化,研究纳米银线和石墨烯导电相在混合纤维素膜表面的附着力和薄膜的弯曲疲劳特性。结果表明,经过200次的胶带测试,薄膜的方阻几乎没有改变。弯曲测试结果表明,薄膜方阻约有3%的改变,说明薄膜具有良好的稳定性。分析认为,纳米银线-石墨烯复合薄膜具有良好的稳定性与纳米银线和石墨烯埋在混合纤维素膜表面有关。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年07期）
黄洁,段蕾蕾,吴俊美,惠贞贞[6]（2019）在《溶液法制备Zn_(1-x)Fe_xO透明导电薄膜及其性能研究》一文中研究指出目的:以六方纤锌矿结构的ZnO基薄膜作为室温光电材料,目的是降低薄膜的电阻率,并提高其光学透过率及薄膜结晶质量。方法:采用化学溶液沉积法制备性能优异的Zn_(1-x)Fe_xO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜样品的微结构及形貌进行表征,并通过物性测量系统和紫外-可见-近红外分光光谱仪对薄膜的电学及光学性能进行测量和分析。结果:发现Fe掺杂ZnO薄膜的颗粒尺寸比未掺杂的薄膜小;当掺杂浓度为1%时,薄膜具有最小的室温电阻率;当Fe含量低于1%时,薄膜的光学带隙随掺杂浓度的增加而增大,但是当掺杂浓度进一步增加时,光学带隙趋于饱和。结论:通过对ZnO薄膜的n型掺杂,进一步引入施主缺陷,使薄膜的电导率和光学透过率可进一步提高,从而实现性能优异ZnO薄膜的稳定可控制备。(本文来源于《安徽科技学院学报》期刊2019年04期）
王作智,张剑锋,张志坤,汪伟,刘兆平[7]（2019）在《基于石墨烯透明导电薄膜的OLED研究进展》一文中研究指出作为透明导电薄膜材料,石墨烯(Graphene)因具有十分优异的力学、光学和电学特性,在未来的柔性光电器件如触摸屏、有机发光二极管(OLED)和有机光伏电池(OPV)中表现出极大的发展潜力和广阔的应用前景。然而,受面电阻大、功函数不匹配以及表面粗糙度等关键因素的影响,基于本征石墨烯薄膜的光电器件的性能较低、稳定性较差,严重阻碍了石墨烯薄膜在柔性光电器件中的发展和应用。主要针对近年来石墨烯透明导电薄膜在OLED中应用的研究进展进行概述,并总结得出可以通过石墨烯薄膜掺杂、表面功函数修饰、清洁无损转移,以及器件结构优化等方法,进一步提高器件的性能。最后分析了石墨烯透明导电薄膜在OLED器件应用中的关键技术瓶颈,并对石墨烯透明导电薄膜在OLED中的应用前景进行了展望。(本文来源于《表面技术》期刊2019年06期）
张锐,刘汉东,周奕华,钱俊,廖宇[8]（2019）在《还原氧化石墨烯基纳米银线透明导电薄膜研究进展》一文中研究指出透明导电薄膜已广泛应用于印刷电子领域,传统的透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)因其高脆性低柔韧性而不能满足高速发展的柔性电子行业;纳米银线(AgNWs)和石墨烯均具有良好光学性能、导电性能以及机械性能,使其能成为制备透明导电薄膜的理想材料。综述了近年来还原氧化石墨烯(rGO)基AgNWs透明导电薄膜的研究进展。介绍了柔性导电薄膜的关键参数及rGO/AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺;归纳了影响rGO/AgNWs透明导电薄膜光电性能的主要因素和相关研究;阐述了rGO/AgNWs透明导电薄膜在印刷电子领域的应用现状,并展望了rGO/AgNWs透明导电薄膜的未来发展趋势。(本文来源于《包装学报》期刊2019年02期）
罗劲松[9]（2019）在《新型氟化物掺杂ZnO透明导电薄膜与Al_2O_3透明介质薄膜的研究》一文中研究指出随着光电子产业的日益发展,透明导电氧化物(TCO)薄膜作为透明电极材料在电致发光器件、太阳能电池、透明薄膜晶体管以及平板显示中广泛的应用,已经成为当前研究的热点。氧化铟锡(ITO)作为商业最为普遍使用的透明导电薄膜,尽管其具有高导电性和高透射率的光学性能,但是其昂贵的原材料和地球上较少的资源限制了其未来的应用。同时,光电子技术的不断发展对柔性显示中的透明电极的性能提出了更高的要求。上述情况引起了人们对ITO替代物研究的关注和重视。作为一种宽带隙半导体金属氧化物,ZnO薄膜由于原材料廉价和储量丰富,无毒害,易于弯折可用于柔性衬底,并且具有通过掺杂实现高透射率和低电阻的特性,是一种很有前途的TCO薄膜材料。单元素掺杂或合金化可以有效地提高TCO薄膜的导电性,但这也会导致晶格畸变,从而降低TCO薄膜的晶体颗粒结晶性能。为解决这个问题,可考虑采用两种互补离子共掺,以抑制单一取代所产生的晶格畸变效应。二元共掺杂可以补偿原离子和取代离子之间的离子半径差异,提高ZnO透明导电薄膜的电子迁移率。有机薄膜晶体管(OTFTs)因其在数字电路、射频识别标签和平板显示器驱动电路等领域的广泛应用而备受关注,而透明有机薄膜晶体管在透明电子设备和平视显示器等应用方面更加具有额外的优势。透明有机薄膜晶体管一般使用有机料作为介电层和有源层,但有机介电材料介电性能较差。氧化铝薄膜是一种潜在的高k值栅介电层材料,同时还具有防磨损和抗腐蚀的特性,因而在光学、微电子学、电子学、光通信和催化等领域有着重要的应用。因此可以考虑使用氧化铝薄膜作为透明有机薄膜晶体管栅绝缘层以增强介电材料的介电性。传统的氧化铝薄膜制备工艺方法,不仅制备工艺复杂,而且设备昂贵,如磁控溅射和原子层沉积方法等,而铝薄膜热氧化方法,对设备和工艺要求简单,并且铝薄膜的制备工艺已经非常成熟,因此经过热氧化处理铝薄膜得到透明氧化铝介质薄膜是一个很有意义的方法,也具备良好的应用前景。为了能制备出有效、厚度可控且光滑致密的热氧化铝薄膜,首要的工作是需要对纳米晶铝薄膜的氧化动力学及其规律开展研究,确定氧化铝薄膜特性与热氧化温度、保温时间和升温速率间的关系,获得制备Al_2O_3透明介质薄膜的最佳工艺条件。本论文做了两个方面的工作,一是通过EuF_3和HoF_3分别对ZnO做了二元掺杂的研究,另一个是通过铝薄膜热氧化方法制备氧化铝薄膜,并研究了纳米晶铝超薄薄膜的氧化动力学。取得的主要研究成果如下:1.通过离子源辅助电子束蒸发方法制备了一种新N型Eu和F共掺杂ZnO透明导电薄膜。研究了Eu和F不同掺杂原子浓度对EFZO薄膜光电特性的影响,实现了大半径的Eu~(3+)和小半径F~-分别对Zn~(2+)和O~(2-)的替位取代,降低了晶格畸变,同时,F~-在填补氧空位缺陷方面也起着重要作用。优化的EFZO薄膜具有平均可见光透射率为82.9%,电阻率为5.7×10~(-4)Ω?cm,对应的载流子密度为1.86×10~200 cm~(-3),迁移率为58.8 cm~2/V?s。此外,还对EFZO作为透明电极在OLED和QLED中的实际性能进行了评价。EFZO作为阳极的OLED中,具有最大EQE为20.9%,与ITO作为阳极器件的目前技术水平的结果相当。EFZO作为阴极的倒置结构QLED中,得到了最大电流效率为21.6 cd/A,最大亮度为128000 cd/m~2。在OLED和QLED中良好的电致发光(EL)性能,表明EFZO电极具有高效的空穴和电子注入能力,是低成本和高性能TCO薄膜的理想选择。2.使用离子源辅助电子束蒸发法制备了一种新N型HoF_3掺杂ZnO透明导电薄膜,结果表明,Ho对Zn和F对O两种形式的取代可以同时导致电子浓度的增加,改善了迁移率。Ho:Zn=3.5 at%掺杂薄膜,具有方块电阻约为65Ω/sq,电阻率达到9.37×10~(-4)Ω?cm,霍尔迁移率和载流子浓度分别约为47.89 cm~2/Vs和1.39×10~200 cm~(-3)。薄膜的功函数值约为5.069 eV,在可见光区域的平均透过率大于85%。对HoF_3掺杂的ZnO薄膜分别在空气和真空中退火处理,加热温度从100℃到500℃。分析了退火温度对HoF_3:ZnO薄膜的导电和光学性能的影响,真空和空气中的热退火表明,HoF_3掺杂的ZnO薄膜具有良好的热稳定性。为了评价HoF_3掺杂ZnO薄膜的实际应用价值,用HoF_3掺杂ZnO薄膜为阳极,制备了全无机钙钛矿发光器件(PeLEDs),获得了5.44%的最大的外部量子效率(EQE)值,此时的亮度为34680 cd/m~2。HoF_3掺杂ZnO是一种有前途的阳极,有利于载流子注入,在显示器件中有潜在的应用价值。3.对超薄纳米晶铝薄膜的氧化动力学进行了研究。观察了热氧化过程中,结构和成分变化的影响。探讨了氧化激活能随氧化温度升高而变化的原因。铝氧化的激活能,热处理温度在400-500℃下,为8.33±0.718 kJ/mol,热处理温度在500-600℃下,为-7.14±0.67 kJ/mol。研究发现,空气中400-600℃下纳米晶铝薄膜的氧化动力学遵循对数规律,该对数氧化速率规律与晶界和缺陷扩散有关。对于低温氧化,铝薄膜的氧化激活能是正的和较低的,但在较高的温度下,激活能明显变为负值。在较高温度范围内,氧化激活能变负实际上是一种表观现象,它本质上源自γ-Al_2O_3晶相形成导致的扩散路径的减少。4.通过真空热蒸发方法制备铝薄膜,然后在空气中对铝薄膜进行不同温度退火处理,制备氧化铝透明薄膜。采用AFM、XRD、SEM、EDS等方法研究了不同退火温度对薄膜的形貌和结构的影响。结果表明,薄膜的表面粗糙度、厚度、晶体界面性质和掺杂剂等都会影响氧化过程。铝薄膜的光学和结构特性表明,存在一个临界温度500℃,超过这个温度形成γ-Al_2O_3透明薄膜。研究了薄膜在500℃下不同时间保温退火处理,发现经过9小时保温退火处理,薄膜透射率在90%以上,表明铝薄膜热氧化可以实现高透射率。本研究结果表明,通过铝薄膜热氧化方法可制备光透过率高、厚度可控且光滑致密的透明氧化铝薄膜。此外,因其具有较低的表面粗糙度,说明该方法制备的氧化铝薄膜具有用作场效应晶体管栅绝缘层的潜力。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
董文杰[10]（2019）在《基于新型无铟透明导电薄膜的柔性电致变色多功能器件研究》一文中研究指出电致变色(EC)是指在外加电场作用下,伴随着离子的注入与脱出,材料或器件的光学性能和颜色发生可逆变化的现象。电致变色具有很多优势,如色彩变化丰富、反应速度快、对比度高、双稳态、能耗低、无视盲角等,更重要的是电致变色的变色状态可由用户根据环境条件和自我喜好简单调控。因此在智能窗、汽车后视镜、显示等领域具有广阔的应用前景。在柔性和功能集成成为发展趋势的当下,高性能的柔性电致变色多功能器件的开发也愈加引人注目。然而传统的电致变色器件为透明导电层/电致变色层/离子传输层(电解液层)/离子存储层(或电致变色层)/透明导电层的层状结构,器件的制备需要层层组装,这不仅增加了制造成本,产生的多个界面层结合也难以控制,有可能会阻碍离子传输并影响器件的综合性能。此外,柔性开发的关键在于柔性透明电极的开发,然而目前最常用的透明电极是ITO电极,其存在的In元素稀缺、脆性大、制备复杂带来的高成本问题均妨碍着其在柔性电致变色器件中的应用。最后,综合性能优异且容易制备的功能性材料也依然缺乏。针对以上叁个问题,本文设计了介质-金属-介质(DMD)结构薄膜,采用可室温条件制备的电子束沉积制备方法,利用调控电子转移和离子迁移过程,以WO_3、MoO_3和NiO材料为研究对象,通过掺杂的手段提升材料性能,主要研究内容与结果如下:(1)从调控电子转移和DMD结构构筑入手,提出将过渡金属掺杂体系(WO_3与MoO_3)用作DMD结构的介质层,获得了综合性能提高的刚性与柔性的无铟透明导电与电致变色双功能薄膜,并探究了不同掺杂浓度对薄膜结构与性能的影响。最优掺杂比例薄膜在可见光区的平均透过率达到77.4%,面电阻低至9.4Ω□~(-1),并呈现了很强的宽光谱调制能力。其响应时间加快至2.7/4.1 s,着色效率提高至70.0 cm~2 C~(-1),并表现出不错的长程循环稳定性。当其用作柔性薄膜,仍然具有杰出的机械稳定性和电化学稳定性。其性能提高的机制在于薄膜内增加的价间电荷转移路径和快速的电荷转移和离子扩散动力学,本质在于界面处的能带弯曲。该工作为MoO_3和WO_3材料电致变色性能的改进提供了一种有效地可选择途径,且该方法制备简单,界面可控,还可以扩展至其他材料体系以调节光电性能。(2)从增强离子迁移和DMD结构入手,提出将预掺杂的LiF/WO_3用作介质层材料制备了综合性能提升的无铟双功能薄膜,薄膜的电致变色响应波段可通过掺杂含量的变化进行调控,并一定程度上缓解了离子―俘获‖现象,促使薄膜着色后完全恢复到透明态。该薄膜具有优异的光电性能和电致变色性能,其在可见光区域的平均透过率达到80.1%,面电阻低至7.9Ω□~(-1),光学对比度达到38.4%,着色效率提升至157.3 cm~2 C~(-1),响应时间最快达到3.9/3.1 s,并表现出优异的弯折稳定性。其性能的提高在于良好的界面结合,低内阻,高电化学活性以及快速的电荷传输和离子扩散。该工作表明了离子掺杂是提高电致变色性能的有效手段。(3)首次制备了透明导电、电致变色和能量存储叁功能NiO/Ag/NiO(NAN)薄膜,证明了双功能工作体系的拓展性,该研究为功能集成提供了一种简单有效的方法,并提供了通过视觉上的颜色变化直接监控能量存储状态人机交互新体验。薄膜的透过率超过了70%,面电阻仅为8.0Ω□~(-1),同时具有可与纳米结构薄膜相比拟的出色的电致变色稳定性和电化学性能,包括NiO材料中最高的着色效率76.6 cm~2 C~(-1),高质量比电容364.0 F g~(-1)@2 A g~(-1),极好的倍率性能和800次循环后性能基本保持不变。这些有益的性能得益于高导电性、良好的界面结合和快速的电化学反应机制。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
透明导电薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm。在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102Ω/,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10~(-4)Ω·cm~2。薄膜的透过率在478 nm时达到了77.3%。使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5 V,在工作电流为20 mA时的工作电压为2.9 V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
透明导电薄膜论文参考文献
[1].高松华,高立华,陈礼炜.N/Al共掺ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究[J].半导体光电.2019
[2].王乐,郭伟玲,王嘉露,杨新,孙捷.Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用[J].半导体技术.2019
[3].梁虹燕,赵乐,李晓鹏,于仕辉.铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备和性能研究[J].电子元件与材料.2019
[4].周凌云,赖宇明.柔性透明导电薄膜技术进展研究及对深圳产业发展建议[J].广东科技.2019
[5].王可,杨星,杜得喜,李志凌,谢辉.还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响（英文）[J].稀有金属材料与工程.2019
[6].黄洁,段蕾蕾,吴俊美,惠贞贞.溶液法制备Zn_(1-x)Fe_xO透明导电薄膜及其性能研究[J].安徽科技学院学报.2019
[7].王作智,张剑锋,张志坤,汪伟,刘兆平.基于石墨烯透明导电薄膜的OLED研究进展[J].表面技术.2019
[8].张锐,刘汉东,周奕华,钱俊,廖宇.还原氧化石墨烯基纳米银线透明导电薄膜研究进展[J].包装学报.2019
[9].罗劲松.新型氟化物掺杂ZnO透明导电薄膜与Al_2O_3透明介质薄膜的研究[D].吉林大学.2019
[10].董文杰.基于新型无铟透明导电薄膜的柔性电致变色多功能器件研究[D].中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所).2019
论文知识图
