导读:本文包含了类氢杂质论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:杂质,量子,子环,结合能,施主,系数,变分法。
类氢杂质论文文献综述
肖心举,纪登辉,王立威,龙建松[1]（2016）在《无限深抛物线势量子线中类氢杂质束缚能的级数解法》一文中研究指出量子线中类氢杂质束缚能的计算方法有很多,本文利用分离变数法将类氢杂质的定态薛定谔方程分离成两个分别与角度和距离有关的二阶常微分方程。再利用二阶常微分方程在正则奇点邻域内的级数解原理,解类氢杂质的波函数,从而求出类氢杂质的束缚能。通过对具体材料的数值计算,结果与其他文献的报道基本吻合,说明该级数解法可行。(本文来源于《科技展望》期刊2016年25期）
张仲敏[2]（2016）在《量子阱、量子点中非线性光学特性及类氢杂质状态的研究》一文中研究指出随着纳米科技的发展,诸如量子阱、量子点、电子线、量子盘和超晶格等低维半导体材料先后被制备出来。由于系统束缚能的大大增强,这种纳米材料往往会产生与普通材料很大区别的物理和化学现象,而这些物理与化学现象中最令科研工作组关注的莫过于光学与电学现象了。通过研究这些光学和电学现象我们可以制备出应用在例如国防、医疗、遥感、通信及存储等领域的新一代器件。本文主要研究了量子阱、量子点中非线性光学特性及类氢杂质状态。在有效质量近似下,通过求解薛定谔方程,我们得出了系统势能的电子波函数及能级。对于非线性光学特性,我们通过密度矩阵理论和迭代法推导出了叁次谐波、光学吸收系数和折射率改变的表达式,然后对计算结果进行分析与讨论。对于类氢杂质状态,我们在得出电子波函数和电子能级的前提下通过设置一个合理的试探波函数,然后通过变分理论求得杂质结合能的表达式,进而对影响杂质结合能的因素进行分析与讨论。本文主要分为六章进行阐述。第一章,绪论。这一章主要简单介绍了低维纳米材料的的发展历程、研究背景及意义,并对研究方法和内容进行阐述。第二章,我们在正切平方势能量子阱的模型下,计算了U_0和d对光学吸收系数的影响。在有效质量近似下,通过求解正切平方势的薛定谔方程,得出对应电子波函数及能级,然后对叁次谐波系数表达式利用密度矩阵理论和迭代理论进行推导。计算结果表明:当改变U_0和d的大小时,叁次谐波顶点值的大小会出现变化,并且会出现明显的蓝移和红移现象。第叁章,为了研究杂质对光学吸收系数及折射率改变的影响,我们在本章中计算了杂质对光学吸收系数及折射率改变的影响,在计算过程中我们主要采取变分法对含类氢杂质系统薛定谔方程进行求解,然后通过迭代法及密度矩阵理论对光学吸收系数及折射率改变进行推导。结果表明,光学吸收系数和折射率改变与杂质的存在与否、杂质的位置、d、入射光光强有很大的关系,因此,我们在做理论和实验研究时,要将杂质的影响考虑在内。另外,当入射光强很大时,我们不能忽略叁阶非线性吸收系数和叁阶非线性折射率改变。第四章,研究了对称叁角势量子点中的类氢杂质状态。同样地,我们在电子有效质量近似的条件下求解出了系统的薛定谔方程,然后采用了合理的试探波函数,运用变分法计算了d、V_0、压力P、温度T和杂质位置对系统中杂质结合能的影响。我们发现在此系统中,当d和T增大时,杂质结合能减小,然而当V_0和P增大时,杂质结合能也会随之增大。另外,当杂质靠近系统中间时,杂质结合能逐渐增大并且在杂质处于中心位置时,杂质结合能取得一个最大值。第五章,我们对正切平方势量子点中的杂质结合能进行了详细论述,同理,我们也是先求解系统的薛定谔方程,然后通过变分理论进行计算。这里,我们主要考虑d、U_0、压力P和杂质位置对杂质结合能的影响。对所得的计算结果进行详细的讨论和分析之后,我们得出如下结论:当d增大或U_0减小时再或者P减小时,杂质结合能呈现减小趋势。另外,杂质的位置变化也在杂质结合能的变化扮演着重要角色。第六章,对本文内容及结论进行总结概括,指出了不足并对下一步工作方向作出了展望。(本文来源于《广州大学》期刊2016-06-01）
郑文礼,李树深,王雪峰[3]（2013）在《有限深抛物势量子环类氢杂质能级》一文中研究指出在有效质量近似下,用微扰法研究InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级.受限势采用有限深抛物型势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的解析解计算.数值结果显示:在抛物势平台区,类氢杂质能级不随电子径向坐标改变,并具有二维氢原子能级的特征;在有限深抛物势区,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距;简并能级发生分裂并且间距随半径增大而增大,第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.本文结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有指导意义.(本文来源于《计算物理》期刊2013年03期）
张红,熊红彦,谷洪彬[4]（2012）在《自组装耦合量子点中的类氢杂质》一文中研究指出在有效质量近似下,采用有限差分的方法研究了自组装耦合量子点中类氢杂质的结合能随量子点结构参数(量子点尺寸和量子点间距)和杂质位置的变化规律,并计算了外加磁场对此规律的影响。结果表明:杂质结合能随着结构的变化呈现出复杂的变化趋势;杂质位于其中一个量子点的中心位置时,体系的结合能最强;外加磁场将提高杂质的结合能,但量子点结构和杂质位置不同其影响也不同。(本文来源于《河北工程大学学报(自然科学版)》期刊2012年02期）
朱艳萍[5]（2012）在《激光对闪锌矿氮化物量子阱中类氢杂质的影响》一文中研究指出自从1996年第一次研制出GaN蓝光激光器以来，以GaN及其合金为基础的量子阱、超晶格、应变复合材料将半导体材料的发展带到了一个全新的领域，在这类材料的推动下，量子阱激光器、高速二维电子器件和光电集成器件等得到了很好的发展。本论文在有效质量近似理论下，运用变分法分别计算了闪锌矿结构GaN/AIGaN量子阱中类氢杂质态的激光场的基态施主束缚能效应和闪锌矿结构GaN/AIGaN量子阱中类氢杂质态的激光场和外加电场的竞争效应的施主束缚能；另外，还计算了半导体闪锌矿结构InGaN/GaN步阶阱中类氢杂质态的电场和步阶束缚能的竞争效应。首先，计算了闪锌矿结构GaN/AIGaN量子阱中类氢杂质态的激光场的基态施主束缚能效应。结果表明束缚能取决于量子阱的结构参数和铝含量；本论文还研究了激光场和量子束缚对杂质态的竞争效应，这些性质在本论文中分析了相关的物理原因。当杂质位于阱宽比较窄，铝含量比较低的量子阱中时，激光场对杂质态束缚能的影响更显着。当杂质位于闪锌矿GaN/AIGaN量子阱边缘时，铝含量，阱宽和激光场强度的变化对束缚能的影响比较小。其次，计算了闪锌矿GaN/AIGaN量子阱中类氢杂质态的激光场和外加电场的竞争效应的束缚能。结果表明无论激光场存在与否，由于电场的存在，都可以使施主束缚能不再关于量子阱中心成对称性分布。当激光场强度比较弱时，电场对施主束缚能的影响就比较强；随着激光场强度的增强，电场对施主束缚能的影响也越来越显着。最后，计算了半导体步阶阱中类氢杂质态的电场和步阶束缚能的竞争效应。计算结果表明在步阶阱中，电子和杂质态很大程度上依赖于电场强度和步阶垒的高度。在步阶阱中加上匀强电场将导致施主束缚能的不对称性分布。当所加电场方向与步阶垒生长方向相反时，无论杂质位于步阶阱中任何位置，步阶阱深度如何，电场对杂质态施主束缚能都有着非常大的影响。然而，当所加电场方向与步阶垒生长方向相同时，无论杂质位置和步阶阱深度是怎样的，电场对杂质态施主束缚能的影响都比较小。总之，在有效质量近似理论下，运用变分法分别探究了在考虑不同杂质位置，结构参数(阱宽L和铝含量)，激光参数α0的情况下，分别计算了在闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中的施主束缚能；也计算了在施加外电场的情况下闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中的施主束缚能；最后，还通过特殊的闪锌矿InGaN/GaN步阶阱为例，在理论上探讨了半导体步阶阱中的类氢杂质态的外加电场和步阶垒的效应。但需要指出的是关于类氢杂质态施加电场仍然缺少实验验证，本论文所取得的主要成果可能适用于其它基于半导体材料的闪锌矿结构量子阱。希望这些计算结果，能够进一步激发对物理和器件应用的研究。(本文来源于《河南师范大学》期刊2012-05-01）
蒋逢春,苏玉玲,李俊玉[6]（2012）在《量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响》一文中研究指出在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的施主束缚能在很大程度上依赖于杂质位置和量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大;当量子点尺寸增加时,位于该量子点任一位置处的杂质束缚能均降低.(本文来源于《郑州轻工业学院学报(自然科学版)》期刊2012年02期）
惠萍[7]（2011）在《磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响》一文中研究指出利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,ml——r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r00随着B的增加而减小,随着m增大而增大.能级随着谐振子势ωh的增大而增大.不同能级曲线Enr,ml——ωh出现交叉现象.当量子环较大时,Enr,ml——B曲线.随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象.(本文来源于《广东第二师范学院学报》期刊2011年05期）
张立[8]（2011）在《准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性》一文中研究指出考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体系的杂质结合能达到190meV,是相同尺寸GaAs-基量子线中相应值的2.5倍。这一结果与最近GaN纳米线杂质态的实验测量相当符合。计算发现,采用双参数变分波函数描述准一维GaN纳米线体系各向异性是有必要的,尤其是当纳米线尺寸较小时。讨论了杂质的位置对结合能、杂质基态能量以及变分参数的影响,并对这些观察背后的深刻物理现象进行了分析。(本文来源于《功能材料》期刊2011年S4期）
楚兴丽,王艳文[9]（2011）在《闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态》一文中研究指出在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2011年04期）
惠萍[10]（2011）在《类氢杂质InAs量子环的基态和激发态能级》一文中研究指出利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为常数E0,0=-4.98meV;当r0=0时,且无类氢杂质时,计算结果和精确的理论计算结果完全一致;当量子环较小时,杂质的库仑势对量子环的能量曲线Enr,m——r0影响较大;当量子环较大时,杂质的库仑势对量子环的能量的影响越来越小,库仑项可以近似地作为微扰项来处理.抛物禁闭关联势-μω02rr0对量子环的能量起关键作用,绝对不可能作为微扰项处理.量子环的基态和激发态随着抛物势ω的增加而增大.保持径向量子数nr不变,小量子环的能级随着角量子数|m|不同而明显分开,简并被破坏;当量子环变大时,基态和激发态的能级都趋于简并.(本文来源于《广东第二师范学院学报》期刊2011年03期）
类氢杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着纳米科技的发展,诸如量子阱、量子点、电子线、量子盘和超晶格等低维半导体材料先后被制备出来。由于系统束缚能的大大增强,这种纳米材料往往会产生与普通材料很大区别的物理和化学现象,而这些物理与化学现象中最令科研工作组关注的莫过于光学与电学现象了。通过研究这些光学和电学现象我们可以制备出应用在例如国防、医疗、遥感、通信及存储等领域的新一代器件。本文主要研究了量子阱、量子点中非线性光学特性及类氢杂质状态。在有效质量近似下,通过求解薛定谔方程,我们得出了系统势能的电子波函数及能级。对于非线性光学特性,我们通过密度矩阵理论和迭代法推导出了叁次谐波、光学吸收系数和折射率改变的表达式,然后对计算结果进行分析与讨论。对于类氢杂质状态,我们在得出电子波函数和电子能级的前提下通过设置一个合理的试探波函数,然后通过变分理论求得杂质结合能的表达式,进而对影响杂质结合能的因素进行分析与讨论。本文主要分为六章进行阐述。第一章,绪论。这一章主要简单介绍了低维纳米材料的的发展历程、研究背景及意义,并对研究方法和内容进行阐述。第二章,我们在正切平方势能量子阱的模型下,计算了U_0和d对光学吸收系数的影响。在有效质量近似下,通过求解正切平方势的薛定谔方程,得出对应电子波函数及能级,然后对叁次谐波系数表达式利用密度矩阵理论和迭代理论进行推导。计算结果表明:当改变U_0和d的大小时,叁次谐波顶点值的大小会出现变化,并且会出现明显的蓝移和红移现象。第叁章,为了研究杂质对光学吸收系数及折射率改变的影响,我们在本章中计算了杂质对光学吸收系数及折射率改变的影响,在计算过程中我们主要采取变分法对含类氢杂质系统薛定谔方程进行求解,然后通过迭代法及密度矩阵理论对光学吸收系数及折射率改变进行推导。结果表明,光学吸收系数和折射率改变与杂质的存在与否、杂质的位置、d、入射光光强有很大的关系,因此,我们在做理论和实验研究时,要将杂质的影响考虑在内。另外,当入射光强很大时,我们不能忽略叁阶非线性吸收系数和叁阶非线性折射率改变。第四章,研究了对称叁角势量子点中的类氢杂质状态。同样地,我们在电子有效质量近似的条件下求解出了系统的薛定谔方程,然后采用了合理的试探波函数,运用变分法计算了d、V_0、压力P、温度T和杂质位置对系统中杂质结合能的影响。我们发现在此系统中,当d和T增大时,杂质结合能减小,然而当V_0和P增大时,杂质结合能也会随之增大。另外,当杂质靠近系统中间时,杂质结合能逐渐增大并且在杂质处于中心位置时,杂质结合能取得一个最大值。第五章,我们对正切平方势量子点中的杂质结合能进行了详细论述,同理,我们也是先求解系统的薛定谔方程,然后通过变分理论进行计算。这里,我们主要考虑d、U_0、压力P和杂质位置对杂质结合能的影响。对所得的计算结果进行详细的讨论和分析之后,我们得出如下结论:当d增大或U_0减小时再或者P减小时,杂质结合能呈现减小趋势。另外,杂质的位置变化也在杂质结合能的变化扮演着重要角色。第六章,对本文内容及结论进行总结概括,指出了不足并对下一步工作方向作出了展望。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
类氢杂质论文参考文献
[1].肖心举,纪登辉,王立威,龙建松.无限深抛物线势量子线中类氢杂质束缚能的级数解法[J].科技展望.2016
[2].张仲敏.量子阱、量子点中非线性光学特性及类氢杂质状态的研究[D].广州大学.2016
[3].郑文礼,李树深,王雪峰.有限深抛物势量子环类氢杂质能级[J].计算物理.2013
[4].张红,熊红彦,谷洪彬.自组装耦合量子点中的类氢杂质[J].河北工程大学学报(自然科学版).2012
[5].朱艳萍.激光对闪锌矿氮化物量子阱中类氢杂质的影响[D].河南师范大学.2012
[6].蒋逢春,苏玉玲,李俊玉.量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响[J].郑州轻工业学院学报(自然科学版).2012
[7].惠萍.磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响[J].广东第二师范学院学报.2011
[8].张立.准一维GaN纳米线中类氢杂质态光学特性[J].功能材料.2011
[9].楚兴丽,王艳文.闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态[J].河南师范大学学报(自然科学版).2011
[10].惠萍.类氢杂质InAs量子环的基态和激发态能级[J].广东第二师范学院学报.2011
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