导读:本文包含了原生微缺陷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:缺陷,形貌,组态,显微镜,晶体,原子,不同类型。
原生微缺陷论文文献综述
郝秋艳,乔治,张建峰,任丙彦,李养贤[1]（2004）在《快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响》一文中研究指出本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar叁种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显着降低硅片表面的FPDs。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2004年05期）
麦振洪,崔树范,傅全贵,林汝淦,张金福[2]（1984）在《不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察》一文中研究指出一、前 言 无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响着大规模集成电路的性能,已引起许多学者的关注和兴趣[1-3],由于微缺陷的应力场很小,目前对直拉硅单晶中微缺陷的观察,主要采用择尤化学腐蚀法、缀饰X射线形貌术、EBIC模式扫描电子显微术、透射电子显微术等.但上(本文来源于《物理》期刊1984年07期）
何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英[3]（1983）在《原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究》一文中研究指出本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×10~(15)cm~(-3)时,微缺陷才出现.从微观完整性言,Si是GaAs的N型掺杂剂中较好的一种.(本文来源于《半导体学报》期刊1983年06期）
麦振洪,崔树范,傅全贵,林汝淦,张金福[4]（1983）在《直拉硅单晶原生微缺陷的观察》一文中研究指出对沿<100>方向生长的p型和沿<111>方向生长的n型宏观无位错直拉硅单晶,用铜缀饰X射线形貌术和腐蚀法观察到两种不同类型的微缺陷,对n型硅单晶还观察到一种特殊组态的微缺陷。对观察到的微缺陷的分布、组态进行了初步的分析。 本文首次采用X射线透射投影和截面形貌术对硅单晶原生微缺陷进行直接观察,获得了相应的微缺陷图。所观察到的微缺陷的组态、尺度、分布等与铜缀饰X射线透射形貌图所示结果一致。(本文来源于《物理学报》期刊1983年05期）
原生微缺陷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
一、前 言 无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响着大规模集成电路的性能,已引起许多学者的关注和兴趣[1-3],由于微缺陷的应力场很小,目前对直拉硅单晶中微缺陷的观察,主要采用择尤化学腐蚀法、缀饰X射线形貌术、EBIC模式扫描电子显微术、透射电子显微术等.但上
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
原生微缺陷论文参考文献
[1].郝秋艳,乔治,张建峰,任丙彦,李养贤.快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响[J].人工晶体学报.2004
[2].麦振洪,崔树范,傅全贵,林汝淦,张金福.不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察[J].物理.1984
[3].何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英.原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究[J].半导体学报.1983
[4].麦振洪,崔树范,傅全贵,林汝淦,张金福.直拉硅单晶原生微缺陷的观察[J].物理学报.1983
论文知识图
