论文摘要
二维材料和自旋电子学已经成为当今电子学的研究热点之一。文中基于第一性原理计算方法,对Mn掺杂的单层MoS2,MoSe2,MoTe2和单层WS2的电磁学特性进行研究。结合态密度和自旋电荷密度的分析,发现由于局域Mn自旋和硫族原子的离域p自旋之间的反铁磁交换作用,Mn分别替位掺杂在Mo和W位置上会产生长程铁磁序。同时对其他过渡金属掺杂的二维硫化物的磁序进行了研究,发现过渡金属替位掺杂只存在铁磁交换作用,且无法产生长程的铁磁序。文中的研究成果预示了锰掺杂二维二硫族化物作为二维稀磁半导体的潜力,可以为相关研究提供理论支撑。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 卿晓梅,镇思琦
关键词: 锰掺杂二维二硫族化物,第一性原理,电磁学特性,分子建模,自旋电荷密度,磁序研究
来源: 现代电子技术 2019年24期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 物理学,化学
单位: 南通理工学院
基金: 国家自然科学基金(11447229)~~
分类号: O441;O641.1
DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2019.24.008
页码: 34-37
总页数: 4
文件大小: 1650K
下载量: 114
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标签：锰掺杂二维二硫族化物论文; 第一性原理论文; 电磁学特性论文; 分子建模论文; 自旋电荷密度论文; 磁序研究论文;