有效迁移率论文_冯志宏,王超,孙崇玲,张代化,陈雪娇

导读:本文包含了有效迁移率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:载流子,晶体管,沟道,磁阻,晶粒,特性,氮化。

有效迁移率论文文献综述

冯志宏,王超,孙崇玲,张代化,陈雪娇^[1]（2016）在《一种有效提升石墨烯晶体管迁移率的加工方法（英文）》一文中研究指出传统光刻工艺加工石墨烯沟道的方法中,石墨烯表面的光刻胶残留严重影响其电学特性,导致载流子迁移率大大降低.为了解决光刻胶残留的问题,采用聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)作为缓冲层,将石墨烯与光刻胶隔离,可以有效保护石墨烯表面,使石墨烯保持干净的表面.电学测量结果表明,与传统光刻方法相比该方法制备出的石墨烯场效应管的迁移率提升了5倍.此外,通过采用聚合物辅助的转移方法,可实现大面积石墨烯的转移.拉曼光谱数据表明,这种转移方法对石墨烯造成的沾污和破损非常微弱.该加工工艺不仅与CMOS工艺兼容,而且适用于各种基于石墨烯的微电子器件.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2016年05期）

科信^[2]（2015）在《首款有buried氧化钇层的绝缘体上InGaAs晶体管,可实现2000cm~2/V-s的有效迁移率》一文中研究指出韩国科学和技术研究院近期发布了首款绝缘体上InGaAs晶体管,具有氧化钇埋层。研究者们认为,InGaAs-OI极有可能替代更为复杂的叁栅器件。由于具有较高的介电常数(16),相比氧化铝(9-12),采用Y2O3能够降低等效氧化层厚度,进而将栅向沟道移近,以改善静电控制。从磷化铟生长衬底到有Y2O3掩埋层的硅进行层转移,从而制成简单的金(本文来源于《半导体信息》期刊2015年04期）

刘伟,张继华,周卓帆,刘颖,杨传仁^[3]（2012）在《双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响》一文中研究指出通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变。在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小。计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大。此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显。而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小。(本文来源于《物联网技术》期刊2012年05期）

魏来明,周远明,俞国林,高矿红,刘新智^[4]（2012）在《高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子》一文中研究指出利用化学束外延法制备了高迁移率的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱样品.在样品的低温磁输运测试中,观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass(SdH)振荡和零场自旋分裂引起的拍频.本文提出一种解析的方法,即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱,得到有效g因子的大小.(本文来源于《物理学报》期刊2012年12期）

姚若河,欧秀平^[5]（2010）在《多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型》一文中研究指出提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg<0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应.(本文来源于《华南理工大学学报(自然科学版)》期刊2010年05期）

顾瑛,张德胜,张民强^[6]（1988）在《沟道载流子有效迁移率温度漂移的研究》一文中研究指出本文利用计算机辅助测试技术得到了不同栅压下沟道载流子有效迁移率的温度漂移特性曲线.实验结果表明,低温时温度漂移系数为负值,且随着温度的上升和栅压的增加而减小,在较高温度下,有一个零温漂区.在100℃以后有效迁移率的温度漂移系数出现了正值,文章对这些特性曲线进行了讨论,并且认为适当改变掺杂浓度和表面状态,将会改变沟道有效迁移率的温度漂移特性.(本文来源于《半导体技术》期刊1988年01期）

陆德仁,王缨,史常忻,顾为芳^[7]（1983）在《关于MOSFET饱和区有效迁移率减小的讨论》一文中研究指出用精确的和多种近似的MOSFEI电流特性公式处理同一试样上测得的输出特性的转移特性,结果表明用近似公式I_(Dsat)=Z/L/2μ_(?)C_(8x)(V_G-V_r)~2算出的迁移率值比精确公式算得的伍小了30％左右,这种有效迁移率的减小是因为推导电流公式时忽略了衬底体电荷。处理线性区数据求迁移率的公式μ_(?)=gm/Z/LC_(cx)V_D可由精确公式直接导出,因此用这一公式算出的迁移率值与精确公式算得的值同样正确。(本文来源于《半导体技术》期刊1983年03期）

有效迁移率论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

韩国科学和技术研究院近期发布了首款绝缘体上InGaAs晶体管,具有氧化钇埋层。研究者们认为,InGaAs-OI极有可能替代更为复杂的叁栅器件。由于具有较高的介电常数(16),相比氧化铝(9-12),采用Y2O3能够降低等效氧化层厚度,进而将栅向沟道移近,以改善静电控制。从磷化铟生长衬底到有Y2O3掩埋层的硅进行层转移,从而制成简单的金

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

有效迁移率论文参考文献

[1].冯志宏,王超,孙崇玲,张代化,陈雪娇.一种有效提升石墨烯晶体管迁移率的加工方法（英文）[J].纳米技术与精密工程.2016

[2].科信.首款有buried氧化钇层的绝缘体上InGaAs晶体管,可实现2000cm~2/V-s的有效迁移率[J].半导体信息.2015

[3].刘伟,张继华,周卓帆,刘颖,杨传仁.双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响[J].物联网技术.2012

[4].魏来明,周远明,俞国林,高矿红,刘新智.高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子[J].物理学报.2012

[5].姚若河,欧秀平.多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型[J].华南理工大学学报(自然科学版).2010

[6].顾瑛,张德胜,张民强.沟道载流子有效迁移率温度漂移的研究[J].半导体技术.1988

[7].陆德仁,王缨,史常忻,顾为芳.关于MOSFET饱和区有效迁移率减小的讨论[J].半导体技术.1983

论文知识图

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