导读:本文包含了场发射平板显示论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:平板显示,金属,绝缘体,器件,阵列,光源,电路。
场发射平板显示论文文献综述
雷威,丁沭沂,张晓兵,王保平[1]（2012）在《场发射平板显示及光源的研究进展》一文中研究指出首先回顾了场发射阴极材料的发展历程,然后介绍了场发射技术的发展过程、包括器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题,着重介绍了近年来国内外在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括纳米材料在场发射显示中应用前景。(本文来源于《真空电子技术》期刊2012年06期）
雷威,丁沭沂,张晓兵,王保平[2]（2012）在《场发射平板显示及光源的研究进展》一文中研究指出首先回顾了场发射阴极材料的发展历程,然后介绍了场发射技术的发展过程、包括器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题,着重介绍了近年来国内外在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括纳米材料在场发射显示中应用前景。(本文来源于《真空电子技术—场致发射技术发展专题》期刊2012-11-01）
宋李梅,李桦,杜寰,夏洋[3]（2006）在《场发射平板显示高低压电平转换电路》一文中研究指出提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。(本文来源于《发光学报》期刊2006年05期）
冯涛[4]（2005）在《碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究》一文中研究指出本文在国家973计划和上海市纳米专项的资助下，以碳纳米管场发射平板显示器件(CNT-FED)的实用化和产业化为目标，开展CNT-FED器件制备的关键技术研究。本论文中对涉及CNT-FED制备的全套工艺，包括碳纳米管阴极的制备、阴极场发射性能的改善、叁极管器件结构的设计与实现以及器件的封装进行了全面研究，开发了一套基于低成本丝网印刷工艺的CNT-FED器件制备工艺，并最终获得了较好显示度的CNT-FED器件。本论文主要包含以下几部分内容： 一、设备研制 自行设计并建立了一台多功能超高真空系统。该系统集PECVD、等离子体表面处理、场发射测试、器件真空封接、高真空退火等功能于一体。目前能够在多种衬底上沉积碳纳米管、并进行阴极的等离子体表面处理，场发射性能测试等。 二、阴极发射性能的改善 从CNT的发射表面、CNT膜本身的电子传导性能以及CNT与衬底材料的接触性能这叁个方面入手，研究改善印刷法制备的CNT阴极电子发射性能的方法。 (1) 采用等离子体表面处理的方法使印刷法制备的CNT阴极发射点密度有数量级提高并达到显示用要求。FESEM发现等离子体表面处理后CNT的表面出现了大量的瘤状的纳米颗粒，HRTEM确认了这种纳米级瘤状颗粒是球状富勒烯结构。本文认为这种类似于CNT发射尖端的富勒烯球与管壁的结合使CNT的发射模式从单尖端发射变为多尖端发射，宏观上导致了处理后CNT阴极电子发射点密度数量级的增加。 (2) 发现了印刷法制备的CNT膜的记忆发射效应。利用这种CNT膜的记忆发射特性，我们可以通过机械图形转移法很容易的获得清晰的图形化发射，不再需要阴极的图形化工艺和复杂的后处理工艺。本文认为表面图形转移的过程使表面具有发射能力的CNT和从衬底到表面的导电通道的数量大大增加，从而使图形(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2005-12-01）
杨毅[5]（2003）在《碳纳米管场发射平板显示技术研究》一文中研究指出本文从理论和实验两个方面对碳纳米管场发射平板显示技术进行了初步研究。在理论上研究了碳纳米管管径、管长、尤其是碳纳米管阵列密度对场发射性能，特别是对电场增强因子的影响。通过计算发现，当碳纳米管阵列间距为碳纳米管管径的4至5倍时，电场增强因子达到最大；同时碳纳米管管径越小，电场增强因子越大。在实验上采用CVD生长法和涂覆法制备了碳纳米管阵列场发射阴极薄膜，并分别进行了场发射显示实验，观察到了点状和大片连续发光现象。在采用涂覆法制备碳纳米管场发射阴极时，发现当碳纳米管与有机胶混合比例合适时效果最佳，这与理论分析结果一致。(本文来源于《华中师范大学》期刊2003-05-01）
李德杰[6]（2002）在《大屏幕场助热电子发射平板显示》一文中研究指出有源矩阵驱动的平面场发射阴极是大屏幕显示的主要候选部件。阴极结构、材料组分以及结晶状态强烈地影响电子发射。选择具有低功函数的上电极材料 ,并且引入界面态控制层将能够降低驱动电压和提高电子发射率。(本文来源于《真空电子技术》期刊2002年06期）
雷威,张晓兵,李俊涛[7]（2002）在《场致发射平板显示器件的发展》一文中研究指出场致发射平板显示器件(FED)的工作原理与传统的CRT显示器件几乎相同,它继承了CRT的优点,同时解决了CRT中体积庞大、笨重,功率消耗高等缺点。本文分析了FED平板显示器件的市场前景,回顾其发展历史。除此之外还探讨了FED研究中的一些关键技术,并预测了今后一段时间FED的发展趋势。(本文来源于《江苏省真空学会第十届学术交流会论文集》期刊2002-06-01）
[8]（2001）在《纳米碳管场致发射平板显示器件》一文中研究指出显示器件已经渗透到当今民用和军用的各个领域。随着信息技术的发展，对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求。目前在全球市场上占主导地位的显示器件是阴极射线管（CRT）。它具有高亮度、高分辨率、全视角等优越性，已(本文来源于《中国计算机报》期刊2001-12-24）
张兵临[9]（2001）在《金刚石膜冷阴极场发射平板显示研究》一文中研究指出冷阴极场发射显示(FED)是自1991年以来得到迅速发展的一种新的平板显示技术。由于FED和CRT一样是阴极电子发射主动型发光,因此具有亮度高、响应快、视角宽、色彩饱和度好等一系列优点,且能量转换效率高,因而倍受人们重视,并以惊人的速度发展。 自1996年起,我们研究组在国家863计划新材料领域专家委员会的资助与支持下,以金刚石等碳基薄膜的冷阴极场发射平板显示为研究内容,开展了一系列研究工作,并取得了一些有重要意义的研究成果。(本文来源于《材料导报》期刊2001年02期）
雷威,张晓兵[10]（2001）在《纳米碳管新应用:场致发射平板显示器件》一文中研究指出显示器件已经渗透到当今民用和军用的各个领域。随着信息技术的发展，对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求。目前在全球市场上占主导地位的显示器件是阴极射线管(CRT)。它具有高亮度、高分辨率、全视角等优越性，已经大量用于民用和军用领域。近期CRT器件的技(本文来源于《电子产品世界》期刊2001年03期）
场发射平板显示论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
首先回顾了场发射阴极材料的发展历程,然后介绍了场发射技术的发展过程、包括器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题,着重介绍了近年来国内外在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括纳米材料在场发射显示中应用前景。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射平板显示论文参考文献
[1].雷威,丁沭沂,张晓兵,王保平.场发射平板显示及光源的研究进展[J].真空电子技术.2012
[2].雷威,丁沭沂,张晓兵,王保平.场发射平板显示及光源的研究进展[C].真空电子技术—场致发射技术发展专题.2012
[3].宋李梅,李桦,杜寰,夏洋.场发射平板显示高低压电平转换电路[J].发光学报.2006
[4].冯涛.碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2005
[5].杨毅.碳纳米管场发射平板显示技术研究[D].华中师范大学.2003
[6].李德杰.大屏幕场助热电子发射平板显示[J].真空电子技术.2002
[7].雷威,张晓兵,李俊涛.场致发射平板显示器件的发展[C].江苏省真空学会第十届学术交流会论文集.2002
[8]..纳米碳管场致发射平板显示器件[N].中国计算机报.2001
[9].张兵临.金刚石膜冷阴极场发射平板显示研究[J].材料导报.2001
[10].雷威,张晓兵.纳米碳管新应用:场致发射平板显示器件[J].电子产品世界.2001
论文知识图
